公开(公告)号：KR102199176B1

公开(公告)日：2021-01-06

申请号：KR1020190058529

申请日：2019-05-20

Applicant: 강원대학교산학협력단 ,  세종대학교산학협력단

Inventor： 정형모 ,  김종순

IPC: C01G19/02

Abstract: 본발명은 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기 1차나노입자들사이에기공이형성되어있으며, 상기 1차나노입자는산화주석또는주석합금을포함하는것인 SnO2 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO2 다공성나노입자는주석합금을포함하는 10nm 이하의 SnO2 1차나노입자로구성됨으로써격자구조및 전자구조가변형되어, 전자소자에적용시기계적특성, 광학적특성및 전기적특성이향상될수 있다. 본발명의 SnO2 다공성나노입자의제조방법은 SnO2 격자내에양이온주입을통해 Sn 클러스터를분리하고, Sn과합금을형성하여, 주석합금을포함하는 10nm 이하의 1차나노입자가응집된형태의 SnO2 다공성나노입자형성을가능케한다.

公开(公告)号：KR1020200133419A

公开(公告)日：2020-11-30

申请号：KR1020190058537

申请日：2019-05-20

Applicant: 강원대학교산학협력단 ,  한국세라믹기술원

Inventor： 정형모 ,  신원호 ,  남우현

IPC: C01G19/02 ,  B01J19/08

Abstract: 본발명은표면및 내부에결함이형성된 SnO 2 나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO 2 나노입자는 SnO 2 나노입자는종래기술과는다르게결함이증대되어, 소결특성이향상되고, 높은비표면적을가져전자소자에적용시센싱, 촉매등 기능특성이향상될수 있다. 또한, 본발명의 SnO 2 나노입자의제조방법은 SnO 2 격자내에양이온주입을통해결함을증대시켜, 비표면적이향상된 SnO 2 나노입자형성을가능케한다.

公开(公告)号：KR1020200133416A

公开(公告)日：2020-11-30

申请号：KR1020190058529

申请日：2019-05-20

Applicant: 강원대학교산학협력단 ,  세종대학교산학협력단

Inventor： 정형모 ,  김종순

IPC: C01G19/02

Abstract: 본발명은 1차나노입자들이응집된형태로구성되고, 상기 1차나노입자들사이에기공이형성되어있으며, 상기 1차나노입자는산화주석또는주석합금을포함하는것인 SnO 2 다공성나노입자를제공한다. 이에의하여, 본발명의 SnO 2 다공성나노입자는주석합금을포함하는 10nm 이하의 SnO 2 1차나노입자로구성됨으로써격자구조및 전자구조가변형되어, 전자소자에적용시기계적특성, 광학적특성및 전기적특성이향상될수 있다. 본발명의 SnO 2 다공성나노입자의제조방법은 SnO 2 격자내에양이온주입을통해 Sn 클러스터를분리하고, Sn과합금을형성하여, 주석합금을포함하는 10nm 이하의 1차나노입자가응집된형태의 SnO 2 다공성나노입자형성을가능케한다.