公开(公告)号：KR101230632B1

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：KR1020127018878

申请日：2009-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시즈카테츠야 ,  타카하시마사히코 ,  오즈토시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76229

Abstract: 처리 용기와, 재치대와, 마이크로파 공급 수단과, 가스 공급 수단과, 배기 장치와, 재치대에 교류 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전력 공급 수단과, 교류 바이어스 전력을 제어하는 바이어스 전력 제어 수단을 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 에칭 방법으로서, 바이어스 전력 제어 수단은, 교류 바이어스 전력의 재치대로의 공급과 정지를 교호로 반복하고, 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간과, 교류 바이어스 전력을 정지하는 기간과의 합계 기간에 대한 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간의 비가 0.1 이상 0.5 이하가 되도록 교류 바이어스 전력을 제어한다.

公开(公告)号：KR1020110083669A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：KR1020117010833

申请日：2009-11-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시즈카테츠야 ,  타카하시마사히코 ,  오즈토시히사

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76229

Abstract: 처리 용기와, 재치대와, 마이크로파 공급 수단과, 가스 공급 수단과, 배기 장치와, 재치대에 교류 바이어스 전력을 공급하는 바이어스 전력 공급 수단과, 교류 바이어스 전력을 제어하는 바이어스 전력 제어 수단을 구비한 플라즈마 에칭 장치를 이용한 플라즈마 에칭 방법으로서, 바이어스 전력 제어 수단은, 교류 바이어스 전력의 재치대로의 공급과 정지를 교호로 반복하고, 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간과, 교류 바이어스 전력을 정지하는 기간과의 합계 기간에 대한 교류 바이어스 전력을 공급하는 기간의 비가 0.1 이상 0.5 이하가 되도록 교류 바이어스 전력을 제어한다.

公开(公告)号：KR1020150032662A

公开(公告)日：2015-03-27

申请号：KR1020147032420

申请日：2013-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  코야마코지 ,  오즈토시히사 ,  요시무라쇼타

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23F4/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치(1)는, 처리 용기(2)로 도입된 처리 가스를 플라즈마화함으로써, 처리 용기(2)의 내부에 수용된 웨이퍼(W)를 처리한다. 플라즈마 처리 장치(1)는 중앙 도입부(55)와 주변 도입부(61)와 유량 조정부와 제어부(49)를 구비한다. 중앙 도입부(55)는 Ar 가스, He 가스 및 에칭 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 처리 가스를 웨이퍼(W)의 중앙부로 도입한다. 주변 도입부(61)는 처리 가스를 웨이퍼(W)의 주변부로 도입한다. 유량 조정부는, 중앙 도입부(55)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부로 도입되는 처리 가스의 유량과, 주변 도입부(61)로부터 웨이퍼(W)의 주변부로 도입되는 처리 가스의 유량을 조정한다. 제어부(49)는, 처리 가스에 포함되는 Ar 가스에 대한 He 가스의 분압비가 소정값 이상이 되도록, 유량 조정부로 조정되는 처리 가스의 유량을 제어한다.

公开(公告)号：KR101265231B1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 보다정확하게원하는형상으로에칭할수 있는플라즈마에칭처리장치를제공한다. 플라즈마에칭처리장치(11)는, 그내부에서피처리기판에플라즈마처리를행하는처리용기(12)와, 처리용기(12) 내로플라즈마처리용의가스를공급하는가스공급부(13)와, 처리용기(12) 내에배치되고, 그위에피처리기판(W)을지지하는지지대(14)와, 플라즈마여기용의마이크로파를발생시키는마이크로파발생기(15)와, 마이크로파발생기(15)에의해발생시킨마이크로파를이용하여처리용기(12) 내에플라즈마를발생시키는플라즈마발생수단과, 처리용기(12) 내의압력을조정하는압력조정수단과, 지지대(14)로교류의바이어스전력을공급하는바이어스전력공급수단과, 바이어스전력공급수단에서의교류의바이어스전력을정지및 공급을교호로반복하여행하도록제어하는제어수단을구비한다.

公开(公告)号：KR1020120037502A

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：KR1020127004868

申请日：2010-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오즈토시히사 ,  마츠모토나오키 ,  츠카모토타카시 ,  다카이카즈토

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: (과제) 기판 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
(해결 수단) 처리 용기(2)에 도입된 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판(W)을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 중심부에 도입되는 처리 가스의 도입량과, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 주변부에 도입되는 처리 가스의 도입량의 비가, 플라즈마 처리 중에 변화한다. 본 발명에 의하면, 기판(W)의 중심부와 주변부의 에칭 레이트(ER) 등의 편차를 작게 할 수 있다. 이 때문에, 기판(W) 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020120028853A

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020110093107

申请日：2011-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  사사키마사루 ,  하시모토준 ,  요시무라쇼타 ,  오즈토시히사 ,  니시즈카테츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: PURPOSE: A plasma etching treatment apparatus and method, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to control a protective film to be superfluously thickened by controlling the thickness of the protective film which is formed in the off of bias under 10Å. CONSTITUTION: A gas supply part(13) supplies gas for plasma processing within a treatment basin(12). A microwave generator(15) generates plasma excited microwaves. A waveguide(16) and a coaxial waveguide(17) transmit the microwaves generated by the microwave generator within the treatment basin. A dielectric plate(18) spreads the microwave to a diametric direction. A slot antenna plate(20) radiates the microwave. A pressure control means controls the pressure within the treatment basin. A bias power supply means supplies AC bias power to a supporting stand.

Abstract translation: 目的：提供等离子体蚀刻处理装置和方法以及半导体装置的制造方法，通过控制在10度以下的偏压下形成的保护膜的厚度来控制保护膜被超级增厚。 构成：气体供应部件（13）在处理池（12）内提供用于等离子体处理的气体。 微波发生器（15）产生等离子体激发的微波。 波导（16）和同轴波导（17）将由微波发生器产生的微波传送到处理池内。 电介质板（18）将微波扩散到直径方向。 狭缝天线板（20）辐射微波。 压力控制装置控制处理盆内的压力。 偏置电源装置向支撑架提供AC偏置电力。

公开(公告)号：KR101810966B1

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：KR1020150151575

申请日：2015-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타무라아키노리 ,  카리우코스케 ,  오즈토시히사 ,  이해우

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/47

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136

Abstract: 하지층에대한데미지를억제하면서유기막을에칭한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서상기유기막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 처리용기내로수소가스및 질소가스를포함하는처리가스를공급하고, 처리가스의플라즈마를생성한다. 처리가스의유량에서차지하는수소가스의유량의비율은 35 % 이상또한 75 % 이하의비율로설정된다. 또한, 피처리체에이온을인입하기위한고주파바이어스전력이 50 W 이상또한 135 W 이하의범위의전력으로설정된다.

公开(公告)号：KR1020160051653A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：KR1020150151575

申请日：2015-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타무라아키노리 ,  카리우코스케 ,  오즈토시히사 ,  이해우

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/47

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136

Abstract: 하지층에대한데미지를억제하면서유기막을에칭한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서상기유기막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 처리용기내로수소가스및 질소가스를포함하는처리가스를공급하고, 처리가스의플라즈마를생성한다. 처리가스의유량에서차지하는수소가스의유량의비율은 35 % 이상또한 75 % 이하의비율로설정된다. 또한, 피처리체에이온을인입하기위한고주파바이어스전력이 50 W 이상또한 135 W 이하의범위의전력으로설정된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种蚀刻有机膜的方法，蚀刻有机膜同时抑制对下层的损伤。 根据本发明的一个实施例，该方法包括在接收待加工物体的等离子体处理装置的处理容器内蚀刻有机膜的方法。 该方法将包含氢气和氮气的工艺气体提供到处理容器中并产生处理气体的等离子体。 处理气体流中的氢气流量的比例设定为35〜75％。 此外，用于将离子注入待处理物体的高频偏置功率设定在50〜135W的范围内。

公开(公告)号：KR1020150022703A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：KR1020140108856

申请日：2014-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오즈토시히사 ,  요시무라쇼타 ,  오오타케히로토 ,  카리우코스케 ,  츠카모토타카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/66795

Abstract: 반도체 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판, 이 기판으로부터 돌출되고 또한 간극을 구획 형성하도록 설치된 실리콘제의 영역, 이 영역을 덮도록 형성된 금속층, 이 금속층 상에 형성된 다결정 실리콘층, 및 이 다결정 실리콘층 상에 형성된 유기 마스크를 포함하는 피처리체가 수용된 처리 용기 내에서, HBr 가스 및 Cl
2 가스를 포함하는 처리 가스를 여기시키는 공정을 포함하고, Cl
2 가스는, 처리 가스 중의 HBr 가스의 유량에 대하여 5% 이상 10% 이하의 유량으로 공급된다.

Abstract translation: 在本发明中提供的是可以抑制多晶硅层残留在要去除的区域中的半导体器件制造方法，并且还抑制对下层金属层的损伤的发生。 该方法包括在容纳包含基板的待处理物体的处理容器中激发含有HBr气体和Cl_2气体的工艺气体的工序; 从基板突出并安装以分隔和形成间隙的硅材料区域; 形成为覆盖该区域的金属层; 形成在所述金属层上的多晶硅层; 以及形成在多晶硅层上的有机掩模。 相对于处理气体中的HBr气体的流量，以5-10％的流量供给Cl_2气体。

公开(公告)号：KR101386552B1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：KR1020127004868

申请日：2010-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오즈토시히사 ,  마츠모토나오키 ,  츠카모토타카시 ,  다카이카즈토

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: (과제) 기판 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
(해결 수단) 처리 용기(2)에 도입된 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판(W)을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 중심부에 도입되는 처리 가스의 도입량과, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 주변부에 도입되는 처리 가스의 도입량의 비가, 플라즈마 처리 중에 변화한다. 본 발명에 의하면, 기판(W)의 중심부와 주변부의 에칭 레이트(ER) 등의 편차를 작게 할 수 있다. 이 때문에, 기판(W) 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성이 향상된다.