公开(公告)号：KR100976572B1

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：KR1020080017366

申请日：2008-02-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 주병권 ,  권재홍 ,  신상일 ,  정진욱

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/10

Abstract: 본 발명은 용액공정(solution process)을 사용하여 저온(250℃ 이하) 및 대기중(in air)에서 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor, OTFT)를 형성할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 상기 게이트전극을 덮도록 SOG(Spin On Glass)으로 게이트절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트절연층 상에 접착층, 도전층 및 전위장벽조절층이 순차적으로 적층된 적층막으로 이루어진 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트절연층 전면에 상기 소스전극 및 드레인전극을 덮도록 팁스-펜타센(TIPS-pentacene)으로 활성층을 형성하는 단계를 포함하고 있으며, 상술한 본 발명에 따르면, 용액공정을 상용하여 유기 박막 트랜지스터를 형성함으로써, 유기 박막 트랜지스터를 제조하는 과정에서 전기적인 특성이 열화되는 것을 방지함과 동시에 제조 수율(yield)을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
펜타센, SOG, 용액공정

公开(公告)号：KR100964268B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020080026003

申请日：2008-03-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 주병권 ,  정진욱 ,  권재홍 ,  유지혁 ,  신상일

IPC: H04B1/08 ,  H05K5/02 ,  H05K13/04

Abstract: 본 발명은 웨어러블 장치의 전력공급이 원활하게 유지되도록 에너지 수집형 전력원(energy harvest power source)을 구비한 웨어러블 장치에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 웨어러블 장치는, 플랙서블 기판; 상기 플랙서블 기판의 상부면에 형성된 표시부(display) 및 상기 플랙서블 기판의 하부면에 형성된 태양전지부를 포함하고 있으며, 본 발명에 따르면, 에너지 수집형 전력원으로 태양전지를 사용함으로써, 별도의 외부 장치(예컨대, 충전기)의 도움없이 자체적으로 웨어러블 장치에 전력을 공급할 수 있으며, 이를 통하여 웨어러블 장치의 휴대성를 향상시킬 수 있다.
태양전지, 플랙서블 기판, 웨어러블

公开(公告)号：KR1020090106057A

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：KR1020080031549

申请日：2008-04-04

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 주병권 ,  신상일 ,  권재홍 ,  정진욱 ,  동기영

IPC: H01L29/786 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L51/0562 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0545

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor including an active layer of a structure in which a carbon nano tube layer and an organic semiconductor layer are laminated is provided to reduce an off leakage current and to increase an operating current of a thin film transistor by improving mobility of an electric charge inside the active layer. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a gate electrode, a gate insulation layer, an active layer(14), a source electrode, and a drain electrode. The gate electrode is formed on a substrate. The gate insulation layer covers the gate electrode on the substrate. The active layer has a structure in which a carbon nano tube layer and an organic semiconductor layer(25) are laminated on the gate insulation layer. The source electrode and the drain electrode are formed on the active layer, and are separated each other.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管，其包括其中层叠有碳纳米管层和有机半导体层的结构的活性层，以通过改善薄膜晶体管的迁移率来减少漏电流并增加薄膜晶体管的工作电流 有源层内的电荷。 构成：薄膜晶体管包括栅电极，栅极绝缘层，有源层（14），源电极和漏电极。 栅电极形成在基板上。 栅极绝缘层覆盖基板上的栅电极。 有源层具有碳纳米管层和有机半导体层（25）层叠在栅极绝缘层上的结构。 源电极和漏极形成在有源层上，彼此分离。

公开(公告)号：KR100897902B1

公开(公告)日：2009-05-18

申请号：KR1020080000724

申请日：2008-01-03

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 주병권 ,  권재홍 ,  정진욱 ,  이경수 ,  서정훈 ,  최진환 ,  신상일

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H05B33/12

Abstract: 본 발명은 게이트신호 왜곡에 따른 좌우휘도차 발생을 방지할 수 있는 유기발광표시장치에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 게이트라인; 상기 게이트라인과 직교하는 방향으로 형성된 데이터라인; 상기 데이터라인과 나란한 방향으로 상기 게이트라인과 직교하는 파워라인; 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 이루어져 상기 데이터라인에 인가된 신호를 전달하는 스위칭트랜지스터; 상기 스위칭트랜지스터로부터 출력된 신호를 드라이빙하기 위한 드라이빙트랜지스터; 상기 드라이빙트랜지스터로부터 출력된 신호에 의해 발광하는 유기발광다이오드 및 일측이 상기 드라이빙트랜지스터의 게이트전극에 연결되고, 타측이 상기 파워라인에 연결된 스토리지캐패시터를 포함하고, 상기 스토리지캐패시터는 상기 스위칭트랜지스터가 온(On) 상태일 때, 상기 스위칭트랜지스터로부터 출력된 신호와 상기 파워라인을 통해 전달된 신호에 응답하여 충전동작을 수행하고, 상기 스위칭트랜지스터가 오프(Off) 상태일 때, 방전동작을 수행하여 상기 드라이빙트랜지스터의 동작을 유지시켜주는 유기발광표시장치를 제공하며, 본 발명에 따르면, 스위칭트랜지스터를 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들로 형성함으로써, 게이트신호 왜곡에 따른 유기발광표시장치의 좌우휘도차 발생을 방지함과 동시에 스위칭트랜지스터의 누설전류를 감소시켜 유기발광표시장치의 화질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
유기발광, 휘도, 왜곡, 게이트신호

Abstract translation: 本发明涉及一种有机发光二极管（OLED）显示装置，其能够防止由于选通信号失真而出现左右亮度差异。 数据线形成在与栅极线正交的方向上; 在与数据线平行的方向上与栅极线正交的电源线; 开关晶体管，由多个晶体管串联连接并传输施加到数据线的信号组成; 驱动晶体管，用于驱动从开关晶体管输出的信号; 有机发光二极管，用于根据从驱动晶体管输出的信号发光;以及存储电容器，具有连接到驱动晶体管的栅电极的一侧和连接到电源线的另一侧， 在接通状态下，响应于从开关晶体管输出的信号和通过电力线传输的信号执行充电操作，并且当开关晶体管处于关断状态时，执行放电操作， 根据本发明，由于开关晶体管由串联连接的多个晶体管形成，所以可以防止由于栅极信号失真而引起的有机发光显示装置的左右之间的亮度差异 并在开关晶体管泄漏之前 它可以减少，以提高OLED显示器的图像质量的效果。

公开(公告)号：KR100919889B1

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020070118242

申请日：2007-11-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 주병권 ,  권재홍 ,  정진욱 ,  서정훈 ,  신상일

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명은 SPM(Scanning Probe Microscope) 리소그라피 방식을 사용하여 나노선을 형성하고, 이를 채널로 이용하는 나노선 트랜지스터(nanowire transistor)의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 기판 상부에 제1도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴을 포함하는 결과물 전면에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴 상부의 상기 제1절연막 상에 나노선을 이용하여 채널을 형성하는 단계; 상기 채널 양끝단과 접하도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 채널과 상기 소스 및 드레인 전극을 포함하는 결과물 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트절연막 상에 상기 제1도전막패턴과 연결되도록 제2도전막패턴을 형성하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노선 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020090051827A

公开(公告)日：2009-05-25

申请号：KR1020070118242

申请日：2007-11-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 주병권 ,  권재홍 ,  정진욱 ,  서정훈 ,  신상일

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L21/02603 ,  H01L29/42392

Abstract: 본 발명은 SPM(Scanning Probe Microscope) 리소그라피 방식을 사용하여 나노선을 형성하고, 이를 채널로 이용하는 나노선 트랜지스터(nanowire transistor)의 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 기판 상부에 제1도전막패턴을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴을 포함하는 결과물 전면에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막패턴 상부의 상기 제1절연막 상에 나노선을 이용하여 채널을 형성하는 단계; 상기 채널 양끝단과 접하도록 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 채널과 상기 소스 및 드레인 전극을 포함하는 결과물 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트절연막을 형성하는 단계 및 상기 게이트절연막 상에 상기 제1도전막패턴과 연결되도록 제2도전막패턴을 형성하여 상기 채널을 둘러싸는 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노선 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
SPM, 나노선, 프루브

Abstract translation: 本发明涉及使用扫描探针显微镜（SPM）光刻方法来制造纳米线晶体管以形成纳米线并使用纳米线作为沟道的方法，为此， 形成图案; 在包括第一导电膜图案的所得结构的整个表面上形成第一绝缘膜; 在第一导电膜图案上的第一绝缘膜上使用纳米线形成沟道; 形成源极和漏极与通道两端接触; 在包括沟道和源极和漏极的所得结构的整个表面上形成第二绝缘层; 信道，以形成第二导电膜图案，使得所述第二绝缘膜上并且连接到在所述第一阶段和所述栅极绝缘膜的图案在第一导电层被选择性地蚀刻，以形成围绕所述信道是栅极绝缘膜的第一绝缘膜 并且形成围绕栅电极的栅电极。