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公开(公告)号：KR1020150104779A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140026516
申请日：2014-03-06
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/76825
Abstract: 본 발명의 인듐안티모나이드(InSb)의 건식 식각 방법은 아르곤 가스와 질소 가스를 식각 가스로 사용하고, 상기 식각 가스를 플라즈마화하여 플라즈마 중의 이온 및 라디칼에 의해 식각하는 단계, 아르곤 가스를 사용하여 고속 식각 후, 아르곤과 질소 혼합 가스에 의해 추가 식각, 질소 가스를 사용하는 최종 식각 공정을 단계적으로 진행하는 것을 포함한다. 이로부터, 빠른 식각 속도와 함께 편평한 표면 거칠기와 낮은 결함발생을 나타내는 우수한 식각 특성을 갖는 인듐안티모나이드가 제공됨으로써, 중적외선 검출소자(Infrared photodetector) 및 초고속,저전력을 요구하는 반도체 소자(High speed & Low power consumption device) 등에 유용하게 사용되는 특징을 갖는다.
Abstract translation: 本发明的InSb的干蚀刻方法包括以下步骤：使用氩气和氮气作为蚀刻气体，并将蚀刻气体转化成等离子体，以在等离子体中由离子和自由基进行蚀刻; 并且在使用氩气的快速蚀刻之后，通过氩气和氮气的混合物和使用氮气的最终蚀刻工艺逐渐进行附加的蚀刻工艺。 因此，提供了具有优异的蚀刻性能以显示平坦表面粗糙度和低故障发生的InSb以及快速蚀刻速度，其有效地用于半导体器件中以需要中红外光电检测器和高速度和低功率 ，等等。
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公开(公告)号：KR1020160032845A
公开(公告)日：2016-03-25
申请号：KR1020140123436
申请日：2014-09-17
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L31/02162 , H01L31/02168 , H01L31/035281 , H01L31/18 , Y02E10/50 , H01L31/0236 , H01L31/04
Abstract: 본발명의일실시예에따른플라즈몬구조를이용한수광소자는, 반도체기판; 상기반도체기판의상단표면상에돌출되는특정패턴형태를갖는다수의수광부; 및상기다수의수광부사이에걸치며, 상기반도체기판의상단표면상에접촉배치되고, 상면에플라즈몬현상을유도하는나노패턴을갖는나노구조물;을포함하는것을특징으로할 수있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，使用等离子体激元结构的光接收元件包括：半导体衬底; 多个具有从半导体衬底的上表面突出的特定图案的光接收部分; 以及悬置在多个光接收部中并与半导体衬底的上表面接触并且在上表面上引起等离子体现象的纳米结构。
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公开(公告)号：KR101673454B1
公开(公告)日：2016-11-07
申请号：KR1020140123436
申请日：2014-09-17
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0236 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L31/02162 , H01L31/02168 , H01L31/035281 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 본발명의일실시예에따른플라즈몬구조를이용한수광소자는, 반도체기판; 상기반도체기판의상단표면상에돌출되는특정패턴형태를갖는다수의수광부; 및상기다수의수광부사이에걸치며, 상기반도체기판의상단표면상에접촉배치되고, 상면에플라즈몬현상을유도하는나노패턴을갖는나노구조물;을포함하는것을특징으로할 수있다.
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公开(公告)号：KR101555592B1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：KR1020140026516
申请日：2014-03-06
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본발명의인듐안티모나이드(InSb)의건식식각방법은아르곤가스와질소가스를식각가스로사용하고, 상기식각가스를플라즈마화하여플라즈마중의이온및 라디칼에의해식각하는단계, 아르곤가스를사용하여고속식각후, 아르곤과질소혼합가스에의해추가식각, 질소가스를사용하는최종식각공정을단계적으로진행하는것을포함한다. 이로부터, 빠른식각속도와함께편평한표면거칠기와낮은결함발생을나타내는우수한식각특성을갖는인듐안티모나이드가제공됨으로써, 중적외선검출소자(Infrared photodetector) 및초고속,저전력을요구하는반도체소자(High speed & Low power consumption device) 등에유용하게사용되는특징을갖는다.
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