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公开(公告)号：KR1020080036984A
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020087000784
申请日：2006-08-18
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4602 , H05K3/4626 , H05K3/4673 , H05K2201/0116 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254
Abstract: A multilayered circuit board which is provided with a low-permittivity interlayer insulating film, and which can significantly improve the performance such as signal transmission characteristics of the multilayered circuit board such as a package and a printed board, because the surface in contact with the interlayer insulating film of the circuit board has no unevenness to eliminate the lowering of production yield and the deterioration of high-frequency signal transmission characteristics; and electronic equipment using the circuit board. The multilayered circuit board (10) comprises, mounted on a substrate, a plurality of wiring layers and a plurality of insulating layers positioned between the plurality of wiring layers, wherein at least part of the plurality of insulating layers are composed of a porous insulating layer (1) containing at least any of materials selected from a porous material group consisting of porous material, aerogel, porous silica, porous polymer, hollow silica and hollow polymer, and a non-porous insulating layer (2) that is the porous insulating layer (1) not containing the porous material group on at least one surface thereof. This multilayered circuit board is used in electronic equipment.
Abstract translation: 具有低介电常数层间绝缘膜的多层电路板，能够显着地提高诸如封装和印刷电路板的多层电路板的信号传输特性等性能，因为与中间层 电路板的绝缘膜没有不均匀性，消除了生产成本的降低和高频信号传输特性的恶化; 和使用电路板的电子设备。 多层电路板（10）包括安装在基板上的多个布线层和位于多个布线层之间的多个绝缘层，其中多个绝缘层的至少一部分由多孔绝缘层 （1），其含有选自由多孔质材料，气凝胶，多孔二氧化硅，多孔聚合物，中空二氧化硅和中空聚合物构成的多孔质材料组中的至少任意一种材料，以及作为多孔绝缘层的无孔绝缘层（2） （1）在其至少一个表面上不含多孔材料组。 该多层电路板用于电子设备。
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公开(公告)号：KR1020080034119A
公开(公告)日：2008-04-18
申请号：KR1020087000427
申请日：2006-07-12
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 가부시키가이샤 니혼 세라떽꾸
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C4/00 , B08B3/02 , B08B3/12 , B08B2203/0288 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C16/405 , C23C16/545 , C23C26/00 , C23C28/04 , Y10T428/25 , Y10T428/252
Abstract: It has been difficult to provide a large-sized ceramic member quickly and economically. A multilayer structure is produced by forming a ceramic film on a base which is made of a material that can be shaped comparatively easily. The ceramic film is formed by a plasma spraying method, CVD method, PVD method, sol-gel method or the like. Alternatively, the ceramic film may be formed by a method combined with a spray deposit film.
Abstract translation: 很难快速，经济地提供大型陶瓷件。 通过在可以相对容易地成形的材料制成的基底上形成陶瓷膜来制造多层结构体。 陶瓷膜通过等离子喷涂法，CVD法，PVD法，溶胶 - 凝胶法等形成。 或者，陶瓷膜可以通过与喷雾沉积膜结合的方法形成。
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公开(公告)号：KR1020080024129A
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020077029218
申请日：2006-06-16
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L29/045
Abstract: A semiconductor device is provided with a semiconductor layer (SOI layer) arranged on an SOI substrate, and a gate electrode arranged on the SOI layer. The semiconductor device is also provided with at least a MOS transistor of one type which is normally off by setting the thickness of the SOI layer to have the thickness of a depletion layer due to work function difference between the gate electrode and the SOI layer larger than the thickness of the SOI layer. ® KIPO & WIPO 2008
Abstract translation: 半导体器件设置有布置在SOI衬底上的半导体层（SOI层）和布置在SOI层上的栅电极。 半导体器件还设置有至少一种类型的MOS晶体管，其通常通过将SOI层的厚度设置为具有由于栅电极和SOI层之间的功函数差而具有耗尽层的厚度的常规关闭 SOI层的厚度。 ®KIPO＆WIPO 2008
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公开(公告)号：KR1020070098905A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020077018250
申请日：2006-01-17
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: G01R27/02
Abstract: In a method for measuring an electronic device which is an object to be measured, a passive element is connected to the electronic device in parallel, and electric parameters of the electronic device are extracted by measuring an impedance of the entire circuit.
Abstract translation: 在作为测量对象的电子设备的测量方法中，无源元件并联连接到电子设备，并且通过测量整个电路的阻抗来提取电子设备的电参数。
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公开(公告)号：KR1020070013360A
公开(公告)日：2007-01-30
申请号：KR1020077000401
申请日：2005-07-11
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 스텔라 케미파 코포레이션
IPC: H01L21/304 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02063
Abstract: Disclosed is a process liquid which causes only little dissolution of atoms from a semiconductor surface and enables to form a clean and flat semiconductor surface. Also disclosed are a processing method and an apparatus for manufacturing a semiconductor. Specifically disclosed is a process liquid which causes only little dissolution of atoms from a semiconductor surface by using an aqueous solution containing at least one alcohol or ketone, thereby realizing a clean and flat surface. ® KIPO & WIPO 2007
Abstract translation: 公开了一种处理液体，其仅使半导体表面的原子几乎不溶解，并且能够形成清洁且平坦的半导体表面。 还公开了一种用于制造半导体的处理方法和装置。 具体公开了一种处理液体，其通过使用含有至少一种醇或酮的水溶液使半导体表面的原子几乎不溶解，从而实现清洁平坦的表面。 ®KIPO＆WIPO 2007
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101306514B1
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：KR1020087000427
申请日：2006-07-12
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 가부시키가이샤 니혼 세라떽꾸
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: C23C4/00 , B08B3/02 , B08B3/12 , B08B2203/0288 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C16/405 , C23C16/545 , C23C26/00 , C23C28/04 , Y10T428/25 , Y10T428/252
Abstract: 대형 세라믹스 부재를 신속하고 또한 경제적으로 제공하는 것은 곤란한 상황이 되어 있다. 비교적 제조하기 쉬운 재료에 의해 형성된 기재 상에, 세라믹스 막을 제막함으로써, 다층 구조체를 구성한다. 세라믹스막은 플라즈마 용사, CVD, PVD 또는 졸·겔법 등 또는 용사막과의 조합에 의한 방법에 의해 성막된다.
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公开(公告)号：KR101259210B1
公开(公告)日：2013-04-29
申请号：KR1020087000784
申请日：2006-08-18
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4602 , H05K3/4626 , H05K3/4673 , H05K2201/0116 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254
Abstract: 다층 회로 기판에 있어서, 저유전율 층간 절연막을 구비하고, 그 층간 절연막과 접하는 표면은, 요철이 없고, 제조 수율의 저하나 고주파 신호의 전송 특성의 열화를 일으키는 경우가 없기 때문에, 패키지나 프린트 기판 등의 다층 회로 기판의 신호 전달 특성 등의 성능을 현격히 향상시킬 수 있는 다층 회로 기판과 그것을 이용한 전자기기를 제공한다. 기재 상에 복수의 배선층과 상기 복수의 배선층 사이에 위치하는 복수의 절연층을 갖는 다층 회로 기판 (10) 에 있어서, 상기 복수의 절연층 중의 적어도 일부는, 다공질체, 에어로겔, 다공질 실리카, 다공성 폴리머, 중공 실리카, 중공 폴리머로 이루어지는 다공질 재료군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 재료를 함유하는 다공질 절연층 (1) 과, 상기 다공질 절연층 (1) 의 적어도 일면이 상기 다공질 재료군을 함유하지 않는 비다공질 절연층 (2) 으로 구성되어 있다. 전자기기는 이 다층 회로 기판을 이용한다.
비다공질 절연층, 합성 수지,-
公开(公告)号：KR1020140090684A
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020147016106
申请日：2012-11-16
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/8238 , H01L21/8247 , H01L27/092 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/42364 , H01L21/28008 , H01L21/28211 , H01L21/28238 , H01L21/28273 , H01L21/302 , H01L21/30604 , H01L21/3247 , H01L21/823857 , H01L27/092 , H01L29/1033 , H01L29/4238 , H01L29/78 , H01L29/7881 , H01L29/7812 , H01L29/7813
Abstract: 종래의 반도체 장치의 게이트 절연막은, 반도체층측 계면과 전극측 계면 중의 적어도 어느 일방의 요철이 크기 때문에, 게이트 절연막에 인가되는 전계에 국소적 집중이 일어나거나, 그 강도에 편차가 발생하거나 하여 낮은 전계 강도에서 절연 파괴를 일으켜 사용 수명이 짧았다. 이 과제는 게이트 절연막의 양 계면의 요철 크기를 특정화함으로써 해결된다.
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公开(公告)号：KR101346919B1
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020070030231
申请日：2007-03-28
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 니찌아스 카부시키카이샤
CPC classification number: B32B1/08 , B29K2027/12 , B29K2995/0067 , B29L2023/005 , B32B27/08 , B32B27/304 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B2307/7244 , B32B2597/00 , C08L27/16 , Y10T428/139 , Y10T428/1393 , C08L2666/04
Abstract: 수지 관에 있어서, 불소수지인 PVDF 가 퍼플루오로모노머를 첨가함으로써 연화되어서, 산소 투과도는 현저하게 감소될 수 있다. 산소 투과도는 외부층으로서 나일론관을 제공함으로써 또한 감소될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100882167B1
公开(公告)日：2009-02-06
申请号：KR1020077000401
申请日：2005-07-11
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 스텔라 케미파 코포레이션
IPC: H01L21/304 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02063
Abstract: 본 발명의 목적은 반도체 표면의 원자 용출이 적고, 청정하고 또한 평탄한 반도체 표면을 제작할 수 있는 처리액, 처리 방법 및 반도체 제조 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명은 알코올류 또는 케톤류 중 적어도 1 종류를 함유하는 수용액을 이용함으로써, 반도체 표면으로부터의 용출이 적은 처리 및 청정하고 또한 평탄한 표면을 실현하는 처리액, 처리 방법 및 반도체 제조 장치가 얻어진다.
반도체 표면, 원자 용출량, 평균선 조도
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