公开(公告)号：KR100433106B1

公开(公告)日：2004-09-18

申请号：KR1019980021231

申请日：1998-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후타무라무네히사 ,  이와타데루오

IPC: H01L21/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the uniformity of a formed film by uniformizing the surface temp. distribution of a body to be treated and to inhibit the generation of particles by preventing the occurrence of corrosion of a feeder for a resistance heating wire, a terminal, etc. SOLUTION: A feeder 35 is drawn out from a resistance heating wire 33 which is buried in a ceramic heater 22 of a support base for the purpose of heating a wafer as a body to be treated. The feeder 35 is allowed to penetrate through the wall of a treatment chamber and extended to the outside of the treatment chamber. A sheath bellows 38 holding the feeder 35 in an insulated state is provided between the ceramic heater 22 and the bottom plate part 24 of the treatment chamber 20. An end piece 39 of the sheath bellow 38 is joined to the ceramic heater 22 by means of a screw 40. Further, the screw 40 is so attached that it can allow for the thermal expansion of the sheath bellows 38.

Abstract translation: 要解决的问题：通过使表面温度均匀化来改善成形膜的均匀性。 通过防止用于电阻加热线，端子等的馈电线的腐蚀发生，抑制待处理物体的分布并且抑制粒子的产生。解决方案：馈电线35从电阻加热线33 掩埋在支撑基座的陶瓷加热器22中，用于加热作为待处理体的晶片。 进料器35被允许穿过处理室的壁并延伸到处理室的外部。 在陶瓷加热器22和处理室20的底板部分24之间设置有将送料器35保持在绝缘状态的护套波纹管38.护套波纹管38的端部件39通过 此外，螺钉40如此连接，使其可以允许护套波纹管38的热膨胀。

公开(公告)号：KR1019990006786A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019980021231

申请日：1998-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후타무라무네히사 ,  이와타데루오

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명에서는, 처리해야 할 반도체 웨이퍼(W)의 탑재대를 구성하는 세라믹스 히터(22)내에 웨이퍼(W)를 가열하기 위해 저항발열선(33)이 매설되고, 저항발열선(33)으로부터 급전선(35)이 처리실(20)의 벽을 관통하여 처리실(20) 바깥으로 뻗어나와 있다. 급전선(35)을 절연상태로 수납하는 시스 벨로즈(38)를 세라믹스 히터(22)와 처리실(20)의 밑판(24)과의 사이에 삽입하여 시스 벨로즈(38)의 엔드 피스(39)를 나사(40)에 의해 간극(50)을 두고, 세라믹스 히터(22)에 접합하고 있다. 또, 나사(40)는 시스 벨로즈(38)의 열팽창을 허용하도록 하고 있다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼의 표면온도 분포가 균일화되어 성막의 균일성이 향상됨과 더불어, 저항발열선으로의 급전선 및 단자 등의 부식을 방지하여 파티클의 발생을 억제할 수 있다.