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公开(公告)号：KR101862976B1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：KR1020170001378
申请日：2017-01-04
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/8238 , H01L51/05 , H01L27/092 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/8238 , H01L21/02148 , H01L27/092 , H01L51/0508
Abstract: 본발명은유기시모스인버터및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른유기시모스인버터는기판(10), 기판(10)의일면에하프늄티타늄옥사이드(HfTiO)로형성된기저층(21), 및기저층(21) 상에엔-도데실포스포닉엑시드(n-dodecylphosphonic acid, PA-C12)로형성된자기조립층(22)을포함하는절연층(20), 절연층(20) 상의소정의영역에, 제1 유기물이증착되어형성되는제1 채널층(30), 절연층(20) 상에, 제1 채널층(30)의일측에에접촉하여배치되도록, 제2 유기물이증착되어형성되는제2 채널층(40), 및제1 전극(51), 제2 전극(55), 및제3 전극(58)을포함하고, 제1 채널층(30), 및제2 채널층(40) 상에배치되는전극부(50)을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160038353A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140131193
申请日：2014-09-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: C09K11/06 , C07D307/78 , C07D471/04 , H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5296 , H01L51/56
Abstract: 본발명은게이트전극; 유기막; 및소스전극및 드레인전극을포함하는유기발광트랜지스터에관한것으로, 상기유기막은전자수송층은 N,N'-디트리데실페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실릭디이미드화합물을, 상기홀 수송층은구리프탈로시아닌화합물을포함하는것을특징으로함으로써, 공기중에서도전계이동도및 정공과전자의이동도균형이우수할뿐만아니라, 안정성이더욱향상되었다.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机发光晶体管，包括：栅电极; 有机膜; 源电极和漏电极，其中有机膜具有包含N，N'-二（三联苯基）苝-3,4,9,10-四羧酸二酰亚胺化合物的电子转移层和包含铜酞菁化合物的空穴转移层 从而即使在空气中也不仅具有优异的场效应迁移率和空穴和电子迁移率的平衡，而且具有改进的稳定性。
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公开(公告)号：KR1020130030100A
公开(公告)日：2013-03-26
申请号：KR1020110093642
申请日：2011-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: B82Y20/00 , Y10T29/49826
Abstract: PURPOSE: An optical device and a method for controlling a processing direction of light from the optical device are provided to control the processing direction of the light by changing a size and shape of the optical device. CONSTITUTION: An optical device(100) includes a substrate(110), a metal layer(120) on the substrate, and one or more nanostructures in the metal layer. The metal layer is applied to the substrate. The nanostructures are patterned on the metal layer. The nanostructures include a first nanostructure(130) and a second nanostructures(135). The first nanostructure includes a light source(131). The second nanostructure is separated from the first nanostructure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制来自光学装置的光的处理方向的光学装置和方法，以通过改变光学装置的尺寸和形状来控制光的处理方向。 构成：光学装置（100）包括衬底（110），衬底上的金属层（120）以及金属层中的一个或多个纳米结构。 将金属层施加到基板上。 纳米结构在金属层上图案化。 纳米结构包括第一纳米结构（130）和第二纳米结构（135）。 第一纳米结构包括光源（131）。 第二纳米结构与第一纳米结构分离。
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公开(公告)号：KR101081816B1
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：KR1020090045580
申请日：2009-05-25
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/772 , H01L51/30
Abstract: 나아가, 본발명의특정한화합물을사용하여유기막을증착한후 특정한온도에서열처리를수행하는경우전계이동도를비약적으로향상시킬수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110085833A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100060154
申请日：2010-06-24
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Inventor： 최종호
CPC classification number: H01L51/5296 , H01L2251/56
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an organic light emitting transistor is provided to deposit an electron transport layer and a hole transport layer by a specific compound, thereby increasing electric field mobility in the air. CONSTITUTION: A gate electrode(201) is formed in the lower part of a substrate(200). The substrate is inserted into a cluster beam deposition chamber. An evaporated compound is supplied into the cluster beam deposition chamber. A hole transport layer(203) is deposited on an electron transport layer. A source electrode(204) and a drain electrode(205) are formed on the hole transport layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造有机发光晶体管的方法，以通过特定化合物沉积电子传输层和空穴传输层，从而增加空气中的电场迁移率。 构成：在基板（200）的下部形成有栅电极（201）。 将基板插入聚束束沉积室。 将蒸发的化合物供应到聚束束沉积室中。 空穴传输层（203）沉积在电子传输层上。 源极电极（204）和漏电极（205）形成在空穴传输层上。
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公开(公告)号：KR100886723B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070017132
申请日：2007-02-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
Abstract: 유기박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따르는 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 평평한 유전체층의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계; 노즐을 구비한 도가니 내부에 테트라센 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 테트라센 화합물을 증기화하는 단계; 상기 테트라센 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계; 상기 유전체층의 상부에 상기 테트라센 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 온도에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터 빔 증착법을 이용하여 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 절연층의 표면에 유기물이 균일하게 증착될 수 있다.
유기박막 트랜지스터, 테트라센, 클러스터 빔 증착-
公开(公告)号：KR100858929B1
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：KR1020070017147
申请日：2007-02-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 유기박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따르는 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 평평한 유전체층의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계; 노즐을 구비한 도가니 내부에 올리고티오펜 유도체 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 올리고티오펜 유도체 화합물을 증기화하는 단계; 상기 올리고티오펜 유도체 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계; 상기 유전체층의 상부에 상기 올리고티오펜 유도체 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 실온에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터 빔 증착법을 이용하여 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 절연층의 표면에 유기물이 균일하게 증착될 수 있다.
유기박막 트랜지스터, 올리고티오펜 유도체, 클러스터 빔 증착Abstract translation: 公开了一种有机薄膜晶体管的制造方法。 根据本发明的用于制造有机薄膜晶体管的方法包括以下步骤：通过将表面活性剂施加到平坦介电层的表面来形成自组装单层（SAM）的步骤; 形成在目标蒸气噻吩衍生物化学的方法，包括提高具有设置的噻吩衍生物的喷嘴的坩埚内，并通过用自组装单分子电介质膜施加2至15V的电压施加到所述炉中的寡核苷酸以上; 低聚噻吩衍生物化合物的蒸气通过坩埚的喷嘴形成团簇; 在20〜30℃的室温下，在电介质层上蒸镀低聚噻吩衍生物化合物的蒸气，形成有机层， 和形成源电极和所述有机层的顶部上的漏电极;向;以及，通过使用簇束蒸镀法提高有机薄膜的结晶度，而栅极绝缘使用表面活性剂的生长成为由有机薄膜 有机材料可以均匀地沉积在层的表面上。
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公开(公告)号：KR100848151B1
公开(公告)日：2008-07-28
申请号：KR1020070019271
申请日：2007-02-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 유기 발광 표시 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 기판 상에 형성된 양극; 상기 양극 상부에 형성된 유기막; 및 상기 유기막의 상부에 형성된 음극을 포함하는 유기 발광 표시 패널에 있어서, 상기 유기막은 하부로부터 순차적으로 적층된 버퍼층, 홀 수송층 및 발광층을 포함하며, 상기 홀 수송층은 MEH-PPV 및 상기 MEH-PPV를 기준으로 0.2∼0.5중량%의 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 패널에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 패널은 홀의 이동도가 우수하기 때문에 전류밀도가 높고 턴온 전압이 낮아서 소자의 성능이 우수하다는 장점이 있다.
유기 발광 표시 패널, MEH-PPV, 단일벽 탄소나노튜브-
公开(公告)号：KR100824045B1
公开(公告)日：2008-04-22
申请号：KR1020060041736
申请日：2006-05-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Inventor： 최종호 , 피.스예드아브타지르 , 정선화 , 서훈석
IPC: H01L29/786
Abstract: 펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다.
본 발명에 따르는 펜타센 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 진공챔버의 내상측에 기판을 고정시키고, 진공챔버의 내하측에 배치된 크루서블의 내부에 있는 펜타센을 가열하는 단계(S1단계);
상기 가열된 펜타센이 승화되어 상기 크루서블의 상부에 구비된 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계(S2단계); 및
상기 기판은 상온으로 유지되는 동시에 그 하부에 상기 클러스터가 충돌하며 균일하게 증착되는 단계(S3단계);를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터빔 증착방법을 이용하여 피증착물을 가열하지 않고 또한, 별도의 추가적인 공정 없이 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 유전층의 표면에 결정도가 높은 유기박막이 균일하게 증착될 수 있다.
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