公开(公告)号：KR101571194B1

公开(公告)日：2015-11-23

申请号：KR1020110139000

申请日：2011-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와하루나리 ,  스기따깁뻬이 ,  안도오아쯔시 ,  후꾸하라요시끼 ,  다까하시마꼬또

IPC: H01L21/312

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52

Abstract: 본발명의과제는기판의면 내에있어서의원료가스의공급량을균일하게하여, 성막되는막의막질을일정하게할 수있는성막장치를제공하는것이다. 성막용기(60) 내에서기판을수평면내에서회전가능하게유지하는기판유지부(44)와, 공급구멍(75)이형성된공급관(73a)을포함하고, 공급구멍(75)을통해성막용기(60) 내에원료가스를공급하는공급기구(70)와, 배기구멍(83)이형성된배기관(82)을포함하고, 배기구멍(83)을통해성막용기(60) 내로부터가스를배기하는배기기구(80)와, 기판유지부(44)와공급기구(70)와배기기구(80)를제어하는제어부(90)를갖는다. 공급구멍(75)과배기구멍(83)은기판유지부(44)에유지되어있는기판을사이에두고서로대향하도록형성되어있다. 제어부(90)는기판유지부(44)에유지되어있는기판을회전시킨상태에서, 공급기구(70)에의해원료가스를공급하는동시에배기기구(80)에의해가스를배기함으로써, 기판에막을성막하도록제어한다.

公开(公告)号：KR1020010095084A

公开(公告)日：2001-11-03

申请号：KR1020010016432

申请日：2001-03-29

Applicant: 도시바 세라믹스 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토야에이이치 ,  콘토미오 ,  나가타토모히로 ,  세코수나오 ,  사이토타카노리 ,  미우라카즈토시 ,  하세가와하루나리 ,  호시조지 ,  이시이카츠토시

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H05B3/44 ,  H05B3/42 ,  H05B3/46 ,  H05B2203/022

Abstract: PURPOSE: An apparatus for heating fluid is provided to improve endurance, to control generation of particles or metal contamination and to supply a process furnace for heating a semiconductor with a miniaturized apparatus for heating fluid. CONSTITUTION: A heating pipe(2) heats the fluid supplied from a fluid supply source. A heater unit(3) of a spiral type is installed in the outer circumferential portion of the heating pipe. A housing(5) includes the heating pipe and the heater unit. The heater unit is composed of a carbon wire heating unit and a quartz glass pipe which seals the carbon wire heating unit.

Abstract translation: 目的：提供用于加热流体的装置，以提高耐久性，控制颗粒或金属污染的产生，并提供用于加热流体的小型化装置来加热半导体的工艺炉。 构成：加热管（2）加热从流体供应源供应的流体。 螺旋型加热器单元（3）安装在加热管的外圆周部分。 壳体（5）包括加热管和加热器单元。 加热单元由碳丝加热单元和密封碳线加热单元的石英玻璃管构成。

公开(公告)号：KR1020030093312A

公开(公告)日：2003-12-06

申请号：KR1020037013400

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시이가쯔또시 ,  다까하시유따까 ,  하세가와하루나리

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C8/16 ,  C30B33/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  Y10S438/909

Abstract: 반도체 처리용 열처리 장치의 공급계는 연소기(12)와 가열기(13)와 가스 분배부(14)를 갖는다. 연소기(12)는 처리실(21) 밖에 배치된 연소실(59)을 갖는다. 연소기(12)는 수소 가스 및 산소 가스를 연소실(59) 내에서 반응시켜 수증기를 생성하여 처리실(21)에 공급한다. 가열기(13)는 처리실(21) 밖에 배치된 가열실(61)을 갖는다. 가열기(13)는 연소실(59)을 통과하지 않는 가스를 활성화하는 온도 이상으로 가열실(61) 내에서 선택적으로 가열하여 처리실(21)에 공급한다. 가스 분배부(14)는 연소실(59)에 수소 가스 및 산소 가스를 선택적으로 공급하는 동시에, 가열실(61)에 반응성 가스 및 불활성 가스를 선택적으로 공급한다.

公开(公告)号：KR1020030077434A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：KR1020030018476

申请日：2003-03-25

Applicant: 도시바 세라믹스 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠아키라 ,  모리히로시 ,  사이토노리히코 ,  혼마히로유키 ,  도야에이이치 ,  콘도미오 ,  나가타도모히로 ,  세코수나오 ,  사이토다카노리 ,  나카오켄 ,  미우라가쯔토시 ,  하세가와하루나리 ,  호시게오지 ,  이시이가츠토시

IPC: H05B3/44

CPC classification number: H05B3/145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명에 따른 카본 와이어 발열체 봉입 히터가 제공된다. 카본 섬유를 이용한 카본 와이어 발열체는 석영 유리 부재 내에 봉입되고, 상기 카본 와이어 발열체의 흡착 수분량은 2×10
-3 g/㎤ 이하이다.

公开(公告)号：KR100814594B1

公开(公告)日：2008-03-17

申请号：KR1020037013400

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시이가쯔또시 ,  다까하시유따까 ,  하세가와하루나리

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C8/16 ,  C30B33/02 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  Y10S438/909

Abstract: 반도체 처리용 열처리 장치의 공급계는 연소기(12)와 가열기(13)와 가스 분배부(14)를 갖는다. 연소기(12)는 처리실(21) 밖에 배치된 연소실(59)을 갖는다. 연소기(12)는 수소 가스 및 산소 가스를 연소실(59) 내에서 반응시켜 수증기를 생성하여 처리실(21)에 공급한다. 가열기(13)는 처리실(21) 밖에 배치된 가열실(61)을 갖는다. 가열기(13)는 연소실(59)을 통과하지 않는 가스를 활성화하는 온도 이상으로 가열실(61) 내에서 선택적으로 가열하여 처리실(21)에 공급한다. 가스 분배부(14)는 연소실(59)에 수소 가스 및 산소 가스를 선택적으로 공급하는 동시에, 가열실(61)에 반응성 가스 및 불활성 가스를 선택적으로 공급한다.
열처리 장치, 연소기, 가열기, 가스 분배부, 연소실

公开(公告)号：KR100522260B1

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：KR1020030018476

申请日：2003-03-25

Applicant: 도시바 세라믹스 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠아키라 ,  모리히로시 ,  사이토노리히코 ,  혼마히로유키 ,  도야에이이치 ,  콘도미오 ,  나가타도모히로 ,  세코수나오 ,  사이토다카노리 ,  나카오켄 ,  미우라가쯔토시 ,  하세가와하루나리 ,  호시게오지 ,  이시이가츠토시

IPC: H05B3/44

CPC classification number: H05B3/145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명에 따른 카본 와이어 발열체 봉입 히터가 제공된다. 카본 섬유를 이용한 카본 와이어 발열체는 석영 유리 부재 내에 봉입되고, 상기 카본 와이어 발열체의 흡착 수분량은 2×10
-3 g/㎤ 이하이다.

公开(公告)号：KR1020120071345A

公开(公告)日：2012-07-02

申请号：KR1020110139002

申请日：2011-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와하루나리 ,  스기따깁뻬이 ,  다까하시마꼬또

IPC: H01L21/312

CPC classification number: B05D1/60 ,  B05D1/34 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/68707

Abstract: PURPOSE: A film depositing apparatus is provided to efficiently control a deposition rate of a polyimide film by heating a substrate on a substrate holding unit within a temperature range in which heat polymerization reaction generates. CONSTITUTION: A deposition container(60) includes a reaction tube(61) and a heater(62). A supply mechanism(70) includes a source gas supply unit(71) and an injector(72) installed within the deposition container. The source gas supply unit includes a first source gas supply unit(71a) and a second source gas supply unit(71b). The source gas supply unit is connected to a supply tube(73a) of the injector. The injector supplies a first source gas and a second source gas through a supply hole(75) within the deposition container.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，用于通过在热聚合反应产生的温度范围内加热衬底保持单元上的衬底来有效地控制聚酰亚胺膜的沉积速率。 构成：沉积容器（60）包括反应管（61）和加热器（62）。 供给机构（70）包括源气体供给单元（71）和安装在沉积容器内的喷射器（72）。 源气体供给单元包括第一源气体供给单元（71a）和第二源气体供给单元（71b）。 源气体供给单元连接到喷射器的供给管（73a）。 喷射器通过沉积容器内的供应孔（75）供应第一源气体和第二源气体。

公开(公告)号：KR1020120071344A

公开(公告)日：2012-07-02

申请号：KR1020110139000

申请日：2011-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와하루나리 ,  스기따깁뻬이 ,  안도오아쯔시 ,  후꾸하라요시끼 ,  다까하시마꼬또

IPC: H01L21/312

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52

Abstract: PURPOSE: A film deposition apparatus is provided to uniformly form the thickness and quality of a thin film to be deposited by regularly controlling a supply amount of a source gas in the surface of a substrate. CONSTITUTION: A loading table(20) is installed in a front portion of a housing(30). The housing includes a loading area(40) and a deposition container(60). A base plate(31) is installed between the loading area and the deposition container. The loading area moves and loads a wafer(W) between a receiving container(21) and a boat(44). A cover(43) includes a heat insulating container(48) and a rotation mechanism(49).

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过定期地控制基材表面的源气体的供给量，均匀地形成要沉积的薄膜的厚度和质量。 构成：装载台（20）安装在壳体（30）的前部。 壳体包括装载区域（40）和沉积容器（60）。 底板（31）安装在装载区域和沉积容器之间。 装载区域在接收容器（21）和船（44）之间移动并加载晶片（W）。 盖（43）包括绝热容器（48）和旋转机构（49）。