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公开(公告)号：CN107810547A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680037201.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明揭示一种利用LED加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。
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公开(公告)号：CN107710395A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038070.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 罗伯特·布然特·宝佩特 , 盖瑞·E·维卡 , 大卫·伯拉尼克 , 杰森·M·夏勒 , 威廉·T·维弗
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H05B3/0047
Abstract: 本发明公开了一种在可保持于真空条件下的室内加热基板的系统。发光二极管基板加热器包括基座，所述基座具有被侧壁环绕的凹陷部。多个发光二极管安置于所述凹陷部内。所述发光二极管可为GaN发光二极管或GaP发光二极管，其发射易于被硅或所述硅上的涂层吸收的波长的光，从而高效且迅速地加热所述基板。透明窗口安置于所述凹陷部上方，从而形成用以在其中安置所述发光二极管的被密封的壳体。密封衬垫可安置于所述侧壁与所述窗口之间。
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公开(公告)号：CN103415919B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280012699.2
申请日：2012-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/68 , B65G49/07 , H01L21/67769 , H01L21/67775 , H01L21/67781 , H01L21/681 , Y10T29/49764 , Y10T29/49829 , Y10T29/53022 , Y10T29/53539
Abstract: 一种对准装置、工件承载设备以及对准方法。所述对准装置具有支架；支架上的二轨条，经组态以使工件通过轨条之间；以及指状物，由支架突出一段距离。指状物经组态以配置于用于工件的载具上。工件可以是太阳能电池且可在输送带上通过所述轨条。当工件承载至载具中时，工件对准装置可移动以将工件对准。
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公开(公告)号：CN104969340A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380072416.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚隆·P·威波 , 查理斯·T·卡尔森 , 威廉·T·维弗 , 克里斯多夫·N·葛兰特
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/682
Abstract: 一种用于在离子注入掩模与工件之间提供精确且可重复的对准的掩模对准系统。所述系统包含掩模框架，掩模框架具有松散地连接到掩模框架的多个离子注入掩模。掩模框架设有多个框架对准空腔，且每一掩模设有多个掩模对准空腔。所述系统还包含用于固持工件的压板。压板可设有多个掩模对准销和框架对准销，多个掩模对准销和多个框架对准销经配置以分别啮合掩模对准空腔和框架对准空腔。掩模框架可降低到压板上，其中框架对准空腔移动成与框架对准销对齐以在掩模与工件之间提供粗略对准。掩模对准空腔可接着移动成与掩模对准销对齐，进而将每一个别掩模移位成与相应工件精确对准。
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公开(公告)号：CN104011826B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201280064441.7
申请日：2012-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67213 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种离子植入机与离子植入法。离子植入机(100)的一实施例包括：离子源(101)及处理腔室(102)。此处理腔室连接至离子源并藉由多个提取电极(114)与离子源分离。载具(201)固持多个工件(202)。屏蔽装载器(205)位于处理腔室中且使屏蔽(203)与载具连接。传送腔室(104)及加载锁(105、106)可与处理腔室连接。此离子植入机装配成对工件进行毯覆式或选择性植入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104969340B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201380072416.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚隆·P·威波 , 查理斯·T·卡尔森 , 威廉·T·维弗 , 克里斯多夫·N·葛兰特
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/682
Abstract: 本发明提供一种掩模对准系统及掩膜对准方法。所述系统包含掩模框架，掩模框架具有松散地连接到掩模框架的多个离子注入掩模。掩模框架设有多个框架对准空腔，且每一掩模设有多个掩模对准空腔。所述系统还包含用于固持工件的压板。压板可设有多个掩模对准销和框架对准销，多个掩模对准销和多个框架对准销经配置以分别啮合掩模对准空腔和框架对准空腔。掩模框架可降低到压板上，其中框架对准空腔移动成与框架对准销对齐以在掩模与工件之间提供粗略对准。掩模对准空腔可接着移动成与掩模对准销对齐，进而将每一个别掩模移位成与相应工件精确对准。所述掩模对准系统及掩模对准方法用于在离子注入掩模与工件之间提供精确且可重复的对准。
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公开(公告)号：CN104885185A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380063410.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 , 威廉·T·维弗
IPC: H01J27/04 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/302
CPC classification number: H01J27/024 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/043 , H01J2237/30472 , H01J2237/3171
Abstract: 离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。
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公开(公告)号：CN102439693A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022632.8
申请日：2010-06-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/67213 , C23C14/48 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01J2237/20292 , H01J2237/204 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67769 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种工作件处理系统(100)包含：处理腔室(114)，其经组态以支撑工作件用于离子植入；第一遮罩(172、174、176)，其储存于所述处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；以及机器人系统(106)，其经组态以自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩(172、174、176)，且将所述第一遮罩定位于所述工作件上游，使得所述工作件经由所述第一遮罩而接收第一选择性植入。一种方法包含：将第一遮罩(172、174、176)储存于处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩；将所述第一遮罩定位于已定位在所述处理腔室(114)中的工作件上游以用于离子植入；以及经由所述第一遮罩而执行第一选择性植入。
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公开(公告)号：CN107636818B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201680026696.2
申请日：2016-04-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , D·杰弗里·里斯查尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 威廉·T·维弗 , 罗伯特·布然特·宝佩特
Abstract: 一种衬底处理与加热系统。揭露一种当衬底在负载锁室与平台之间传送时用于加热衬底的系统。所述系统包括发光二极管的阵列，其配置于对准站上方。发光二极管可为GaN或GaP发光二极管，其发出具有易于被硅吸收的波长的光，因此有效且快速地加热衬底。发光二极管可排列为使得对准期间的衬底旋转产生衬底的均匀温度分布。此外，对准期间的加热也可提高生产力以及省略目前与处理室连结的预加热站。
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公开(公告)号：CN107810547B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201680037201.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明揭示一种设备及利用发光二极管加热的静电夹具。所述利用LED加热的静电夹具包括包含LED加热器的第一子组合件和包括静电夹具的第二子组合件。所述LED衬底加热器子组合件包含具有凹部的基底。多个发光二极管LED安置在所述凹部内。所述LED可为GaN或GaP LED，其在容易由硅吸收的波长处发光，因此有效且快速地加热所述衬底。包括静电夹具的所述第二子组合件安置在所述LED衬底加热器子组合件上。所述静电夹具包含在由所述LED发射的所述波长处为透明的顶部电介质层和内部层。一或多个电极安置于所述顶部电介质层与所述内部层之间以形成所述静电力。
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