公开(公告)号：KR1020030093312A

公开(公告)日：2003-12-06

申请号：KR1020037013400

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시이가쯔또시 ,  다까하시유따까 ,  하세가와하루나리

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C8/16 ,  C30B33/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  Y10S438/909

Abstract: 반도체 처리용 열처리 장치의 공급계는 연소기(12)와 가열기(13)와 가스 분배부(14)를 갖는다. 연소기(12)는 처리실(21) 밖에 배치된 연소실(59)을 갖는다. 연소기(12)는 수소 가스 및 산소 가스를 연소실(59) 내에서 반응시켜 수증기를 생성하여 처리실(21)에 공급한다. 가열기(13)는 처리실(21) 밖에 배치된 가열실(61)을 갖는다. 가열기(13)는 연소실(59)을 통과하지 않는 가스를 활성화하는 온도 이상으로 가열실(61) 내에서 선택적으로 가열하여 처리실(21)에 공급한다. 가스 분배부(14)는 연소실(59)에 수소 가스 및 산소 가스를 선택적으로 공급하는 동시에, 가열실(61)에 반응성 가스 및 불활성 가스를 선택적으로 공급한다.