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公开(公告)号：CN1983464A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610172526.3
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种强电介质膜，由AB1－XNbXO3的通式表示，作为A元素至少含有Pb，作为B元素至少含有Zr、Ti，其中0.1≤x≤0.4。
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公开(公告)号：CN1812128A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510129542.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6684 , H01L21/28291 , H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、在所述铁电体层(30)的上方形成的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)。
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公开(公告)号：CN1538523A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031478.7
申请日：2004-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02197 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C30/00 , C30B5/00 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1％以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔％以上、40摩尔％以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。
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公开(公告)号：CN1519941A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310124653.2
申请日：2003-12-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/31 , H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L41/08
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/31691
Abstract: 一种强电介质薄膜，其特征在于，在薄膜面内，对于电场外加方向，180°区域和90°区域按同一角度旋转，由高取向多晶体构成，所述高取向多晶体的特征在于，在同一电场中反转。
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公开(公告)号：CN104253207B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201410120033.X
申请日：2014-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L41/183 , B06B1/06 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/3298 , C04B2235/441 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , H01L41/187 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H02N2/001 , H02N2/181
Abstract: 本发明提供一种压电材料及使用它的压电元件、液体喷射头、液体喷射装置、超声波传感器、压电电机以及发电装置，上述压电材料可减少环境负担，在宽的使用环境温度范围内压电特性、介电特性高，并且居里温度也高。上述压电材料含有：第1成分，由为菱面体晶且居里温度为Tc1的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成；第2成分，由为菱面体以外的晶体的且居里温度为Tc2的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成；第3成分，由为与上述第2成分相同的晶系且居里温度为Tc3的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成，上述Tc1比上述Tc2高，上述Tc3为上述Tc1以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104589800A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510040800.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 滨田泰彰
IPC: B41J2/045 , H01L41/083
CPC classification number: B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , C04B35/2633 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种对环境友好且相对介电常数高的液体喷射头、液体喷射装置以及压电元件。为一种液体喷射头，具有压电元件，所述压电元件具备压电体层和设置于所述压电体层的电极，其中，所述压电体层由含有含铁酸锰酸铋和钛酸钡的钙钛矿型化合物的压电材料形成，膜厚在3μm以下，且在(110)面优先取向。
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公开(公告)号：CN104253207A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410120033.X
申请日：2014-03-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L41/183 , B06B1/06 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , C04B35/462 , C04B35/4682 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/3298 , C04B2235/441 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , H01L41/187 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H02N2/001 , H02N2/181
Abstract: 本发明提供一种压电材料及使用它的压电元件、液体喷射头、液体喷射装置、超声波传感器、压电电机以及发电装置，上述压电材料可减少环境负担，在宽的使用环境温度范围内压电特性、介电特性高，并且居里温度也高。上述压电材料含有：第1成分，由为菱面体晶且居里温度为Tc1的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成；第2成分，由为菱面体以外的晶体的且居里温度为Tc2的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成；第3成分，由为与上述第2成分相同的晶系且居里温度为Tc3的具有钙钛矿型结构的复合氧化物构成，上述Tc1比上述Tc2高，上述Tc3为上述Tc1以上。
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公开(公告)号：CN101552317B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910129911.3
申请日：2009-04-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/18 , B41J2/135
CPC classification number: H01L41/18 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1645 , H01L41/0815 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O3及Ba(Zr、Ti)O3为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O3和Ba(Zr、Ti)O3的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1-x)Bi(Fei-yMny)O3-xBa(ZruTi1-u)O3表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe1-yMny)O3的自发极化量及高居里温度，通过Ba(ZruTi1-u)O3能够实现压电特性的提高。
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公开(公告)号：CN102189796A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110050740.2
申请日：2011-03-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 滨田泰彰
IPC: B41J2/045 , H01L41/083
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2002/14491 , B41J2202/03 , C04B35/26 , C04B35/6264 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C23C18/1216 , H01L41/0805 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种对环境友好且相对介电常数高的液体喷射头、液体喷射装置以及压电元件。为一种液体喷射头，具有压电元件，所述压电元件具备压电体层和设于所述压电体层的电极，其中，所述压电体层由含有含铁酸锰酸铋和钛酸钡的钙钛矿型化合物的压电材料形成，膜厚在3μm以下，在(110)面优先取向，并且，来自该(110)面的X射线衍射峰的半峰全宽为0.24°～0.28°。
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公开(公告)号：CN1916229B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610111222.6
申请日：2006-08-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B41J2/161 , B41J2/1646 , C23C14/088 , H01L21/31691 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L41/0478 , H01L41/0973 , H01L41/29 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/13091 , H01L2924/16195 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种绝缘性靶材，该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高，并具有良好的特性，用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ABO3表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材，包括A元素的氧化物、B元素的氧化物以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。
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