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公开(公告)号：CN118882901A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411375360.X
申请日：2024-09-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例公开了一种六轴力传感器及其制造方法，其中六轴力传感器包括：受力块；支撑框架，支撑框架围绕受力块，且受力块与支撑框架之间具有间隙；多组弹性件，多组弹性件设于间隙内，并分别与受力块和支撑框架连接，多组弹性件将间隙分隔成多个第一形变腔；若干力敏电阻，若干力敏电阻设置在弹性件中，以构成六组惠斯通电桥，分别用于测量第一力、第二力、第三力、第一力矩、第二力矩以及第三力矩；每组弹性件包括一对间隔设置的弹性梁；任意一对弹性梁与受力块和支撑框架围合成第二形变腔。根据本申请，其双弹性梁结构为力敏电阻提供了可布置的空间，实现了测量力、力矩与非测量力、力矩间的自解耦，提高了本申请的六轴力传感器的精准性。
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公开(公告)号：CN118684187A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411159728.9
申请日：2024-08-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明的公开了一种压力传感器及其制造方法，其中制造方法包括：在衬底的一侧表面形成重掺杂区域，在重掺杂区域刻蚀多个孔，相邻的孔之间具有柱状凸部，在柱状凸部和重掺杂区域之间形成空腔，在重掺杂区域所在的衬底的一侧表面制作外延结构，在外延结构上制作第一环槽并填充第一环槽，制作绝缘结构，制作电连接结构。位于第一环槽内的外延结构形成压力传感器的可动极板，位于重掺杂区域中且与可动极板相对的衬底形成压力传感器的固定极板。本申请通过在衬底的一侧表面制作重掺杂区域，并在重掺杂区域刻蚀多个孔，相较于利用牺牲层工艺形成可变电容和利用键合工艺制造可变电容，本申请工艺简单，且成本较低。
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公开(公告)号：CN117168546B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311442947.3
申请日：2023-11-02
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01D21/02 , B81C3/00 , B81C1/00 , B81B7/00 , B81B7/02 , G01D5/16 , G01L1/20 , G01L9/02 , G01K7/16
Abstract: 本申请提供一种温压复合式传感器及其制备方法、封装结构。其中，温压复合式传感器，包括：第一基板；第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置，所述第二基板和所述第一基板围合有腔体；压力敏感电阻，所述压力敏感电阻位于所述腔体内；温度敏感电阻，所述温度敏感电阻位于所述腔体外。本申请提供的一种温压复合式传感器，可以进行温度和压力的同时测量，且在提高了温度测量的准确性的前提下，同时提高了温压复合式传感器的可靠性和稳定性，同时可以测量来自不同方向的压力，还可以避免温度对压力测量结果的干扰，从而提高压力测量的准确性。
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公开(公告)号：CN117246973A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311536537.5
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法。微机电压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件位于第一衬底的一侧；压敏感应组件包括压敏电阻；介质层，介质层位于压敏感应组件背离第一衬底的一侧；第二衬底，第二衬底的一侧开设有凹槽；其中，介质层与第二衬底具有所凹槽的一侧贴合以围合成密闭腔体，腔体在第一衬底的正投影覆盖压敏电阻在第一衬底的正投影。本申请通过使介质层与第二衬底具有凹槽的一侧贴合以形成密闭腔体，具有封装尺寸小、制作工序简单等优势。
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公开(公告)号：CN107892268B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201711113454.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，所述压力传感器包括：衬底；收容腔，位于所述衬底内，包括底壁和侧壁；感应本体，悬浮于所述收容腔内，所述感应本体与所述收容腔侧壁之间具有深槽，所述感应本体与收容腔底壁之间具有与所述深槽连通的第一腔体，且所述感应本体与收容腔侧壁之间通过位于所述深槽内的悬梁固定连接；所述感应本体包括：半导体层、位于所述半导体层表面的介质层、贯穿所述介质层至半导体层内的密闭的第二腔体、覆盖所述介质层和第二腔体的器件层，所述器件层表面具有压阻条。上述压力传感器具有应力释放结构，可靠性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114094975A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111452381.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种体声波谐振器，包括：衬底，其中所述衬底包括空腔，所述空腔开口位于所述衬底上表面，所述空腔底部被所述衬底封闭；位于所述衬。底和所述空腔上方的压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上表面的两组相互交错的叉指电极。本申请还涉及一种体声波谐振器的制备方法。
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公开(公告)号：CN108362408B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810190163.9
申请日：2018-03-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，所述压力传感器包括：基底；位于所述基底表面的钝化层；位于所述钝化层表面的第一下电极、第二下电极和连接电极，所述连接电极连接所述第一下电极和第二下电极；支撑于所述第一下电极上方的第一上电极，第一上电极与第一下电极构成感应电容；支撑于第二下电极上方的第二上电极，所述第一上电极与第一下电极之间具有支撑部，第二上电极与第二下电极构成参考电容；覆盖所述第一上电极、第二上电极的绝缘层。上述方法制作步骤简单，提高了工艺可制造性。
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公开(公告)号：CN110333799A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910688557.1
申请日：2019-07-29
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明提供一种压力检测触控装置及电子设备，所述压力检测触控装置包括：触碰板；压力检测装置，包括至少一压力传感器芯片及一基板，所述压力传感器芯片的一表面具有至少两个力传导结构，所述基板包括第一表面及第二表面，所述压力传感器芯片通过所述力传导结构设置在所述基板的第一表面；至少两个主支撑件，设置在所述触碰板与所述基板之间，相邻的两个主支撑件之间为空腔，所述压力传感器芯片对应所述空腔设置，且所述力传导结构至少部分对应所述主支撑件设置。本发明的优点在于，提高压力传感器芯片的检测灵敏度，进而改善所述压力检测触控装置的性能。
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公开(公告)号：CN110127597A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910515256.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种背孔引线式压力传感器及其制备方法，其使用通孔引线技术制备压力传感器，实现无打线贴片封装，减小了压力传感器的封装尺寸；同时压力传感器的压阻位于密封腔内，导电垫也通过通孔与外部结构电连接，受外界环境影响较小，器件稳定性好，可用于液体或恶劣环境中压力的监测。
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公开(公告)号：CN109831172A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201811564949.9
申请日：2018-12-20
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供了一种体声波谐振器的制备方法，解决了现有技术中通过刻蚀硅衬底形成空气隔离带导致器件结构稳定性差的问题。该制备方法包括提供第一硅片，在第一硅片上制备顶部开口的腔体；提供第二硅片，在第二硅片上表面制备绝缘层，在绝缘层上表面制备谐振压电堆，谐振压电堆包括压电薄膜和分别与压电薄膜接触并且彼此独立的第一电极和第二电极；在谐振压电堆的上表面制备第一二氧化硅层，谐振压电堆的上表面包括压电薄膜的表面、第一电极的表面、第二电极的表面中的一个或多个；将腔体的开口所在表面和第一二氧化硅层的上表面键合；制备第一电极和第二电极的引出焊盘。
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