公开(公告)号：KR1020160016857A

公开(公告)日：2016-02-15

申请号：KR1020157035419

申请日：2014-06-02

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 이카라시고키 ,  노나카슈헤이 ,  미츠나가도시카츠 ,  히로츠루히데키 ,  시이바미츠루

IPC: C04B35/583 ,  C04B38/00 ,  C04B41/00 ,  C04B41/48 ,  C04B41/49 ,  C04B41/83 ,  H01L23/14 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03

CPC classification number: C04B41/84 ,  C04B35/583 ,  C04B41/009 ,  C04B41/48 ,  C04B41/4853 ,  C04B41/4905 ,  C04B41/4961 ,  C04B41/83 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9607 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3737 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0373 ,  H05K2201/0209 ,  H01L2924/00 ,  C04B38/00

Abstract: 본발명은열전도율및 강도가뛰어난수지함침질화붕소소결체및 전도율이뛰어나고열전도율의이방성이작은수지함침질화붕소소결체를제공하는것에있다. 본발명에의하면질화붕소입자가 3차원으로결합된질화붕소소결체 30~90부피%와수지 10~70부피%로이루어지고, 질화붕소소결체의기공률이 10~70%, 질화붕소입자의평균장직경이 10㎛이상, 분말 X선회절법에의한흑연화지수가 4.0 이하이며, I.O.P.에의한배향도가 0.01~0.05 또는 20~100인수지함침질화붕소소결체, 및질화붕소입자가 3차원으로결합된질화붕소소결체 30~90부피%와수지 10~70부피%를함유하여이루어지고, 질화붕소소결체의칼슘함유율이 500~5000ppm, 질화붕소소결체의분말 X선회절법에의한흑연화지수가 0.8~4.0이며, 질화붕소소결체가평균장직경 10㎛이상의인편상질화붕소입자로이루어지고, I.O.P.의배향도가 0.6~1.4인수지함침질화붕소소결체가제공된다.

Abstract translation: 提供具有优良导热性和优异强度的树脂浸渍氮化硼烧结体，以及具有优异导电性和小导热性各向异性的树脂浸渍氮化硼烧结体。 一种树脂浸渍氮化硼烧结体，其包括：三维结合氮化硼颗粒的氮化硼烧结体的30〜90体积％ 和10〜70体积％的树脂; 其中，所述氮化硼烧结体的孔隙率为10〜70％。 氮化硼烧结体的氮化硼粒子的平均长径为10μm以上， 氮化硼烧结体的粉末X射线衍射法的石墨化指数为4.0以下; 氮化硼烧结体的氮化硼粒子的取向度为0.01〜0.05或20〜100; 和树脂浸渍的氮化硼烧结体，其包括：30〜90体积％的氮化硼烧结体，其具有三维结合的氮化硼颗粒; 和10〜70体积％的树脂; 其中：所述氮化硼烧结体的钙含量为500〜5000ppm; 氮化硼烧结体的粉末X射线衍射法的石墨化指数为0.8〜4.0; 氮化硼烧结体包含平均长径为10μm以上的鳞片状氮化硼粒子， 而I.O.P的取向度为0.6〜1.4; 被提供。

公开(公告)号：KR1020140072876A

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020147008050

申请日：2012-09-05

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 이시하라요스케 ,  히로츠루히데키 ,  츠카모토히데오

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30 ,  H01L33/48 ,  H01L33/641 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0075

Abstract: 상이한 재료로 이루어진 복수의 층을 적층해서 이루어지고, III-V족 반도체 결정면에 금속층을 통하여 접합되는 LED 발광 소자 보유 기판용 클래드재로서 선팽창 계수가 14×10
-6 /K 이하이며, 온도 25℃의 열 전도율이 200 W/mK 이상인 클래드재가 개시된다. 특히, 2층의 구리층과 몰리브덴층이 교대로 적층된 3층으로 이루어지고, 몰리브덴층의 비율이 10~60 체적％이며, 2층의 구리층의 두께 차이가 5％ 이하인 클래드재, 혹은 3층의 구리층과 몰리브덴층이 교대로 적층된 5층으로 이루어지고, 몰리브덴층의 비율이 20~70 체적％이며, 상하면의 2층의 구리층 및 몰리브덴층의 두께 차이가 5％ 이하인 클래드재가 개시된다.

公开(公告)号：KR1020090008177A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020087017539

申请日：2007-05-08

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 이와모토고 ,  히로츠루히데키

IPC: C04B35/565 ,  B22D19/00 ,  B24C1/00 ,  H01L23/15

CPC classification number: C04B41/88 ,  B22D19/14 ,  B24C1/045 ,  B26F3/004 ,  C04B35/565 ,  C04B35/6316 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/6583 ,  C22C29/065 ,  H01L21/4878 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24999 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/515 ,  C04B41/53 ,  C04B38/00 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is an aluminum-silicon carbide composite body suitable as a base plate for power modules. Specifically disclosed is an aluminum-silicon carbide composite body obtained by impregnating a plate-like silicon carbide porous body with a metal mainly containing aluminum. This aluminum-silicon carbide composite body is characterized by having an aluminum layer composed of the metal mainly containing aluminum on both major surfaces and not having such an aluminum layer on lateral surfaces. The aluminum-silicon carbide composite body is further characterized in that the lateral surfaces and pore portions are subjected to water jet processing.

Abstract translation: 公开了一种适用于功率模块的基板的铝 - 碳化硅复合体。 具体公开了一种通过用主要含有铝的金属浸渍板状碳化硅多孔体而获得的铝 - 碳化硅复合体。 该铝 - 碳化硅复合体的特征在于，在两个主面上具有由主要含有铝的金属构成的铝层，在侧面不具有这样的铝层。 铝 - 碳化硅复合体的特征还在于侧面和孔部分进行喷水处理。

公开(公告)号：KR1020080077094A

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：KR1020087009808

申请日：2006-11-13

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  이와모토고 ,  츠카모토히데오 ,  미야이아키라 ,  사사키요시오

IPC: C22C29/06

CPC classification number: H01L23/13 ,  C04B35/565 ,  C04B35/71 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9607 ,  C22C1/0475 ,  C22C1/051 ,  C22C29/065 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12389 ,  Y10T428/12479 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249974 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B38/00 ,  H01L2924/00

Abstract: An aluminum/silicon carbide composite that is suitable as a base board for power module. There is provided a base board for power module of aluminum/silicon carbide composite, characterized in that the aluminum/silicon carbide composite is one consisting of a flat-plate silicon carbide porous body impregnated with a metal composed mainly of aluminum, and that only its one major surface has an aluminum layer consisting of a metal composed mainly of aluminum while as another major surface, its backside has exposure of the aluminum/silicon carbide composite, and that the configuration thereof is rectangular or one consisting of a rectangle having, added thereto, a zone surrounding outer circumferential hole portions. Accordingly, plating capability is imparted by disposing the aluminum layer on one major surface; the degree of planarity is enhanced by polishing of the backside so as to realize exposure of the aluminum/silicon carbide composite; and the warpage configuration after polishing of the backside is controlled by regulating the thickness of the aluminum layer.

Abstract translation: 适用于电源模块基板的铝/碳化硅复合材料。 提供了一种用于铝/碳化硅复合材料的功率模块的基板，其特征在于铝/碳化硅复合材料是由主要由铝组成的金属浸渍的平板碳化硅多孔体组成的， 一个主表面具有由主要由铝组成的金属组成的铝层，而作为另一个主表面，其背面具有铝/碳化硅复合材料的曝光，并且其构造为矩形或由其中添加的矩形构成 围绕外周孔部的区域。 因此，通过将铝层设置在一个主表面上来赋予电镀能力; 通过抛光背面来增强平面度，以实现铝/碳化硅复合材料的曝光; 并且通过调节铝层的厚度来控制背面的抛光后的翘曲构造。

公开(公告)号：KR101986860B1

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：KR1020147004522

申请日：2012-07-17

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  츠카모토히데오 ,  이시하라요스케

IPC: H01L23/373 ,  C22C26/00 ,  C22C32/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04

公开(公告)号：KR101721818B1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：KR1020167016156

申请日：2009-07-08

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  츠카모토히데오

IPC: B22D19/00 ,  B22D18/02 ,  C22C1/02 ,  H01L23/373

CPC classification number: C22C26/00 ,  B22F3/26 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/26 ,  C22C1/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/20 ,  H01L2924/00

Abstract: 높은열전도율과반도체소자에가까운열팽창률을겸비하고, 나아가서는반도체소자의히트싱크등으로사용하는데적합하도록표면의도금성및 표면의면 거칠기를개선시킨알루미늄-다이아몬드계복합체를제공한다. 다이아몬드입자와알루미늄을주성분으로하는금속을포함하는평판모양의알루미늄-다이아몬드계복합체로서, 상기알루미늄-다이아몬드계복합체는복합화부및 상기복합화부의양면에마련된표면층으로이루어지고, 상기표면층이알루미늄을주성분으로하는금속을포함하는재료로이루어지며, 상기다이아몬드입자의함유량이상기알루미늄-다이아몬드계복합체전체의 40부피%~70부피%인것을특징으로하는알루미늄-다이아몬드계복합체를제공한다.

Abstract translation: 它提供了一个金刚石类复合-结合的热膨胀接近的高导热性和半导体元件的系数，进而表面要适合用作散热片，例如半导体元件，其中铝也改善表面粗糙度和金星的表面上。 基于金刚石复合物，铝 - 平板状的铝，其包括主要由金刚石颗粒的金属和基于金刚石铝复合材料由设置在复合材料部件和复合部的两侧的表面层的，作为主成分是铝的表面层 其中金刚石颗粒的含量为40体积％至70体积％基于整个铝 - 金刚石基复合材料。

公开(公告)号：KR101696945B1

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：KR1020117020362

申请日：2010-02-08

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  히구마사토시 ,  나리타신야 ,  츠지무라요시히코

IPC: C04B41/88 ,  C01B31/04 ,  H01L23/373

CPC classification number: C04B41/88 ,  B22F3/26 ,  B23D57/0023 ,  B23D61/185 ,  B28D5/045 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B2111/00844 ,  H01L23/142 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3735 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/05 ,  H05K2201/0323 ,  Y10T83/04 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24909 ,  Y10T428/24917 ,  C04B41/4519 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/5096 ,  C04B35/522 ,  C04B38/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 알루미늄-흑연복합체의표면거칠기(Ra)가 0.1~3㎛, 온도 25℃의열전도율이 150~300W/mK, 직교하는 3방향의열전도율의최대값/최소값이 1~1.3, 온도 25℃~150℃의열팽창계수가 4×10~7.5×10/K, 직교하는 3방향의열팽창계수의최대값/최소값이 1~1.3, 또한 3점휨 강도가 50~150MPa인알루미늄-흑연복합체를멀티와이어소를이용하여하기 (1)~(4)의조건:(1) 접합하는지립이다이아몬드, C-BN, 탄화규소, 알루미나로부터선택되는 1종이상으로평균입자지름이 10~100㎛, (2) 와이어선 지름이 0.1~0.3㎜, (3) 와이어이송속도가 100~700m/분, (4) 절삭속도가 0.1~2㎜/분하에두께 0.5~3㎜의판 모양으로가공하는기판의제조방법.

Abstract translation: 一种生产基材的方法，其包括在下列条件（1）至（4）中使用多线锯将铝/石墨复合材料加工成厚度为0.5-3mm的板：（1）所述金属丝具有磨料 作为选自金刚石，C-BN，碳化硅，氧化铝中的一种或多种物质的平均粒径为10〜100μm的颗粒; （2）电线的直径为0.1-0.3mm; （3）电线以100-700m / min的速度运行; 和（4）以0.1-2mm / min的速率切割复合材料。 铝/石墨复合体的表面粗糙度（Ra）为0.1-3μm，25℃下的热导率为150-300W / m·K，三个垂直方向的最大值与最小导热系数之比 1-1.3，25-150℃的热膨胀系数为4×10 -6〜7.5×10 -6 / K，三个垂直方向的最大热膨胀系数与最小热膨胀系数之比为1 -1.3，三点弯曲强度为50-150MPa。

公开(公告)号：KR101685231B1

公开(公告)日：2016-12-09

申请号：KR1020127004793

申请日：2010-07-29

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  이시하라요스케 ,  츠카모토히데오

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: C04B35/565 ,  B22F2998/10 ,  C04B35/52 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/90 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C22C1/1036 ,  C22C1/1094 ,  C22C26/00 ,  C22C29/065 ,  C22C29/16 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/60 ,  H01L33/641 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/23 ,  C04B38/00 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/185 ,  C04B41/4523 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/4529 ,  C04B41/4574 ,  C04B41/5111 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/522 ,  C04B41/4564 ,  C04B41/5116 ,  B22F3/04 ,  C23C16/00 ,  C25D7/12 ,  H01L2924/00

Abstract: LED와의선열팽창계수차이가작고, 게다가열전도성이뛰어난 LED 탑재용웨이퍼와, 이 LED 탑재용웨이퍼의제조방법과, 이 LED 탑재용웨이퍼를이용해제조된 LED 탑재구조체를제공한다. LED 탑재용웨이퍼 (6)는금속함침세라믹스복합체 (61)와, 그주위에형성된보호층 (62)으로이루어지며, 금속함침세라믹스복합체 (61)는표면에금속의박층 (63)을가지고있는것이바람직하다. 웨이퍼의제조방법은금속제또는세라믹스제의관상체의내부에, 세라믹스다공체, 세라믹스분말성형체및 세라믹스분말로부터선택된적어도한쪽을충전한후, 이들세라믹스다공체, 세라믹스분말성형체및 세라믹스분말로부터선택된적어도한쪽을가지는공극부에금속을함침시킨후, 가공하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 提供了一种用于LED安装的晶片，其具有与LED相当的热膨胀系数差并且具有优异的导热性，用于制造用于LED安装的晶片的方法，以及通过使用用于LED安装的晶片制造的LED安装结构。 用于LED安装（6）的晶片由金属渗透陶瓷复合材料（61）和形成在其周围的保护层（62）构成。 金属渗透性陶瓷复合体（61）的表面优选具有薄的金属层（63）。 制造晶片的方法的特征在于，将从由多孔陶瓷体，陶瓷粉末压块和陶瓷粉末组成的组中选出的至少一种填充到由金属或陶瓷制成的管状体中，然后将金属浸渍到至少 选自由多孔陶瓷体，陶瓷粉末压块和陶瓷粉末组成的组，然后进行处理。

公开(公告)号：KR1020160072847A

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：KR1020167016156

申请日：2009-07-08

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  츠카모토히데오

IPC: B22D19/00 ,  B22D18/02 ,  C22C1/02 ,  H01L23/373

CPC classification number: C22C26/00 ,  B22F3/26 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/26 ,  B22D19/00 ,  B22D18/02 ,  C22C1/02 ,  H01L23/373 ,  C22C1/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/20 ,  H01L2924/00

Abstract: 높은열전도율과반도체소자에가까운열팽창률을겸비하고, 나아가서는반도체소자의히트싱크등으로사용하는데적합하도록표면의도금성및 표면의면 거칠기를개선시킨알루미늄-다이아몬드계복합체를제공한다. 다이아몬드입자와알루미늄을주성분으로하는금속을포함하는평판모양의알루미늄-다이아몬드계복합체로서, 상기알루미늄-다이아몬드계복합체는복합화부및 상기복합화부의양면에마련된표면층으로이루어지고, 상기표면층이알루미늄을주성분으로하는금속을포함하는재료로이루어지며, 상기다이아몬드입자의함유량이상기알루미늄-다이아몬드계복합체전체의 40부피%~70부피%인것을특징으로하는알루미늄-다이아몬드계복합체를제공한다.

公开(公告)号：KR101632727B1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：KR1020117003393

申请日：2009-07-08

Applicant: 덴카 주식회사

Inventor： 히로츠루히데키 ,  츠카모토히데오

IPC: B22D19/00 ,  B22D18/02 ,  C22C1/02 ,  H01L23/373

CPC classification number: C22C26/00 ,  B22F3/26 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B22F2998/10 ,  C22C2204/00 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3732 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/02484 ,  Y10T428/12361 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/26 ,  C22C1/10 ,  B22F3/11 ,  B22F3/20 ,  H01L2924/00

Abstract: 높은열전도율과반도체소자에가까운열팽창률을겸비하고, 나아가서는반도체소자의히트싱크등으로사용하는데적합하도록표면의도금성및 표면의면 거칠기를개선시킨알루미늄-다이아몬드계복합체를제공한다. 다이아몬드입자와알루미늄을주성분으로하는금속을포함하는평판모양의알루미늄-다이아몬드계복합체로서, 상기알루미늄-다이아몬드계복합체는복합화부및 상기복합화부의양면에마련된표면층으로이루어지고, 상기표면층이알루미늄을주성분으로하는금속을포함하는재료로이루어지며, 상기다이아몬드입자의함유량이상기알루미늄-다이아몬드계복합체전체의 40부피%~70부피%인것을특징으로하는알루미늄-다이아몬드계복합체를제공한다.