플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치
    11.
    发明授权
    플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 有权
    等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置

    公开(公告)号:KR101212209B1

    公开(公告)日:2012-12-13

    申请号:KR1020117010833

    申请日:2009-11-11

    Abstract: 처리용기와, 재치대와, 마이크로파공급수단과, 가스공급수단과, 배기장치와, 재치대에교류바이어스전력을공급하는바이어스전력공급수단과, 교류바이어스전력을제어하는바이어스전력제어수단을구비한플라즈마에칭장치를이용한플라즈마에칭방법으로서, 바이어스전력제어수단은, 교류바이어스전력의재치대로의공급과정지를교호로반복하고, 교류바이어스전력을공급하는기간과, 교류바이어스전력을정지하는기간과의합계기간에대한교류바이어스전력을공급하는기간의비가 0.1 이상 0.5 이하가되도록교류바이어스전력을제어한다.

    플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치
    12.
    发明公开
    플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 有权
    等离子蚀刻方法和等离子蚀刻设备

    公开(公告)号:KR1020120096092A

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:KR1020127018878

    申请日:2009-11-11

    Abstract: 처리 용기와, 재치대와, 마이크로파 공급 수단과, 가스 공급 수단과, 배기 장치와, 재치대에 교류 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전력 공급 수단과, 교류 바이어스 전력을 제어하는 바이어스 전력 제어 수단을 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 에칭 방법으로서, 바이어스 전력 제어 수단은, 교류 바이어스 전력의 재치대로의 공급과 정지를 교호로 반복하고, 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간과, 교류 바이어스 전력을 정지하는 기간과의 합계 기간에 대한 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간의 비가 0.1 이상 0.5 이하가 되도록 교류 바이어스 전력을 제어한다.

    Abstract translation: 具有处理容器,载置台,和一个微波供给装置,所述气体供给装置,排气系统,和一个偏置电源装置,用于向机智供给的交流偏置电压,偏置功率控制装置,用于控制AC偏压功率 使用的等离子体蚀刻装置中,偏置功率控制部,重复交替地放置在所述交变偏压的作为的供给和停止的期间的等离子体蚀刻方法,并将该AC偏压,并与停止AC偏压功率的周期 AC偏压功率被控制为使得AC偏压功率的提供周期与总周期的比率变为0.1至0.5。

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