公开(公告)号：CN101681932A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880018891.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高泽悟 ,  大石祐一 ,  清水美穗 ,  菊池亨 ,  石桥晓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后，在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体，在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理，从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13)，因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离，并且电阻值也不变高。

公开(公告)号：CN117897517A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202380013279.4

申请日：2023-10-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  前平谦 ,  小山晃一 ,  桥本雄介 ,  藤本信也 ,  中村慎太郎

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/24 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明的一个方式的真空处理装置具有真空腔室、支承体以及表面处理单元。所述支承体具有基底部和表面层。所述基底部配置在所述真空腔室内，由导电体构成。所述表面层由电介质构成，覆盖所述基底部的表面。所述表面层具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支承面。所述表面处理单元对吸附在所述支承面的所述基材的表面进行处理。所述表面层的厚度为200μm以上且800μm以下，所述支承面的表面粗糙度(Ra)为0.06μm以上且0.2μm以下，并且截面高度50％以上的支承长度率为90％以上。

公开(公告)号：CN110832624B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201880044714.9

申请日：2018-06-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  神保洋介 ,  茶谷宏纪 ,  西方靖 ,  龟崎厚治

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。

公开(公告)号：CN110832624A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880044714.9

申请日：2018-06-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  神保洋介 ,  茶谷宏纪 ,  西方靖 ,  龟崎厚治

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提高生产率。等离子体处理包含将配置在真空容器内的基板支承台加热至第一温度。在所述基板支承台和与所述基板支承台对置的喷淋板之间使基于第一放电条件的第一等离子体产生，通过所述基板支承台具有的热以及所述第一等离子体加热所述喷淋板。以非接触的方式对所述喷淋板的温度进行监控。在所述喷淋板的温度达到比通过所述基板支承台的热加热的温度高的第二温度之后，从所述喷淋板向所述基板支承台喷射处理气体，在所述基板支承台与所述喷淋板之间使基于第二放电条件的第二等离子体产生，通过所述第二等离子体处理被所述基板支承台支承的基板。

公开(公告)号：CN108885994A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780020497.5

申请日：2017-09-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 神保洋介 ,  山本良明 ,  茶谷宏纪 ,  西方靖 ,  菊池亨

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为，上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。

公开(公告)号：CN101567392B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910141769.4

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。