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公开(公告)号：CN113424322A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014258.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H04N5/369 , H04N5/378
Abstract: 本发明提高了读出速度。根据一个实施例的固态摄像装置(100)包括以矩阵形式排列的多个光电转换元件(PD3)，其中，每个所述光电转换元件包括：第一电极和第二电极(112、117)，所述第一电极的主平面和所述第二电极的主平面彼此面对；光电转换膜(113)，所述光电转换膜布置在所述第一电极和所述第二电极之间；半导体层(114)，所述半导体层布置在所述光电转换膜和所述第二电极之间，并且第一表面与所述光电转换膜接触且在与所述第一表面相对的一侧的第二表面的至少一部分与所述第二电极接触；绝缘膜(316)，所述绝缘膜布置在所述半导体层内；以及第三电极(115)，所述第三电极布置在所述绝缘膜内。
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公开(公告)号：CN110050345A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780072815.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 河合信宏
IPC: H01L27/146 , H04N5/363 , H04N5/369 , H04N5/374
Abstract: 公开了一种固态图像拾取元件，其中用于存储由光电转换部分光电转换的电荷的电荷存储部分、选择性地将复位电压施加到电荷存储部分的复位晶体管、其栅电极电连接到电荷存储部分的放大晶体管、以及串联连接到放大晶体管的选择晶体管设置在像素中。固态图像拾取元件提供有：将电荷存储部分和放大晶体管的栅电极彼此电连接的第一布线；第二布线，电连接到放大晶体管和选择晶体管的公共连接节点，并且沿第一布线形成；以及第三布线，将放大晶体管和选择晶体管彼此电连接。
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公开(公告)号：CN113711585B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080028811.6
申请日：2020-04-27
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H04N25/77 , G01C3/06 , H04N25/771 , H04N25/778 , H04N25/78 , H10F39/12
Abstract: 根据本发明，提高了测距精度。根据实施方案的固态摄像装置包括像素阵列部(101)，多个像素(20‑1)以矩阵状布置在该像素阵列部(101)中，其中，各个所述像素包括：多个光电转换单元(211,212)，其对入射光进行光电转换以产生电荷；浮动扩散区域(27)，其中累积电荷；多个传输电路(23,24,25)，其将所述多个光电转换单元中的各者中产生的电荷传输到所述浮动扩散区域；和第一晶体管(28)，其使具有与累积在所述浮动扩散区域中的所述电荷的电荷量相对应的电压值的像素信号出现在信号线上。
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公开(公告)号：CN118471994A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410522099.5
申请日：2018-06-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H10K39/32 , H04N25/76
Abstract: 根据本发明，提供了一种包括像素的光检测装置和电子设备。所述像素包括：第一成像元件；第二成像元件；第三成像元件；和片上微透镜，其中所述第一成像元件包括第一电极、第三电极以及面向所述第一电极和所述第三电极的第二电极，所述第三电极为电荷累积电极，并且所述第三电极具有大于所述第三成像元件的面积。
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公开(公告)号：CN118448431A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410522138.1
申请日：2018-06-08
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/76 , H10K39/32
Abstract: 根据本发明，提供了一种包括像素的光检测装置和电子设备。所述像素包括：第一成像元件；第二成像元件；第三成像元件；和片上微透镜，其中电荷累积电极的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离(d2)、所述第二成像元件的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离(d3)以及第三成像元件的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离(d4)中的每一个都比第一电极的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离(d5)或者浮动扩散区域的内接圆的中心与片上微透镜的中心之间的距离短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111373540B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201880075041.3
申请日：2018-12-10
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , G02B5/20 , H01L31/0232 , H10K39/32 , H10K39/38 , H04N25/70 , H04N25/76
Abstract: 根据本公开的一个实施例的光电转换元件设有：有机光电转换部，其包括第一电极、第二电极和有机光电转换层，第一电极包括一个电极和其它电极，第二电极布置成与第一电极相对，有机光电转换层布置在第一电极和第二电极之间并且电连接到一个电极，有机光电转换层和其它电极之间设置有绝缘层；无机光电转换部，其布置成使得第一电极布置在无机光电转换部和有机光电转换部之间；以及光学滤波器，其布置在有机光电转换部和无机光电转换部之间。
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公开(公告)号：CN116325163A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180064056.1
申请日：2021-09-15
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明能够提高量子效率。根据本发明的一个实施例的固态成像装置包括布置成矩阵的多个像素(110)，每个像素配备有：第一半导体层(35)，光电转换单元(PD1)，位于所述第一半导体层的第一表面侧；蓄积电极(37)，位于所述第一半导体层中的与所述第一表面相对侧上的第二表面侧附近；配线(61、62、63、64)，所述配线(61、62、63、64)从所述第一半导体层的所述第二表面延伸，浮置扩散区域(FD1)经由所述配线连接到所述第一半导体层，以及位于所述配线附近的第一栅电极。
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公开(公告)号：CN111373540A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880075041.3
申请日：2018-12-10
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , G02B5/20 , H01L31/0232 , H01L51/42 , H04N5/369 , H04N9/04
Abstract: 根据本公开的一个实施例的光电转换元件设有：有机光电转换部，其包括第一电极、第二电极和有机光电转换层，第一电极包括一个电极和其它电极，第二电极布置成与第一电极相对，有机光电转换层布置在第一电极和第二电极之间并且电连接到一个电极，有机光电转换层和其它电极之间设置有绝缘层；无机光电转换部，其布置成使得第一电极布置在无机光电转换部和有机光电转换部之间；以及光学滤波器，其布置在有机光电转换部和无机光电转换部之间。
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公开(公告)号：CN118120058A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280069720.6
申请日：2022-11-22
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据实施方案的光电检测装置包括以矩阵状排列的多个像素，其中每个像素包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体基板、布置在半导体基板的第二表面侧的第一光电转换部、覆盖半导体基板的第一表面的绝缘层以及隔着绝缘层位于半导体基板的第一表面侧的至少一个像素晶体管。
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公开(公告)号：CN110050345B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201780072815.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Inventor： 河合信宏
IPC: H01L27/146 , H04N25/79 , H04N25/77 , H04N25/709 , H04N25/65 , H04N25/76 , H04N25/63 , H04N25/70
Abstract: 公开了一种固态图像拾取元件，其中用于存储由光电转换部分光电转换的电荷的电荷存储部分、选择性地将复位电压施加到电荷存储部分的复位晶体管、其栅电极电连接到电荷存储部分的放大晶体管、以及串联连接到放大晶体管的选择晶体管设置在像素中。固态图像拾取元件提供有：将电荷存储部分和放大晶体管的栅电极彼此电连接的第一布线；第二布线，电连接到放大晶体管和选择晶体管的公共连接节点，并且沿第一布线形成；以及第三布线，将放大晶体管和选择晶体管彼此电连接。
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