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公开(公告)号：KR1020100028048A
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：KR1020097026789
申请日：2008-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/28 , H01L21/28008 , H01L21/306 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L21/4763
Abstract: A semiconductor device manufacturing method includes a step of forming on a semiconductor substrate a protruding insulating layer having a surface and a rising surface which rises upward from such surface; a step of forming a conductive layer to cover the protruding insulating layer; and a step of removing a prescribed region of the conductive layer by patterning the region by applying a bias power of 70mW/cmor more to the semiconductor substrate under the condition of a high pressure of 85mTorr or more by etching process using microwave plasma having microwave as a plasma source.
Abstract translation: 半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成具有从该表面向上升起的表面和上升表面的突出绝缘层的步骤; 形成导电层以覆盖所述突出绝缘层的步骤; 以及通过使用具有微波等离子体的微波等离子体在85mTorr以上的高压条件下，向半导体衬底施加70mW / cm 2以上的偏压，对该区域进行图案化来除去导电层的规定区域的工序 等离子体源。
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公开(公告)号：KR101212209B1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：KR1020117010833
申请日：2009-11-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229
Abstract: 처리용기와, 재치대와, 마이크로파공급수단과, 가스공급수단과, 배기장치와, 재치대에교류바이어스전력을공급하는바이어스전력공급수단과, 교류바이어스전력을제어하는바이어스전력제어수단을구비한플라즈마에칭장치를이용한플라즈마에칭방법으로서, 바이어스전력제어수단은, 교류바이어스전력의재치대로의공급과정지를교호로반복하고, 교류바이어스전력을공급하는기간과, 교류바이어스전력을정지하는기간과의합계기간에대한교류바이어스전력을공급하는기간의비가 0.1 이상 0.5 이하가되도록교류바이어스전력을제어한다.
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公开(公告)号：KR1020120096092A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：KR1020127018878
申请日：2009-11-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229
Abstract: 처리 용기와, 재치대와, 마이크로파 공급 수단과, 가스 공급 수단과, 배기 장치와, 재치대에 교류 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전력 공급 수단과, 교류 바이어스 전력을 제어하는 바이어스 전력 제어 수단을 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 에칭 방법으로서, 바이어스 전력 제어 수단은, 교류 바이어스 전력의 재치대로의 공급과 정지를 교호로 반복하고, 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간과, 교류 바이어스 전력을 정지하는 기간과의 합계 기간에 대한 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간의 비가 0.1 이상 0.5 이하가 되도록 교류 바이어스 전력을 제어한다.
Abstract translation: 具有处理容器，载置台，和一个微波供给装置，所述气体供给装置，排气系统，和一个偏置电源装置，用于向机智供给的交流偏置电压，偏置功率控制装置，用于控制AC偏压功率 使用的等离子体蚀刻装置中，偏置功率控制部，重复交替地放置在所述交变偏压的作为的供给和停止的期间的等离子体蚀刻方法，并将该AC偏压，并与停止AC偏压功率的周期 AC偏压功率被控制为使得AC偏压功率的提供周期与总周期的比率变为0.1至0.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090102668A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020090024881
申请日：2009-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3222 , H01J37/32238
Abstract: PURPOSE: An etching method and manufacturing method of semiconductor device are provided to prevent the silicon substrate from being oxidized. CONSTITUTION: The silicon oxide film and the polysilicon layer(37) and the mask film(38) having the opening are formed on the silicon substrate. The etching method has the etching step of polysilicon layer. In the polysilicon layer etching step, the polysilicon layer corresponding to an opening is etched by plasma. The process gas includes the oxygen gas. In the etching step of polysilicon layer, the pressure of an atmosphere is set up as 6.7 Pa ~, 33.3 Pa. In the etching step of polysilicon layer, the polysilicon layer corresponding to an opening is etched by the 13.56 MHz frequency of the bias voltage for introducing the plasma to a substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件的蚀刻方法和制造方法，以防止硅衬底氧化。 构成：在硅衬底上形成具有开口的氧化硅膜和多晶硅层（37）和掩模膜（38）。 蚀刻方法具有多晶硅层的蚀刻步骤。 在多晶硅层蚀刻步骤中，通过等离子体蚀刻对应于开口的多晶硅层。 工艺气体包括氧气。 在多晶硅层的蚀刻步骤中，气氛的压力设定为6.7Pa〜33.3Pa。在多晶硅层的蚀刻步骤中，对应于开口的多晶硅层被偏压的13.56MHz频率 用于将等离子体引入衬底。
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公开(公告)号：KR101230632B1
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020127018878
申请日：2009-11-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229
Abstract: 처리 용기와, 재치대와, 마이크로파 공급 수단과, 가스 공급 수단과, 배기 장치와, 재치대에 교류 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전력 공급 수단과, 교류 바이어스 전력을 제어하는 바이어스 전력 제어 수단을 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 에칭 방법으로서, 바이어스 전력 제어 수단은, 교류 바이어스 전력의 재치대로의 공급과 정지를 교호로 반복하고, 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간과, 교류 바이어스 전력을 정지하는 기간과의 합계 기간에 대한 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간의 비가 0.1 이상 0.5 이하가 되도록 교류 바이어스 전력을 제어한다.
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公开(公告)号：KR101190074B1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：KR1020097026789
申请日：2008-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/28 , H01L21/28008 , H01L21/306 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 기판상에, 면 및 이 면으로부터 상방으로 솟아오르는 상승면을 갖는 돌출 형상 형태의 절연층을 형성하는 공정과, 돌출 형상 형태의 절연층을 덮도록 도전층을 형성하는 공정과, 85mTorr 이상의 고압의 조건하에서, 반도체 기판에 70mW/㎠ 이상의 바이어스 파워를 가하면서, 마이크로파를 플라즈마원으로 한 마이크로파 플라즈마를 이용한 에칭 처리에 의해, 도전층의 소정 영역을 패터닝하여 제거하는 공정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101110238B1
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：KR1020090024881
申请日：2009-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3222 , H01J37/32238
Abstract: 실리콘 산화막에 대한 폴리 실리콘막의 선택비를 크게 할 수 있고, 또한 실리콘 기재에서의 리세스의 발생을 억제할 수 있는 에칭 방법을 제공한다. 실리콘 기재(35) 상에 게이트 산화막(36), 폴리 실리콘막(37) 및 개구부(39)를 가지는 하드 마스크막(38)이 차례대로 형성되고, 개구부(39)에 대응하는 폴리 실리콘막(37)의 트렌치(40) 내에는 자연 산화막(41)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)에 있어서, 자연 산화막(41)을 폴리 실리콘막(37)이 트렌치(40)의 저부에서 노출될 때까지 에칭하고, 분위기의 압력을 13.3 Pa로 설정하고, 처리 공간(S2)에 O
2 가스, HBr 가스 및 Ar 가스를 공급하고, 바이어스 전압의 주파수를 13.56 MHz로 설정하여 HBr 가스로부터 발생된 플라즈마에 의해 폴리 실리콘막(37)을 에칭하여 완전하게 제거한다.Abstract translation: 可以增加多晶硅膜与氧化硅膜的选择比率并且可以抑制硅衬底中的凹陷的产生。 在硅衬底35和多晶硅膜37上依次形成具有栅氧化膜36，多晶硅膜37和开口39的硬掩模膜38 在沟槽40的沟槽40中蚀刻自然氧化膜41，直到多晶硅膜37暴露在沟槽40的底部 ，大气压力设定为13.3Pa，处理空间S2填充O.
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公开(公告)号：KR1020110083669A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020117010833
申请日：2009-11-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229
Abstract: 처리 용기와, 재치대와, 마이크로파 공급 수단과, 가스 공급 수단과, 배기 장치와, 재치대에 교류 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전력 공급 수단과, 교류 바이어스 전력을 제어하는 바이어스 전력 제어 수단을 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 에칭 방법으로서, 바이어스 전력 제어 수단은, 교류 바이어스 전력의 재치대로의 공급과 정지를 교호로 반복하고, 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간과, 교류 바이어스 전력을 정지하는 기간과의 합계 기간에 대한 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간의 비가 0.1 이상 0.5 이하가 되도록 교류 바이어스 전력을 제어한다.
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