公开(公告)号：CN107731779B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201710671430.X

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板东晃司 ,  武藤晃

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种电子装置，目的在于提高半导体装置的性能。搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外，半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外，半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。

公开(公告)号：CN110299341A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910486283.8

申请日：2014-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  小池信也 ,  小辻雅挥 ,  成田幸弘

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/492 ,  H01L23/538 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/48 ,  H01L23/552

Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN106575645A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480081240.7

申请日：2014-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  城户则夫

IPC: H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明提供一种能够实现例如适于SR电机的高性能化的半导体器件。半导体器件具有：芯片搭载部(TAB1)，其搭载半导体芯片(CHP1)，该半导体芯片(CHP1)形成有IGBT；以及芯片搭载部(TAB2)，其搭载半导体芯片(CHP2)，该半导体芯片(CHP2)形成有二极管。另外，半导体器件具有：引线(LD1A)，其与半导体芯片(CHP1)的发射极焊盘(EP)经由夹片(CLP1)电连接；以及引线(LD1B)，其与半导体芯片(CHP2)的阳极焊盘(ADP)经由夹片(CLP2)电连接。此时，芯片搭载部(TAB1)与芯片搭载部(TAB2)电隔离，夹片(CLP1)与夹片(CLP2)电隔离。

公开(公告)号：CN104425472A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410442796.6

申请日：2014-09-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  古川贵史

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/115 ,  H01L25/162 ,  H01L25/165 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0665

Abstract: 实现了电子器件性能的改进。第一半导体器件和第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得，例如，在平面图中，所述第二半导体器件的取向与所述第一半导体器件的取向相交。即，第一半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第一发射极端子和第一信号端子被沿着布线板的一对短边在其上延伸的X方向布置。在另一方面，第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第二发射极端子和第二信号端子被沿着布线板的一对长边在其上延伸的Y方向布置。

公开(公告)号：CN101866901A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010155948.6

申请日：2010-04-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中村弘幸 ,  武藤晃 ,  小池信也 ,  锦泽笃志 ,  佐藤幸弘 ,  船津胜彦

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/495 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。

公开(公告)号：CN205069623U

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201520754095.6

申请日：2015-09-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  板东晃司 ,  佐藤幸弘 ,  御田村和宏

IPC: H01L23/492 ,  H01L23/04 ,  H01L23/49 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L23/49575 ,  B60L3/003 ,  B60L15/007 ,  B60L50/51 ,  B60L2220/12 ,  B60L2240/525 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49565 ,  H01L23/544 ,  H01L23/564 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37013 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40998 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/77704 ,  H01L2224/78704 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84136 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/84862 ,  H01L2224/8585 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/7005 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 一种半导体器件，提高半导体器件的可靠性。在引线框架(LF)设有一对悬吊部(HL)，并且夹具(CLP)由主体部(BDU)和一对延伸部(EXU)构成，以此为前提，一对延伸部(EXU)搭载于一对悬吊部(HL)上而被支承。由此，夹具(CLP)被搭载于引线(LD1)上(1点)和一对悬吊部(HL)上(2点)，夹具(CLP)被这些部件3点支承。

公开(公告)号：CN207233730U

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201720984596.2

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板东晃司 ,  武藤晃

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/053 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L25/115 ,  H01L25/18 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40101 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H02M7/003

Abstract: 本实用新型提供一种电子装置，目的在于提高半导体装置的性能。搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外，半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外，半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利