公开(公告)号：CN107210233A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580073894.X

申请日：2015-07-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 长谷川和功 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14252 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，提高半导体器件的可靠性。因此，将尽可能不在成为多孔质状态的Ag层(AGL)的表面上形成临时固定材料(TA)，同时，使用具有粘性的临时固定材料(TA)将搭载于Ag层(AGL)上的半导体芯片(CHP1)固定这一基本思想具体化。具体来说，以具有与芯片搭载部(TAB)接触的部分的方式供给临时固定材料(TA)，且以半导体芯片(CHP1)的背面的一部分与临时固定材料(TA)接触的方式将半导体芯片(CHP1)搭载于Ag层(AGL)上。

公开(公告)号：CN106024710A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610170129.6

申请日：2016-03-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉原贵光 ,  贝沼隆浩 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种改进了半导体器件的制造效率的制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括以下步骤：(a)在晶片(半导体晶片)的正表面侧处形成电路，该晶片具有正表面和与正表面相对的背表面；(b)按照中心部分比周缘部分更薄的方式，研磨晶片的背表面，该晶片具有中心部分(第一部分)和围绕中心部分的外围的周缘部分(第二部分)；(c)将保持胶带的上表面(接合表面)贴附至晶片的正表面；以及(d)在晶片由第一胶带保持的同时，通过用刀片(旋转刀片)切割中心部分的部分，来将中心部分与周缘部分分割开。

公开(公告)号：CN105264659A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201380076866.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 谷藤雄一 ,  冈浩伟 ,  奥西勅子 ,  高田圭太

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/77 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种实施方式的半导体装置是用树脂密封了在芯片搭载部上搭载了的半导体芯片的半导体装置，其中，在沿着第1方向的上述半导体芯片的边缘部与上述芯片搭载部的边缘部之间的芯片搭载面侧，固定了第1部件。另外，上述第1部件被上述树脂密封。另外，在俯视时，上述第1方向上的上述芯片搭载部的上述第1部分的长度比上述第1方向上的上述半导体芯片的长度更长。

公开(公告)号：CN102768965A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210214671.9

申请日：2009-01-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 谷藤雄一 ,  中条卓也 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/743 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。

公开(公告)号：CN102543771A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210043162.4

申请日：2008-04-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤邦治 ,  波多俊幸 ,  佐藤仁久 ,  冈浩伟 ,  池田靖

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/544 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/35 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/83205

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。

公开(公告)号：CN101295687B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200810093595.4

申请日：2008-04-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤邦治 ,  波多俊幸 ,  佐藤仁久 ,  冈浩伟 ,  池田靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。