公开(公告)号：CN107533997B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201680014843.4

申请日：2016-03-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 孙大伟 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  史蒂芬·M·恩尔拉 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东

IPC: H01L21/67

Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。

公开(公告)号：CN107466423B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201680021719.0

申请日：2016-04-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  杰森·M·夏勒 ,  阿拉·莫瑞迪亚 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  葛列格里·D·斯罗森

IPC: H01L21/683

Abstract: 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡盘。静电卡盘包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡盘提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡盘的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡盘的上部介电层的直径以容纳LED阵列。

公开(公告)号：CN101563751B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200780043672.9

申请日：2007-11-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  理查·S·默卡 ,  D·杰弗里·里斯查尔

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67005

Abstract: 本发明公开了一种低温离子植入技术。在一特殊实施例中，此技术可体现为低温离子植入装置。此低温离子植入装置可包括晶圆支撑机构，晶圆支撑机构在离子植入过程中支撑着晶圆且帮助晶圆在至少一维空间里移动。此低温离子植入装置也可包括冷却机构，其耦接到晶圆支撑机构。此冷却机构可包括：制冷单元；闭环刚性管，让至少一种冷却剂从制冷单元循环流动到晶圆支撑机构；以及一个或多个旋转式轴承，耦接刚性管，以帮助晶圆在至少一维空间里移动。

公开(公告)号：CN107112187B

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201580068755.8

申请日：2015-11-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  凯文·安葛林 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  威廉·T·维弗 ,  杰森·M·夏勒 ,  罗伯特·布仁特·宝佩特

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明公开一种工件处理系统以及处理工件的方法。系统包括离子源及被排列成阵列的多个发光二极管，多个发光二极管射向工件的表面的一部分处。发光二极管被选择成使其发出处于易于由工件吸收的频率范围内的光，从而加热工件。在某些实施例中，发光二极管恰好在工件的一部分经离子束处理之前加热所述部分。在另一实施例中，发光二极管在工件的一部分正进行处理时加热所述部分。发光二极管可被排列成阵列，阵列可具有至少与离子束的宽度一样宽的宽度。阵列还具有垂直于其宽度的长度，长度具有一行或多行发光二极管。本发明实施例在处理期间选择性地及动态地加热工件的多个部分以利用特定半导体制造工艺的温度敏感性。

公开(公告)号：CN107533997A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680014843.4

申请日：2016-03-01

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 孙大伟 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  史蒂芬·M·恩尔拉 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67103

Abstract: 本申请揭露一种用于在处理期间增进工件的温度均匀性的设备。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。

公开(公告)号：CN101410930A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010722.3

申请日：2007-03-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉塞尔·罗 ,  皮尔·R·卢比克 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01J37/16 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/038

Abstract: 离子注入机(100)包括经组态以提供离子束(152)的离子源(102)、界定空腔(110)的终端结构(104)，所述离子源至少部分地安置于空腔内，以及包括绝缘系统(162，171)。所述绝缘系统经组态以电绝缘终端结构且经组态以在接近终端结构的至少一个外表面的区域中提供大于约72千伏/时的有效介电强度(dielectric strength)。本发明亦提供用来电绝缘离子注入机的气体盒(106)的气体盒绝缘系统。

公开(公告)号：CN107466423A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201680021719.0

申请日：2016-04-05

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 摩根·D·艾文斯 ,  杰森·M·夏勒 ,  阿拉·莫瑞迪亚 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  葛列格里·D·斯罗森

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

Abstract: 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡钳。静电卡钳包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡钳提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡钳的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡钳的上部介电层的直径以容纳LED阵列。

公开(公告)号：CN103918043A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280054696.5

申请日：2012-10-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 葛列格里·西特佛 ,  法兰克·辛克莱 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  南帝斯克马·德塞

IPC: H01F6/06

CPC classification number: H01F6/065 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明揭示一种用以减少于交流电环境中热负荷转移的电流导线。电流导线可能包括导电材料，包括配置，其中当交流电应用到电流导线时，配置用以在电流导线中减少热负荷转移，其中温度梯度沿着电流导线的长度展现。

公开(公告)号：CN103918043B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201280054696.5

申请日：2012-10-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 葛列格里·西特佛 ,  法兰克·辛克莱 ,  D·杰弗里·里斯查尔 ,  南帝斯克马·德塞

IPC: H01F6/06

CPC classification number: H01F6/065 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明揭示一种用以减少于交流电环境中热负荷转移的电流导线、超导系统及制作此电流导线的方法。电流导线可能包括导电材料，包括配置，其中当交流电应用到电流导线时，配置用以在电流导线中减少热负荷转移，其中温度梯度沿着电流导线的长度展现。

公开(公告)号：CN101563751A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780043672.9

申请日：2007-11-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  理查·S·默卡 ,  D·杰弗里·里斯查尔

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67005

Abstract: 本发明公开了一种低温离子植入技术。在一特殊实施例中，此技术可体现为低温离子植入装置。此低温离子植入装置可包括晶圆支撑机构，晶圆支撑机构在离子植入过程中支撑着晶圆且帮助晶圆在至少一维空间里移动。此低温离子植入装置也可包括冷却机构，其耦接到晶圆支撑机构。此冷却机构可包括：制冷单元；闭环刚性管，让至少一种冷却剂从制冷单元循环流动到晶圆支撑机构；以及一个或多个旋转式轴承，耦接刚性管，以帮助晶圆在至少一维空间里移动。