公开(公告)号：KR1020060044968A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020050026283

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시유따까 ,  다까기사또시 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 게이트 절연막 상의 게이트 전극으로서 이용되는 폴리 실리콘막을 형성할 때, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 도전성 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지하도록, 구상 결정의 집합체를 포함하는 폴리 실리콘막을 형성하는 것이다.
피처리체를 예를 들어 580 ℃로 가열하여 비정질 실리콘막을 형성하고, 이어서 상기 피처리체를 예를 들어 620 ℃로 가열함으로써, 상기 비정질 실리콘막을 폴리화하여 폴리 실리콘막을 형성한다. 이러한 폴리 실리콘막은 구상 결정의 집합체 또는 방추형 결정과 구상 결정의 혼합체로 이루어지고, 미결정 입자의 입계가 여러 가지의 방향을 향하고 있으므로, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소가 상기 입계로 트랩되고, 상기 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지할 수 있다.
반도체 웨이퍼, 반응 용기, 웨이퍼 보우트, 가스 공급부, 제어부, 가열로

公开(公告)号：KR1020040101197A

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：KR1020047010368

申请日：2003-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔우라히로유끼 ,  다까하시유따까

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67253

Abstract: 성막 방법은 예비 스테이지(S10)와 처리 스테이지(S20)를 포함한다. 예비 스테이지(S10)에서는 성막과 처리 시간의 관계를 나타내는 제1 관계식 및 대기압과 막 두께의 관계를 나타내는 제2 관계식을 기초로 대기압에 대응하여 처리 시간을 보정하기 위한 처리 시간 보정식이 도출된다(S11 내지 S14). 처리 스테이지(S20)에서는 도출된 처리 시간 보정식 및 현재의 대기압의 측정 결과를 기초로 하여 처리 시간이 보정되고, 보정된 처리 시간을 기초로 하여 성막이 행해진다(S21 내지 S23).

公开(公告)号：KR100940377B1

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：KR1020050026283

申请日：2005-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시유따까 ,  다까기사또시 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 게이트 절연막 상의 게이트 전극으로서 이용되는 폴리 실리콘막을 형성할 때, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 도전성 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지하도록, 구상 결정의 집합체를 포함하는 폴리 실리콘막을 형성하는 것이다.
피처리체를 예를 들어 580 ℃로 가열하여 비정질 실리콘막을 형성하고, 이어서 상기 피처리체를 예를 들어 620 ℃로 가열함으로써, 상기 비정질 실리콘막을 폴리화하여 폴리 실리콘막을 형성한다. 이러한 폴리 실리콘막은 구상 결정의 집합체 또는 방추형 결정과 구상 결정의 혼합체로 이루어지고, 미결정 입자의 입계가 여러 가지의 방향을 향하고 있으므로, 후공정에서 상기 폴리 실리콘막으로 불순물 원소를 첨가하였을 때에, 도전성 불순물 원소가 상기 입계로 트랩되고, 상기 불순물 원소의 폴리 실리콘막의 두께 방향으로의 관통을 방지할 수 있다.
반도체 웨이퍼, 반응 용기, 웨이퍼 보우트, 가스 공급부, 제어부, 가열로

公开(公告)号：KR100848993B1

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：KR1020040094867

申请日：2004-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  다까하시유따까

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 형성되는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 개선하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 데 있다.
소정의 피치로 배열된 복수매의 피처리체(W)를 수용하는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스와 환원성 가스 중 적어도 어느 한 쪽의 가스를 상기 피처리체가 수용된 수용 영역(S)을 흐르는 가스 흐름 중 적어도 상류 영역(S1)과 하류 영역(S3)과 중류 영역(S2)으로 분사하여 공급한다.
피처리체, 처리 용기, 분사 노즐, 유량 제어기, 웨이퍼 보트, 가스 분사구

公开(公告)号：KR1020050049377A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020040094867

申请日：2004-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  다까하시유따까

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662

Abstract: 본 발명의 과제는 형성되는 산화막의 막 두께의 면간 균일성을 개선하는 것이 가능한 피처리체의 산화 방법을 제공하는 데 있다.
소정의 피치로 배열된 복수매의 피처리체(W)를 수용하는 진공화 가능하게 이루어진 처리 용기(22) 내에 산화성 가스와 환원성 가스를 공급하여 상기 양 가스를 반응시킴으로써 발생한 산소 활성종과 수산기 활성종을 주체로 하는 분위기 속에서 상기 피처리체의 표면을 산화하도록 한 피처리체의 산화 방법에 있어서, 상기 산화성 가스와 환원성 가스 중 적어도 어느 한 쪽의 가스를 상기 피처리체가 수용된 수용 영역(S)을 흐르는 가스 흐름 중 적어도 상류 영역(S1)과 하류 영역(S3)과 중류 영역(S2)으로 분사하여 공급한다.

公开(公告)号：KR100860683B1

公开(公告)日：2008-09-26

申请号：KR1020040074054

申请日：2004-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  다까하시유따까 ,  우메자와고오따 ,  다까기사또시 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명의 과제는 불순물의 관통을 방지하는 것이 가능한 절연층을 형성할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다.
표면에 SiO
2 막, 혹은 SiON막으로 이루어지는 베이스막이 형성되어 있는 복수매의 피처리체(W)에 성막을 실시하는 방법에 있어서, 복수매의 피처리체를 소정의 간격을 두고 다단으로 수용한 처리 용기 내에 디클로로실란, 헥사클로로디실란, 테트라클로로실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 원료 가스와 암모니아 가스를 교대로 복수회 반복해서 공급하여 낮은 프로세스 온도에서 베이스막 상에 얇은 실리콘 질화막을 적층하도록 성막한다. 이에 의해, 적층 실리콘 질화막의 막질이 개선되어 불순물의 관통을 대폭으로 억제한다.
베이스막, 적층 실리콘 질화막, CVD 절연층, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR100814594B1

公开(公告)日：2008-03-17

申请号：KR1020037013400

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시이가쯔또시 ,  다까하시유따까 ,  하세가와하루나리

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C8/16 ,  C30B33/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  Y10S438/909

Abstract: 반도체 처리용 열처리 장치의 공급계는 연소기(12)와 가열기(13)와 가스 분배부(14)를 갖는다. 연소기(12)는 처리실(21) 밖에 배치된 연소실(59)을 갖는다. 연소기(12)는 수소 가스 및 산소 가스를 연소실(59) 내에서 반응시켜 수증기를 생성하여 처리실(21)에 공급한다. 가열기(13)는 처리실(21) 밖에 배치된 가열실(61)을 갖는다. 가열기(13)는 연소실(59)을 통과하지 않는 가스를 활성화하는 온도 이상으로 가열실(61) 내에서 선택적으로 가열하여 처리실(21)에 공급한다. 가스 분배부(14)는 연소실(59)에 수소 가스 및 산소 가스를 선택적으로 공급하는 동시에, 가열실(61)에 반응성 가스 및 불활성 가스를 선택적으로 공급한다.
열처리 장치, 연소기, 가열기, 가스 분배부, 연소실

公开(公告)号：KR1020060067843A

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：KR1020050122312

申请日：2005-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  다까하시유따까 ,  유메자와고따 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: A film formation method for a semiconductor process for forming a silicon oxynitride film on a target substrate within a reaction chamber includes a step of performing a pre-process on members inside the reaction chamber without the target substrate loaded therein, and a step of then forming a silicon oxynitride film on the target substrate within the reaction chamber. The pre-process is arranged to supply a pre-process gas containing a nitriding gas or oxynitriding gas into the reaction chamber, and setting an interior of the reaction chamber at a first temperature and a first pressure.

公开(公告)号：KR1020050028321A

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：KR1020040074054

申请日：2004-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  다까하시유따까 ,  우메자와고오따 ,  다까기사또시 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: A film forming method is provided to greatly control penetration of impurities and avoid a shift of a flat band voltage or deterioration of mobility by forming a thin silicon nitride layer. A plurality of objects to be processed are received at regular intervals in a receptacle. One of material gas selected from a group of a dichlorosilane, hexachlorodisilane and tetrachlorosilane and ammonia gas are alternatively and repeatedly supplied to stack a thin silicon nitride layer on a base layer at a low process temperature.

Abstract translation: 提供了一种成膜方法以大大地控制杂质的渗透，并通过形成薄的氮化硅层来避免平带电压的偏移或迁移率的劣化。 待处理的多个物体以规则的间隔接收在容器中。 交替地并且重复地提供选自二氯硅烷，六氯二硅烷和四氯硅烷和氨气中的一种材料气体，以在低的工艺温度下在基底层上堆叠薄的氮化硅层。

公开(公告)号：KR100964045B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020050122312

申请日：2005-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  다까하시유따까 ,  유메자와고따 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: 반응실 내에서 피처리 기판 상에 실리콘 산질화막을 형성하는 반도체 처리용의 성막 방법은 피처리 기판을 로드하지 않은 상태에서 반응실 내의 부재에 예비 처리를 실시하는 공정과, 다음에 반응실 내에서 피처리 기판 상에 실리콘 산질화막을 형성하는 공정을 포함한다. 예비 처리는 반응실 내에 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 예비 처리 가스를 공급하는 동시에, 반응실 내를 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다.
열 처리 장치, 반응관, 정상부, 배기구, 배기관, 덮개