公开(公告)号：CN112234000B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202011109040.1

申请日：2016-03-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 孙大伟 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  史蒂芬·M·恩尔拉 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。

公开(公告)号：CN107636818B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201680026696.2

申请日：2016-04-26

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  杰森·M·夏勒 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  阿拉·莫瑞迪亚 ,  威廉·T·维弗 ,  罗伯特·布然特·宝佩特

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  F26B3/30

Abstract: 一种衬底处理与加热系统。揭露一种当衬底在负载锁室与平台之间传送时用于加热衬底的系统。所述系统包括发光二极管的阵列，其配置于对准站上方。发光二极管可为GaN或GaP发光二极管，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。发光二极管可排列为使得对准期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。

公开(公告)号：CN112234000A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011109040.1

申请日：2016-03-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 孙大伟 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  史蒂芬·M·恩尔拉 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。

公开(公告)号：CN107636818A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680026696.2

申请日：2016-04-26

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  杰森·M·夏勒 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  阿拉·莫瑞迪亚 ,  威廉·T·维弗 ,  罗伯特·布然特·宝佩特

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  F26B3/30

CPC classification number: F26B3/30 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68

Abstract: 揭露一种当衬底在负载锁室与平台之间传送时用于加热衬底的系统。所述系统包括发光二极管的阵列，其配置于对准站上方。发光二极管可为GaN或GaP发光二极管，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。发光二极管可排列为使得对准期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。

公开(公告)号：CN107112187A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068755.8

申请日：2015-11-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  威廉·T·维弗 ,  杰森·M·夏勒 ,  罗伯特·布仁特·宝佩特

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开一种用以在处理期间动态加热工件的系统及方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。

公开(公告)号：CN101410930B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200780010722.3

申请日：2007-03-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉塞尔·罗 ,  皮尔·R·卢比克 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01J37/16 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/038

Abstract: 离子注入机(100)包括经组态以提供离子束(152)的离子源(102)、界定空腔(110)的终端结构(104)，所述离子源至少部分地安置于空腔内，以及包括绝缘系统(162，171)。所述绝缘系统经组态以电绝缘终端结构且经组态以在接近终端结构的至少一个外表面的区域中提供大于约72千伏/英寸的有效介电强度(dielectric strength)。本发明亦提供用来电绝缘离子注入机的气体盒(106)的气体盒绝缘系统。