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公开(公告)号：CN111353259A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010124577.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法，考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子，内二次电子向表面运动，并发生级联散射，表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射，建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电子发射系数半经验公式，对电子射程与内二次电子能量分布函数进行优化，并考虑了斜入射和背散射修正，获得金属的二次电子发射系数半经验公式，结果表明，优化公式计算结果与实验测量结果的相对误差不超过20％，相对于以往公式相对误差至少降低了10％，验证了优化公式的可靠性和普适性，本发明相对于其他传统的实验测量方法和蒙特卡洛计算方法，能够大幅缩短计算时间，使用更加简洁、方便，并且结果精准。
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公开(公告)号：CN111103579A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN202010044058.1
申请日：2020-01-15
Applicant: 长安大学
Abstract: 一种基于手机摄像头的可见光室内定位系统及定位方法，系统包括发送端子系统以及接收端子系统，发送端子系统包括依次相连的微控制器、串口模块、缓存电路、LED驱动电路和LED光源，接收端子系统包括带有摄像头以及室内定位模块的手机。首先通过微控制器将所要传送的位置坐标信息进行编码，编码后的数据流经过缓存后再输入到LED驱动电路的输入端口中，从而控制LED光源的高速闪烁，然后再通过手机对LED光源发出的光进行拍照，得到明暗变化的条纹图像，图片聚类之后采用曲线拟合产生一条动态的门限来判断当前亮度所代表的信息为“0”还是“1”，解码获得坐标信息。本发明可靠性高，并且抗干扰能力较强。
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公开(公告)号：CN109412397A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811060751.7
申请日：2018-09-12
Applicant: 长安大学
IPC: H02M1/14
Abstract: 本发明公开了一种脉冲宽度调制电流模式开关电源二次斜波补偿电路，包括：谐波产生电路，用于通过参考电压产生谐波信号Vramp和时钟信号CLK，以及：二次斜波补偿电路，用于根据所述的谐波信号Vramp和时钟信号CLK产生输入电流Islope，该输入电流Islope与外部电流Isense同时流入电阻Rsense，产生电压Vsense，以消除谐波震荡。本发明利用MOS管在导通时的漏源电流与栅源电压的关系，设计的斜波补偿电路可以根据开关的占空比产生一个与占空比成二次方的斜波补偿电流，从而实现斜波补偿目的。该技术可以提高DC-DC转换器的负载能力，同时在电路实现上具有简单轻便的特点，可以降低补偿电路自身的功耗和所需的芯片面积。
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公开(公告)号：CN116862984A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310839460.2
申请日：2023-07-10
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种相机的空间位姿估计方法，属于相机位姿估计技术领域，包括：将相机拍摄的图像的特征点与相机拍摄的图像的像素点所对应的真实世界的点进行匹配，得到一组匹配特征点；在相机坐标系下，构建第一角度图模型；在现实世界坐标系下，构建第二角度图模型；将第一角度图模型和第二角度图模型中的对应边的值相减，获得角度差分图；与其他特征点的相连边数最少的特征点；根据正确匹配的特征点之间的位置关系，利用LHM算法估计相机的空间位姿。该方法能够获取精准的相机位姿。
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公开(公告)号：CN111215399A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010124556.7
申请日：2020-02-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，将待测样品分别在酒精和去离子水中超声清洗后采用惰性气体烘干，然后将烘干后的待测样品放置于真空室内，利用惰性气体填充真空室使真空室内气压维持至1.4×10-4-1.8×10-4Pa；利用离子枪进行离子清洗，离子能量为900-1000eV，离子枪发射电流为9-11mA，离子清洗时间为10min至30min；离子清洗完成后，关闭离子枪电源，利用惰性气体充斥至少30min，完成利用惰性离子清洗降低二次电子发射系数，本发明可最大程度去除表面污染，并还原样品原有的表面状态，从而大幅降低二次电子发射系数，本发明能够在需要降低二次电子发射的领域中，以及希望获得平滑表面及准确二次电子发射特性的应用中，应当选取适当的离子清洗强度，避免过强离子清洗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109753103A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910089433.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种用于能量收集的最大功率跟踪控制系统，包括依次连接的放大与补偿电路、开关管控制逻辑及驱动电路、开关电源变换器拓扑电路和输出电压反馈电路，还包括依次连接的最大功率跟踪控制时序产生电路、最大功率跟踪控制采样保持电路和多环路反馈复合型误差放大电路，本发明的最大功率跟踪控制系统利用最大功率跟踪控制时序产生电路产生一个周期性的窄脉冲信号，最大功率跟踪控制采样电路实现周期性采样，多环路反馈复合型误差放大电路实现多环路先复合再补偿，采用上述电路结构可以对能量收集器实现最大功率跟踪，并可应用于多种开关电源变换器拓扑结构，电路能够使能量收集器实现最大功率转换，并具有低功耗、小面积、可编程等优点。
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公开(公告)号：CN107446380A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710678362.X
申请日：2017-08-07
Applicant: 长安大学
CPC classification number: C09B67/0097 , C09B67/0051 , C09B67/0079 , C09B67/008 , H01S3/213 , H04B10/503 , H04B10/506 , H04B10/572
Abstract: 本发明涉及两种偶氮染料掺杂的有机-无机复合材料及其制备方法和应用，将γ-(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、乙醇和水混合，再加入酸性催化剂，得到溶液A；将钛酸正四丁酯和乙酰丙酮混合均匀得到溶液B；将溶液A和溶液B混合均匀，得到有机-无机复合基质母液；向有机-无机复合基质母液中加入4-羟基偶氮苯和分散红1，搅拌均匀得到悬浊液；利用旋转涂层工艺将悬浊液沉积在载玻片上，形成薄膜，将薄膜热处理得到两种偶氮染料掺杂的有机-无机复合材料。本发明中采用改进溶胶-凝胶技术，结合旋涂技术，将两种偶氮染料掺杂在了一起，制备的材料在两束不同波长的泵浦光激发下具有了同时处理双输入光信号的功能。
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公开(公告)号：CN105448374B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510784821.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN埋层结构同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本发明的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延层和第二N型SiC外延层，第二N型SiC外延层上开设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，沟槽底部延伸至P型SiC外延层，若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极与P型SiC外延层接触。
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公开(公告)号：CN106024864A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610497847.4
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/74 , H01L21/332
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0615 , H01L29/0684 , H01L29/0688 , H01L29/161 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极、第一N型欧姆接触电极和第二N型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
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公开(公告)号：CN107884876B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201711411832.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器；所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接；所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本发明所涉及的器件基于光波导器件，能够集成在同一衬底上，具有较高的集成度，能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。
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