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公开(公告)号：CN106459719A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201680001690.X
申请日：2016-04-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J163/00 , C09J161/06 , C09J133/04 , C09J7/02 , H01L21/683
CPC classification number: C09J7/00 , B32B7/12 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B2457/14 , C08L63/00 , C09D163/00 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J161/12 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J201/00 , C09J2201/162 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , C09J2467/005 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L24/29 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2924/066 , H01L2924/0665 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , C08L2205/025 , C08L2205/035 , C09J7/255 , C09J161/06 , C08L61/06 , C08L33/04
Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合剂组合物、包含所述用于半导体的粘合剂组合物的用于半导体的粘合膜、包含含有所述用于半导体的粘合剂组合物的粘合层的切割管芯粘结膜、以及使用所述切割管芯粘结膜切割半导体晶片的方法，所述用于半导体的粘合剂组合物包含：玻璃化转变温度为-10℃至20℃的热塑性树脂、含有软化点为70℃或更高的酚树脂的固化剂、固体环氧树脂、和液体环氧树脂，其中固体环氧树脂和液体环氧树脂的总含量相对热塑性树脂的重量比为1.6至2.6。
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公开(公告)号：CN106661412B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201680002140.X
申请日：2016-04-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J163/00 , C09J161/06 , C09J133/00 , C09J11/04 , C09J7/20 , C09J7/30
Abstract: 本发明涉及用于半导体的粘合膜，其可以更容易地掩埋不平坦，例如由于半导体基板的配线或连接至半导体芯片的配线等引起的不平坦，并且还可以没有特别限制地应用于各种切割方法以实现优异的可切割性，从而提高半导体封装工艺的可靠性和效率。
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公开(公告)号：CN111655811A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980009388.2
申请日：2019-04-11
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/20 , C09J7/22 , C09J133/14 , C09J133/08 , H01L21/18
Abstract: 本公开内容涉及用于暂时附接的粘合剂片以及用于使用其制造半导体器件的方法，所述粘合剂片耐热性优异，并且即使当在半导体制造过程期间经受高温过程时也可以实现足够的粘合强度，并且在剥离步骤中可以表现出足够的由光固化引起的粘合强度降低。
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公开(公告)号：CN107534020B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680023097.5
申请日：2016-09-23
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L23/482 , H01L23/532 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J161/06 , C09J163/00 , C09J133/08 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 本发明涉及在110℃下的触变指数为1.5至7.5的粘合膜，其用于固定第一半导体器件和第二半导体器件，所述第一半导体器件的面积与所述第二半导体器件的面积之比为0.65或更小；使用所述粘合膜来制备半导体器件的方法；以及半导体器件。
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公开(公告)号：CN107924879A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050678.8
申请日：2016-11-04
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L23/00 , H01L23/495 , H01L25/07 , H01L23/28
CPC classification number: H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/495 , H01L25/07 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法，更具体地，涉及这样的半导体器件和制造半导体器件的方法：即使在管芯接合过程或导线接合过程期间向所述半导体器件施加一定程度过度的力，所述半导体器件也可以防止对顶部半导体芯片的损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107076701A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201680003311.0
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G01N27/447 , G01N27/404 , G01N27/04
CPC classification number: G01N27/125 , G01N27/041 , G01N27/14 , G01N27/404 , G01N27/447 , G01N27/04
Abstract: 本发明涉及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法以及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，所述装置用于所述方法中并且所述方法包括以下步骤：在5℃至250℃的温度下向聚合物膜施加电压同时使聚合物膜的一侧与包含金属离子、有机溶剂和水性溶剂的电解液相接触；以及在施加电压后，测量聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率。
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公开(公告)号：CN106715631A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201680002748.2
申请日：2016-07-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/08 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J7/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及半导体用粘合剂组合物、包含所述半导体用粘合剂组合物的切割管芯粘结膜、以及涉及用于使用所述切割管芯粘结膜切割半导体的方法，所述半导体用粘合剂组合物包含具低吸湿性的热塑性树脂、含有软化点为50℃至100℃的基于联苯的环氧树脂的环氧树脂、以及含有基于酚醛清漆的酚树脂的固化剂，并且满足IPC/JEDEC水分敏感性测试水平1。
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公开(公告)号：CN107924912B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201780003020.6
申请日：2017-03-31
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/56 , C09J163/00 , C09J133/10
Abstract: 本发明涉及半导体器件，包括：通过倒装芯片连接固定至粘附体上的第一半导体元件；用于包埋粘附体与第一半导体元件之间的空间以及包埋第一半导体元件的粘合层；以及通过粘合层连接至第一半导体元件的第二半导体元件，其中粘合层具有预定的熔体粘度和触变指数。
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公开(公告)号：CN106715631B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680002748.2
申请日：2016-07-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/08 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J7/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及半导体用粘合剂组合物、包含所述半导体用粘合剂组合物的切割管芯粘结膜、以及涉及用于使用所述切割管芯粘结膜切割半导体的方法，所述半导体用粘合剂组合物包含具低吸湿性的热塑性树脂、含有软化点为50℃至100℃的基于联苯的环氧树脂的环氧树脂、以及含有基于酚醛清漆的酚树脂的固化剂，并且满足IPC/JEDEC水分敏感性测试水平1。
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公开(公告)号：CN107076701B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201680003311.0
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G01N27/447 , G01N27/404 , G01N27/04
Abstract: 本发明涉及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的方法以及用于测量聚合物膜的金属离子渗透率的装置，所述装置用于所述方法中并且所述方法包括以下步骤：在5℃至250℃的温度下向聚合物膜施加电压同时使聚合物膜的一侧与包含金属离子、有机溶剂和水性溶剂的电解液相接触；以及在施加电压后，测量聚合物膜随时间的电阻变化率或电流变化率。
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