公开(公告)号：KR101555592B1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：KR1020140026516

申请日：2014-03-06

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 석철균 ,  윤의준 ,  김치연

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본발명의인듐안티모나이드(InSb)의건식식각방법은아르곤가스와질소가스를식각가스로사용하고, 상기식각가스를플라즈마화하여플라즈마중의이온및 라디칼에의해식각하는단계, 아르곤가스를사용하여고속식각후, 아르곤과질소혼합가스에의해추가식각, 질소가스를사용하는최종식각공정을단계적으로진행하는것을포함한다. 이로부터, 빠른식각속도와함께편평한표면거칠기와낮은결함발생을나타내는우수한식각특성을갖는인듐안티모나이드가제공됨으로써, 중적외선검출소자(Infrared photodetector) 및초고속,저전력을요구하는반도체소자(High speed & Low power consumption device) 등에유용하게사용되는특징을갖는다.

公开(公告)号：KR101389394B1

公开(公告)日：2014-04-25

申请号：KR1020120100262

申请日：2012-09-11

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 김치연 ,  차경환

IPC: B24B19/00 ,  B24B41/06

Abstract: 본 발명의 적외선 센서 후면 연마 및 이를 위한 연마 방법은 와이어 본딩 패드(3, Wire Bonding Pad)를 갖춘 신호취득회로(2, Read-Out Integrated Circuit) 와 검출배열소자(1)가 결합되며, 검출배열소자(1)의 한쪽 면이 양자효율(QE; Quantum Efficiency)이 최적화되는 두께로 연마될 때, 검출배열소자(1)와 신호취득회로(2)의 4측면이 보조기판(20, Dummy Wafer)으로 에워싸인 상태에서 연마가 수행되고, 후면 연마 시 검출배열소자(1)에서 연마된 물질이 검출배열소자(1)의 주변에 배치된 보조 기판(20)으로 나가도록 유도함으로써 볼타입 결함(Ball type Defect)이 형성되지 않고, 또한 보조 기판(20)을 이용함으로써 투입된 화학물질에 의한 신호취득회로(2)의 와이어 본딩 패드(3)의 손상(Damage)도 방지되는 특징을 갖는다.