公开(公告)号：KR101431415B1

公开(公告)日：2014-08-18

申请号：KR1020137029223

申请日：2006-08-29

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 오미다다히로 ,  나카야마쇼조 ,  이토히로노리

IPC: C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/243 ,  C23C14/56 ,  C23C14/562 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/56

Abstract: 유기 EL 원료 등의 성막용 재료를 추정하는 방법에 있어서, 증발량 (V (％)) 이 V ＝ (Ko/P) × e
-Ea/kT (단, Ko 는 상수 (％·Torr), P 는 압력 (Torr), Ea 는 활성화 에너지 (eV), k 는 볼츠만 상수, T 는 절대 온도) 로 나타내어지는 성막용 재료를 상기 상수 (Ko) 의 값과 상기 활성화 에너지 (Ea) 의 값에 의해 추정한다.

公开(公告)号：KR101256035B1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：KR1020077027994

申请日：2006-06-20

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단

Inventor： 오미다다히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 저유전율이고 또한 CFx, SiF
4 등의 가스 발생이 없어 안정적인 반도체 장치의 층간 절연막과 그것을 구비한 배선 구조를 제공한다. 하지층 상에 형성된 절연막을 구비한 층간 절연막에 있어서, 상기 층간 절연막은, 실효 유전률이 3 이하이다. 배선 구조는, 층간 절연막과, 층간 절연막에 형성된 컨택트 홀과, 상기 컨택트 홀 내에 충전된 금속을 구비하고, 상기 절연막은, 상기 하지층 상에 형성된 제 1 플루오로카본막과, 상기 제 1 플루오로카본막 상에 형성된 제 2 플루오로카본막을 구비하고 있다.
층간 절연막, 배선 구조, 플루오로카본막, 컨택트 홀

公开(公告)号：KR101104514B1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: (요약) 막의 이동도를 높여 고주파 전력을 서셉터에 인가할 때, 유도 자장의 발생을 상쇄한다.
(해결 수단) 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 처리 용기 내에 마련되고, 기판 G를 탑재하는 서셉터(105)와, 서셉터(105)의 동일 원주상에 마련된 세 개의 위치 P1~P3에서 서셉터에 접촉하는 세 개의 급전봉 B1~B3과, 세 개의 급전봉 B1~B3에 접속되고, 세 개의 급전봉 B1~B3을 통해서 셋 이상의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(130)을 포함한다. 서셉터(105)의 동일 원주상의 세 개의 위치 P에서 서셉터(105)에 세 개의 급전봉 B1~B3을 접촉시킨다. 세 개의 급전봉 B1~B3에 고주파 전원(130)을 접속하고, 고주파 전원(130)으로부터 출력된 고주파 전력을 세 개의 급전봉 B를 통해서 세 개의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 공급한다.

Abstract translation: （总结）当​​通过增加膜的迁移率将高频功率施加到基座时，感应磁场的产生被抵消。

公开(公告)号：KR101032286B1

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020087017870

申请日：2006-12-20

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단

Inventor： 오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  와타나베가즈후미

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: CMOS 회로에 있어서의 상승 및 하강 동작 속도를 동일하게 하기 위해서는, 그 캐리어 이동도의 차이로부터, p 형 MOS 트랜지스터와 n 형 MOS 트랜지스터의 면적을 다르게 할 필요가 있다. 이 면적의 언밸런스에 의해 반도체 장치의 집적도 향상이 방해되었다. NMOS 트랜지스터와 PMOS 트랜지스터를 (100) 면 및 (110) 면의 쌍방에 채널 영역을 구비한 삼차원 구조를 취하고, 양 트랜지스터의 채널 영역 및 게이트 절연막의 면적이 서로 동일해지도록 구성한다. 이로써, 게이트 절연막 등의 면적을 상호 동일하게 함과 함께, 게이트 용량도 동일하게 할 수 있다. 또한, 기판상의 집적도를 종래의 기술과 비교한 경우에 2 배로 향상시킬 수 있다.
반도체 장치

Abstract translation: 为了使CMOS电路中的上升和下降操作速度相同，p型MOS晶体管和n型MOS晶体管需要具有不同的面积。 该区域的不平衡阻碍了半导体器件集成度的提高。 NMOS晶体管和PMOS晶体管被配置为具有在（100）平面和（110）平面上都具有沟道区的三维结构，并且两个晶体管的沟道区和栅极绝缘膜具有相同的面积。 因此，可以使栅极绝缘膜等的面积彼此相等，并且可以使栅极电容相同。 另外，当将基板上的集成度与常规技术进行比较时，集成度可以加倍。

公开(公告)号：KR101011961B1

公开(公告)日：2011-01-31

申请号：KR1020077023939

申请日：2006-03-28

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  나카야마쇼조 ,  이토히로노리

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 분사 용기에 유기 EL 분자 가스를 분사하는 구성을 구비한 성막 장치에 있어서, 복수의 유기 EL 원료 용액과, 복수의 유기 EL 원료 용기와 분사 용기를 접속하는 배관계를 갖고, 복수의 유기 EL 원료 용기는 선택적으로 유기 EL 분자 공급 상태가 되고, 당해 배관계는, 각 유기 EL 원료 용기 내에, 성막시와 비성막시가 동일한 압력이 되도록 수송 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 비성막시, 수송 가스는 유기 EL 원료 용기의 하나로부터 다른 원료 용기로 흐른다.
성막 장치, 분사 용기, 배관계, 기화 수단

公开(公告)号：KR100990060B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020087008125

申请日：2006-09-05

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  나카야마쇼조 ,  이토히로노리

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L51/001 ,  C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/568 ,  H01L51/56

Abstract: 고가의 유기 EL 원료를 낭비 없이 이용함과 함께, 유기 EL 막을 장시간에 걸쳐 균일하게 성막할 수 있는 성막 장치 및 그것을 위한 지그를 제공한다. 단일한 원료 용기부에 대해, 복수의 취출 용기를 구비하고, 원료 용기부의 유기 EL 원료를 기화시켜 캐리어 가스와 함께 각 취출 용기에 공급하는 배관계를 다른 취출 용기의 배관계로 전환하는 전환기를 구비하고 있다. 이와 같이, 복수의 취출 용기에 대해, 단일한 원료 용기부로부터 유기 EL 원료를 전환 공급함으로써, 유기 EL 원료의 이용 효율을 개선할 수 있다.
유기 EL 장치, 성막 장치, 배관계, 전환기, 이용 효율, 캐리어 가스

公开(公告)号：KR100942106B1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：KR1020077028517

申请日：2006-06-07

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  혼다미노루 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 피처리체 표면의 실리콘에 대하여, 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 형성되는 질소 함유 가스의 마이크로파 여기 고밀도 플라즈마를 작용시켜서, 500℃ 이상의 처리 온도에서 질화 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR1020090031746A

公开(公告)日：2009-03-27

申请号：KR1020097001448

申请日：2007-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: G01R29/08 ,  G01R21/04

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  C23C16/52 ,  G01R1/24 ,  H01J37/32211 ,  H05H1/46

Abstract: [PROBLEMS] To accurately measure a standing wave as an index to identify the waveguide length Ug in a waveguide. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] By detecting temperature distribution of a conductive member constituting at least a part of a pipe wall of a waveguide in the longitudinal direction of the waveguide for propagation of an electromagnetic wave, a standing wave generated in the waveguide is measured according to the temperature distribution. The temperature distribution of the conductive member in the longitudinal direction of the waveguide can be accurately measured by temperature sensors arranged in the longitudinal direction of the waveguide, or a temperature sensor moving in the longitudinal direction of the waveguide, or an infrared camera.

Abstract translation: [问题]准确测量驻波作为波导中波导长度Ug的指标。 [解决问题的手段]通过检测构成波导管壁的至少一部分的导电构件在波导的纵向上的传播电磁波的温度分布，在波导中产生的驻波根据 到温度分布。 可以通过布置在波导的纵向的温度传感器或者在波导的纵向方向上移动的温度传感器或红外线照相机来精确地测量导电构件在波导的纵向方向上的温度分布。

公开(公告)号：KR1020080046285A

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020087009253

申请日：2006-10-06

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: A magnetron sputtering apparatus enabling improvement of the film-forming speed by increasing the erosion density on the target at every movement and prolongation of the target life by realizing uniform consumption of the target by moving the erosion region with time. Plate magnets (3) are arranged around a columnar rotary shaft (2). A high-density erosion region is formed on a target (1) by rotating the columnar rotary shaft (2) so as to increase the film-forming speed. Since the erosion region is moved with rotation of the columnar rotary shaft (2), the target (1) is consumed uniformly.

Abstract translation: 一种磁控溅射装置，其能够通过随着时间移动侵蚀区域而实现目标的均匀消耗，通过增加目标的每次移动和延长目标寿命时的侵蚀密度来提高成膜速度。 板状磁体（3）围绕柱状旋转轴（2）布置。 通过旋转柱状旋转轴（2），在靶（1）上形成高密度腐蚀区域，以提高成膜速度。 由于侵蚀区域随着柱状旋转轴（2）的旋转而移动，所以目标（1）被均匀地消耗。

公开(公告)号：KR1020080030100A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020087004094

申请日：2006-08-04

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: C23C16/511 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: Provided is a plasma processing apparatus which can perform uniform processing even when a substrate to be processed has a large area. The plasma processing apparatus propagates microwaves introduced into wave guide tubes (102) to dielectric plates (104) through slots (103), and performs plasma processing to the surface of the substrate (107) by converting a gas supplied into a vacuum container (101) into the plasma state. In the plasma processing apparatus, a plurality of waveguide tubes (102) are arranged in parallel, a plurality of dielectric plates (104) are arranged for waveguide tubes (102), respectively, and partitioning members (106) formed of a conductor and grounded are arranged between the adjacent dielectric plates (104). The in-tube wavelength of the waveguide tube (102) is adjusted to be an optimum value by vertically moving a plunger (111). Furthermore, unintended plasma generation is eliminated in a space between the dielectric plate and the adjacent member, and stable plasma can be efficiently generated. As a result, high-speed and uniform processings, such as etching, form forming, cleaning, ashing, can be performed.

Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置，即使在待处理基板面积大的情况下也能够进行均匀的处理。 等离子体处理装置通过槽（103）将引入导波管（102）的微波传播到电介质板（104），通过将供给到真空容器（101）的气体进行转换，对基板（107）的表面进行等离子体处理 ）进入等离子体状态。 在等离子体处理装置中，多个波导管（102）平行配置，分别配置有用于波导管（102）的多个电介质板（104）和由导体形成的分隔部件（106） 布置在相邻的电介质板（104）之间。 通过垂直移动柱塞（111）将波导管（102）的管内波长调节为最佳值。 此外，在电介质板和相邻构件之间的空间中消除了意外的等离子体产生，并且可以有效地产生稳定的等离子体。 结果，可以进行诸如蚀刻，成形，清洁，灰化等高速均匀的处理。