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公开(公告)号：CN115428157A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180023417.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H01L27/18
Abstract: 根据本技术实施方案的摄像元件包括：第一电极；第二电极；第三电极；光电转换层；和半导体层。所述第一电极和所述第二电极并排布置着。所述第三电极被布置成与所述第一电极及所述第二电极相对。所述光电转换层被设置在所述第一电极及所述第二电极与所述第三电极之间。所述半导体层被设置在所述第一电极及所述第二电极与所述光电转换层之间。所述半导体层具有从所述光电转换层侧起依次层叠着的第一层和第二层。所述第二层的在导带最下端处的能级比所述第一层的在导带最下端处的能级浅。
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公开(公告)号：CN114846609A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202180007257.8
申请日：2021-01-21
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 一种固态图像传感器(100)设置有第一光电转换单元和第二光电转换单元(600)。所述第一和第二光电转换单元(500，600)在彼此相对的接合面处接合，并且包括上部电极(502，602)、下部电极(508A，608)、光电转换膜(504，604)和存储电极(510，610)。所述第一光电转换单元(500)的所述下部电极(508A)经由贯穿半导体基板(300)的第一贯通电极(460A，460B)连接到电荷累积单元(314)。所述第二光电转换单元(600)的所述下部电极(608)经由设置在所述第二光电转换单元(600)的所述接合面上的第二电极(673)、设置在所述第一光电转换单元(500)的所述接合面上的第一电极(573)、贯穿所述第一光电转换单元(500)的第二贯通电极(560)以及所述第一贯通电极(460A，460B)连接到所述电荷累积单元(314)。
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公开(公告)号：CN112385044A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980046197.3
申请日：2019-07-03
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L51/42 , H04N5/359 , H04N5/369
Abstract: 摄像元件10包括光电转换部，该光电转换部包括相互层叠起来的第一电极21、含有有机材料的光电转换层23A、和第二电极22。在第一电极21和光电转换层23A之间，从所述第一电极侧形成有氧化物半导体层23C和氧化膜23B。
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公开(公告)号：CN112189259A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980032708.6
申请日：2019-05-10
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/30
Abstract: 本发明的成像元件包括：第一电极11；与第一电极11隔开配置的电荷累积用电极14；与第一电极11接触并经由绝缘层形成在电荷累积用电极14上方的光电转换层13；和形成在光电转换层13上的第二电极12。所述绝缘层的位于电荷累积用电极14和光电转换层13之间的部分包括第一区域82a1和第二区域82a2，所述绝缘层的在第一区域82a1中的部分由第一绝缘层82A1形成，所述绝缘层的在第二区域82a2中的部分由第二绝缘层82A2形成，并且形成第二绝缘层82A2的材料的固定电荷的绝对值小于形成第一绝缘层82A1的材料的固定电荷的绝对值。
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公开(公告)号：CN118922006A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411004526.7
申请日：2019-07-03
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H10K39/32 , H10K19/20 , H10K30/65 , H01L27/146
Abstract: 摄像元件10包括光电转换部，该光电转换部包括相互层叠起来的第一电极21、含有有机材料的光电转换层23A、和第二电极22。在第一电极21和光电转换层23A之间，从所述第一电极侧形成有氧化物半导体层23C和氧化膜23B。
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公开(公告)号：CN118471998A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410661238.2
申请日：2019-06-20
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光检测装置和电子装置。光检测装置至少包括：从光入射侧起依次的第一光电转换部和半导体基板，其中，所述第一光电转换部至少依次包括第一电极、光电转换层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第二电极，并且所述第一氧化物半导体层的膜密度高于所述第二氧化物半导体层的膜密度。
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公开(公告)号：CN114930205A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008197.1
申请日：2021-02-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本公开一个实施方案的多层膜通过交替层叠介电层和半导体层而获得，在所述半导体层中，在用作作为复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm～10μm、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。
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公开(公告)号：CN114616672A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080075661.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种能够实现进一步提高图像质量的固态成像器件。固态成像器件包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上方且将光转换为电荷；和第二光电转换单元，设置在第一光电转换单元上方且将光转换为电荷。第一光电转换单元和第二光电转换单元均至少包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的光电转换膜。第二光电转换单元的第一电极和形成在半导体基板中的电荷积累单元经由至少穿过第一光电转换单元的导电部彼此电连接。导电部的外周的至少一部分布置有绝缘膜部。绝缘膜部包括至少一层的绝缘膜，并且该至少一层的绝缘膜具有与电荷累积单元中累积的电荷相同类型的固定电荷。
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公开(公告)号：CN114556574A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071698.X
申请日：2020-11-12
Applicant: 索尼半导体解决方案公司 , 索尼集团公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本公开一个实施方案的固态成像装置包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部。各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极。所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。
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公开(公告)号：CN113875023A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080035134.0
申请日：2020-06-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L31/0224 , H01L51/44 , H01L27/146 , H01L27/30 , G01J1/44
Abstract: 提供具有更高功能的光电转换元件。所述光电转换元件包括：第一光电转换器，所述第一光电转换器检测第一波长范围内的光并进行光电转换；第二光电转换器，所述第二光电转换器检测第二波长范围内的光以进行光电转换，并获得物体的距离信息；以及滤光器，所述滤光器设置在所述第一光电转换器与所述第二光电转换器之间，并容易透射第二波长范围内的光而不是第一波长范围内的光。所述第一光电转换器包括层叠结构和电荷累积电极，在所述层叠结构中依次层叠有第一电极、第一光电转换层及第二电极，并且所述电荷累积电极被设置为与所述第一电极分离并且隔着绝缘层与所述第一光电转换层相对。
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