표면 코팅된 리튬티탄산화물 분말 및 이의 제조방법
    12.
    发明公开
    표면 코팅된 리튬티탄산화물 분말 및 이의 제조방법 有权
    表面涂覆的钛酸钡粉末及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020130055080A

    公开(公告)日:2013-05-28

    申请号:KR1020110120596

    申请日:2011-11-18

    Inventor: 김재현 백성호

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a surface-coated lithium titante powder is provided to improve rate performance and capacity of a lithium titante battery. CONSTITUTION: A manufacturing method of a surface coated lithium titanate powder comprises a step of preparing micropowder of a lithium titanate; and a step of forming a coating layer by depositing a conductive material on the surface of the micropowder. The lithium titante oxide is represented by chemical formula: LixTiyO4 (0.5

    Abstract translation: 目的:提供表面涂覆锂钛粉末的制造方法,以提高锂钛电池的速率性能和容量。 构成:表面被覆钛酸锂粉末的制造方法包括:制备钛酸锂的微粉的步骤; 以及通过在所述微粉的表面上沉积导电材料来形成涂层的步骤。 锂钛氧化物由化学式LixTiyO4(0.5 <= x <= 3,1 <= y <= 2.5)表示。 至少一个或多个Li,Ti和O位点被杂原子取代。 涂层是包含非导电无机层和金属层的金属或双层涂层的单层涂层。 (AA)Al或Cu; (BB)LTO原料; (CC)LTO和Al或Cu络合物; (DD)涂层

    실리콘 와이어 구조체의 제조방법
    13.
    发明授权
    실리콘 와이어 구조체의 제조방법 有权
    硅丝结构的制造方法

    公开(公告)号:KR101264877B1

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:KR1020100077669

    申请日:2010-08-12

    Abstract: 실리콘웨이퍼위에마스크층을패터닝하는단계; 상기마스크층으로덮이지않은상기실리콘웨이퍼의일부를금속촉매화학적식각하는단계; 상기금속촉매화학적식각이후상기실리콘웨이퍼로부터잔존금속을제거하는단계; 상기잔존금속제거이후상기마스크층을제거하여에치피트가형성된실리콘웨이퍼를얻는단계; 및상기에치피트가형성된상기실리콘웨이퍼를전기화학적식각처리하여실리콘와이어어레이를형성하는단계를포함하는실리콘와이어구조체의제조방법이제공된다.

    전기화학적 에칭 방법에 의한 실리콘 와이어 어레이의 제조방법
    14.
    发明公开
    전기화학적 에칭 방법에 의한 실리콘 와이어 어레이의 제조방법 无效
    通过电化学蚀刻制作硅线阵列的方法

    公开(公告)号:KR1020120111274A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:KR1020110029674

    申请日:2011-03-31

    CPC classification number: H01L21/30604

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a silicon wire array by an electrochemical etching method is provided to prevent the contamination of a device by excluding anisotropic etching solution. CONSTITUTION: An etching mask is patterned on the surface of a silicon substrate. The surface of the silicon substrate is electrochemically etched. The electrochemical etching forms an etching area by applying an electric field having a first current density. The etching area includes micro openings. The etching area is etched by applying an electric field having a second current density higher than the first current density. [Reference numerals] (AA) Initial washing; (BB) Photolithography; (CC) BOE(natural oxide film removal); (DD) Al deposition; (EE) Electrochemical etching(first current density); (FF) Etching area; (GG) Micro opening; (HH) Electrochemical etching(second current density)

    Abstract translation: 目的:提供通过电化学蚀刻方法制造硅线阵列的方法,以通过排除各向异性蚀刻溶液来防止器件的污染。 构成:在硅衬底的表面上刻蚀蚀刻掩模。 硅衬底的表面被电化学蚀刻。 电化学蚀刻通过施加具有第一电流密度的电场形成蚀刻区域。 蚀刻区域包括微孔。 通过施加具有高于第一电流密度的第二电流密度的电场来蚀刻蚀刻区域。 (附图标记)(AA)初次洗涤; (BB)光刻 (CC)京东方(天然氧化膜去除); (DD)Al沉积; (EE)电化学蚀刻(第一电流密度); (FF)蚀刻面积; (GG)微开口; (HH)电化学蚀刻(第二电流密度)

    전기화학적 에칭을 위한 식각 구멍 형성 방법
    15.
    发明公开
    전기화학적 에칭을 위한 식각 구멍 형성 방법 有权
    电化学蚀刻的蚀刻方法

    公开(公告)号:KR1020110070026A

    公开(公告)日:2011-06-24

    申请号:KR1020090126665

    申请日:2009-12-18

    CPC classification number: H01L21/324 H01L21/3065

    Abstract: PURPOSE: A method for forming an etching hole for electrochemical etching is provided to form an etching hole of a reverse pyramid shape, thereby shortening the number of manufacturing processes. CONSTITUTION: A polystyrene particle(402) is regularly and periodically formed on a semiconductor substrate. The semiconductor substrate is processed by heat. The semiconductor substrate is etched by reactive ions with the polystyrene particle as an etching mask until an etching hole of a reverse pyramid shape is formed on the semiconductor substrate. The polystyrene particle is eliminated.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于形成用于电化学蚀刻的蚀刻孔的方法,以形成反锥形蚀刻孔,从而缩短了制造工艺的数量。 构成:在半导体衬底上规则地和周期地形成聚苯乙烯颗粒(402)。 半导体衬底被加热处理。 通过与聚苯乙烯粒子的反应离子蚀刻半导体衬底作为蚀刻掩模,直到在半导体衬底上形成反锥体形状的蚀刻孔。 消除聚苯乙烯颗粒。

    보론이 도핑된 실리콘 옥사이드계 음극활물질과 그 제조방법 및 이를 이용한 리튬이차전지

    公开(公告)号:KR101790555B1

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:KR1020150152375

    申请日:2015-10-30

    CPC classification number: Y02E60/122

    Abstract: 본발명은보론이도핑된실리콘옥사이드계음극활물질과그 제조방법및 이를이용한리튬이차전지에관한것으로, 상세하게는보론화합물이함유된도펀트(dopant)를더미(dummy)기판위에코팅하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된더미기판과실리콘옥사이드계혼합물을이격을두고배치한후 열처리하는단계(단계 2);를포함하는보론이도핑된실리콘옥사이드계음극활물질의제조방법을제공한다. 본발명을통해제조한보론이도핑된실리콘옥사이드계재료를이차전지음극활물질로이용할경우, 기존기술에비해음극활물질내 비용량이증가하며, 제조된음극활물질에불순물인보론화합물이포함되지않고, 보론원소만이도핑되는효과가있다. 또한, 실리콘옥사이드계재료내부로보론원소가확산되도록함으로써리튬이온의확산속도증가및 부분적인실리콘결정형성으로인해, 전기화학적특성이개선될수 있다. 나아가, 전지의고용량및 사이클특성이개선되어향후전기자동차및 대형에너지저장장치용이차전지로의활용이가능하다.

    태양 전지 및 그 태양 전지의 제조 방법
    17.
    发明授权
    태양 전지 및 그 태양 전지의 제조 방법 有权
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101653106B1

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:KR1020150068650

    申请日:2015-05-18

    Abstract: 일실시예에따른태양전지는, 기판; 상기기판의상면으로부터돌출되게연장된와이어; 및상기기판상에서상기와이어의일부가침지되도록도포되는분리제;를포함하고, 상기와이어는상기기판의상면에전기화학식각법에의해형성되고, 상기분리제가상기기판으로부터분리되면서상기와이어를상기기판으로부터분리시킬수 있다.

    Abstract translation: 根据实施例,太阳能电池包括:基板; 从基板的顶部延伸并突出的线; 和分离剂被涂覆以将一部分线材浸入基材上。 通过电化学蚀刻技术在基板的顶部形成线,并且分离剂可以在与衬底分离之后将线与衬底分离。

    방사선 경화 수지를 이용한 이차전지 극판의 제조방법
    18.
    发明公开
    방사선 경화 수지를 이용한 이차전지 극판의 제조방법 无效
    使用辐射固化树脂制造用于二次电池的电极板的方法

    公开(公告)号:KR1020150042719A

    公开(公告)日:2015-04-21

    申请号:KR1020140135698

    申请日:2014-10-08

    Abstract: 본발명은방사선경화수지를이용한이차전지극판의제조방법에관한것으로, 상세하게는양극활물질또는음극활물질, 도전제및 방사선경화성수지를포함하는혼합물을집전체표면에도포하는단계(단계 1);및상기집전체표면에형성된혼합물에 10 내지 1000 kGy의흡수선량으로방사선을조사하는단계을제공한다. 본발명은, 이차전지극판의바인더로서방사선경화수지를사용하며, 상기방사선경화수지에방사선을조사함으로써집전체와활물질간의접착력을향상시킬수 있다. 또한, 방사선조사로인하여건조단계를생략할수 있으므로이차전지극판의제조방법이보다간단하고이에따라비용이적게드는장점이있다. 나아가, 방사선이조사된바인더의경화로인하여이차전지활물질의부피팽창을막아줄수 있어, 상기제조방법으로제조된이차전지극판을포함하는이차전지가보다안정한전지효율을나타낼뿐만아니라수명이증가하는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用辐射固化树脂制造二次电池用电极板的方法,更具体地说,涉及一种使用辐射固化树脂制造二次电池用电极板的方法,该方法提供了一种施加于 集电体的表面包含正极活性物质或负极活性物质,导电剂和辐射固化树脂(步骤1)的混合物,以及使用辐射剂量对形成在集电体表面上的混合物施加辐射的步骤 10到1000 kGy。 本发明使用辐射固化树脂作为二次电池用电极板的粘合剂,并且通过照射辐射固化树脂来增加集电体和活性材料之间的粘附性。 此外,施加辐射允许省略干燥阶段,因此制造用于二次电池的电极板的工艺更简单且成本更低。 此外,照射的粘合剂的硬化防止二次电池中的活性材料的体积增加; 结果,包括用上述方法制造的电极板的二次电池显示出更稳定的电池效率以及电池寿命的增加。

    실리콘 태양전지 및 그의 제조방법
    19.
    发明公开
    실리콘 태양전지 및 그의 제조방법 无效
    硅太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120102908A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:KR1020110020795

    申请日:2011-03-09

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/04 H01L31/0236 H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to remarkably reduce reflectivity by reducing light entered from outside through surface texturing to be re-reflected. CONSTITUTION: An emitter layer of conductive type which is opposite to a silicon substrate is formed on the silicon substrate(S210). A self-assembled monolayer film of a colloidal particle is formed on the emitter layer(S220). The surface of the emitter layer is textured by performing metallic catalyst chemical etching by using the self-assembled monolayer film as a mask(S230). A metal particle and the self-assembled monolayer film remaining after metallic catalyst chemical etching are eliminated(S240). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S210) An emitter layer of opposite conductive type is formed on a silicon substrate; (S220) A self-assembled monolayer film of a colloidal particle is formed on the emitter layer; (S230) Metallic catalyst chemical etching is performed; (S240) A remaining metal particle and the self-assembled monolayer film are eliminated

    Abstract translation: 目的:提供硅太阳能电池及其制造方法,通过减少从外部通过表面纹理输入的光再次反射来显着降低反射率。 构成:在硅衬底上形成与硅衬底相对的导电类型的发射极层(S210)。 在发射极层上形成胶体粒子的自组装单层膜(S220)。 通过使用自组装单层膜作为掩模,通过进行金属催化剂化学蚀刻来对发射极层的表面进行纹理化(S230)。 在金属催化剂化学蚀刻后残留的金属颗粒和自组装单层膜被消除(S240)。 (附图标记)(AA)开始; (BB)结束; (S210)在硅衬底上形成相反导电类型的发射极层; (S220)在发射极层上形成胶体粒子的自组装单层膜; (S230)进行金属催化剂化学蚀刻; (S240)除去剩余的金属粒子和自组装的单层膜

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