公开(公告)号：KR100667714B1

公开(公告)日：2007-01-15

申请号：KR1020000017916

申请日：2000-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이와타데루오 ,  고미야다로 ,  요네나가도미히로

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  H01J37/3244

Abstract: 가스 처리 장치(1)는 기밀하게 구성된 처리실(2)과, 처리실(2)에 접속된 가스 도입관(3)과, 가스 도입관(3)을 통해 처리실(2) 내에 가스를 공급하는 가스 공급원(4)과, 처리실(2) 내에 배치되고 웨이퍼(6)를 적재하는 적재대(7)와, 가스 도입관(3)의 가스 출구(3a)에 설치되어 분출측을 적재대(7)측을 향해 배치된 샤워 헤드(8)와, 샤워 헤드(8)의 적재대측 격벽을 구성하는 다수의 토출홀(10)이 천공된 토출판(9)과, 토출판(9)과 가스 도입관(3)의 가스 출구(3a)와의 사이에 배치되고 다수의 관통홀(12)이 천공된 배플판(11)을 구비한다. 관통홀(12)은 가스 도입관(3)측에 형성된 상측홀부(13)와, 토출판(9)측에 상측홀부(13)로부터 확대 개방된 하측홀부(14)로 이루어지는 상이한 직경 홀로 구성된다. 그 결과, 피처리체 상의 전면에 가스를 균일하게 공급할 수 있는 가스 처리 장치, 가스 처리 방법 및 그와 같은 장치나 방법에 이용하는 배플판이 제공된다.

公开(公告)号：KR100605834B1

公开(公告)日：2006-07-31

申请号：KR1020017015359

申请日：2000-06-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오

IPC: H01L21/00

Abstract: 밸브(10)는 개구(11A)를 갖고 있고, 가스 유로의 일부를 이루는 공간을 형성하는 밸브 본체(11)와; 개구(11A)를 개폐하기 위한 제 1 밸브 부재(12)와; 개구(11A)를 밀폐하는 밀폐 위치와 개구(11A)를 개방하는 개방 위치 사이에서 제 1 밸브 부재(12)를 이동시키는 구동 기구(40)를 구비하되, 구동 기구(40)는 왕복 구동되는 로드(14)를 갖고 있고, 로드(14)의 단부는 관통 구멍(11B)을 통해 밸브 본체(11) 내로 연장되어 제 1 밸브 부재(12)에 접속되며, 로드(14)가 왕복 구동됨으로써 제 1 밸브 부재(12)가 밀폐 위치와 개방 위치 사이에서 이동되고, 또한 관통 구멍(11B)을 거쳐 밸브 본체(11)내로 통하며, 구동 기구(4)측을 밸브 본체에 대하여 기밀하게 차단하는 밀봉 기구(15)와; 로드(14)에 장착되어, 로드(14)의 왕복 구동에 수반하여 이동하는 동시에, 제 1 밸브 부재(12)가 개방 위치 또는 밀폐 위치에 위치될 때 관통 구멍(11B)을 밀폐하여 밀봉 기구(15)를 밸브 본체(11)에 대하여 차단하는 제 2 밸브 부재(17)를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR100728401B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020067008748

申请日：2004-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아미쿠라마나부 ,  이와타데루오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565

Abstract: 본 발명은, 성막 장치의 처리 용기 내에 성막용의 원료 가스와 지원 가스를 공급하는 샤워 헤드에 관한 것이다. 이 샤워 헤드는, 가스 분사면(8)을 가진 본체를 구비한다. 샤워 헤드 본체 내에는, 원료 가스를 받아들여 확산시키는 제 1 확산실(60)과, 지원 가스를 받아들여 확산시키는 제 2 확산실(62)이 형성된다. 가스 분사면에는, 제 1 확산실에 연이어 통해진 원료 가스 분사구(10A)와, 제 2 확산실에 연이어 통해진 제 1 지원 가스 분사구(10B)가 형성된다. 각 제 1 지원 가스 분사구(10B)는, 각각 원료 가스 분사구(10A)를 근접하여 둘러싸는 링 형상으로 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100365842B1

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：KR1019980018335

申请日：1998-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  하야시가즈이치 ,  후지카와유이치로 ,  호리우치다카시

IPC: H01L21/33

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4405

Abstract: A film forming apparatus includes a chamber in which a thin film is formed on a semiconductor wafer by supplying a process gas, the interior of which is then cleaned by a cleaning gas, while the gas in the chamber is exhausted by a vacuum system. The vacuum system includes a main vacuum line connected to a vacuum port of the chamber, a high-vacuum pump arranged on an upstream side of the main vacuum line, a coarse control vacuum pump arranged on a downstream side of the main vacuum line, a bypass line which is connected to the main vacuum line so as to bypass the high-vacuum pump and has a first connection portion connected between the vacuum port and the high-vacuum pump and a second connection portion connected between the high-vacuum pump and the coarse control vacuum pump, a trap arranged on the bypass line, heater arranged between the first connection portion and the trap for heating gas flowing from the first connection portion to the trap, and valves for selectively opening/closing the main vacuum line and the bypass line to allow the gas in the chamber to flow through one of the lines.

Abstract translation: 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，具备：腔室，在利用真空系统对腔室内的气体进行排气的期间，通过供给处理气体而在半导体晶片上形成薄膜，其内部被清洁气体净化。 真空系统包括连接到腔室的真空端口的主真空管线，布置在主真空管线的上游侧的高真空泵，布置在主真空管线的下游侧的粗控制真空泵， 旁路管线，其连接到主真空管线以绕过高真空泵并具有连接在真空端口和高真空泵之间的第一连接部分和连接在高真空泵和高真空泵之间的第二连接部分 粗控制真空泵，布置在旁路管线上的捕集器，布置在第一连接部分和捕集器之间的加热器，用于加热从第一连接部分流向捕集器的气体，以及用于选择性地打开/关闭主真空管线和旁路 线以允许腔室中的气体流过其中一条管线。

公开(公告)号：KR100268525B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019930017680

申请日：1993-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다도오루 ,  이와타데루오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C14/56 ,  C23C14/566 ,  H01L21/67109

Abstract: 대기 분위기 및 진공분위기 각각으로부터, 또는 이들 분위기 각각에 직접 또는 간접으로 기판이 반입/반출되는 공간을 규정하는 챔버를 설치하고, 상기 챔버내를 배기하며, 그 증기압이 환경온도하에서 1기압 이상으로 되며, 또 환경 온도 미만의 온도하에서 10Torr 이하로 되는 가스를 상기 챔버의 공간내에 충진하고, 상기 기판을 상기 챔버내에 설치하며, 상기 가스를 냉각하고, 이것을 응고시킴으로써 상기 챔버의 내압을 높은 진공상태에 도달시키고, 상기 기판을 상기 챔버내로부터 반출하며, 상기 응고물을 가열하고, 이것을 기화시킴으로써 상기 챔버의 내압을 대기압으로 되돌린다.

公开(公告)号：KR1019980087255A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019980018335

申请日：1998-05-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오 ,  하야시가즈이치 ,  후지카와유이치로 ,  호리우치다카시

IPC: H01L21/33

Abstract: 성막 장치는 챔버 내부에 프로세스 가스를 공급함으로써 반도체 웨이퍼상에 박막을 형성시키는 챔버를 포함하되, 그 챔버의 내부는 세정 가스(cleaning gas)에 의해 세정되며, 챔버내의 가스는 배기계(vacuum system)에 의해 배출된다. 배기계는 챔버의 배기 포트에 접속된 주 배기 라인과, 주 배기 라인의 상류(upstream)측에 배치된 고 배기 펌프와, 주 배기 라인의 하류(downstream)측에 배치된 코어스 제어 배기 펌프(coarse control vacuum pump)와, 주 배기 라인에 접속되어 고 배기 펌프를 우회시키며, 배기 포트와 고배기 펌프 사이에 접속된 제 1 접속부 및 고배기 펌프와 코어스 제어 배기 펌프 사이에 접속된 제 2 접속부를 갖는 바이패스 라인과, 바이패스 라인상에 배치된 트랩(trap)과, 상기 제 1 접속부와 트랩 사이에 배치되어 제 1 접속부로부터 트랩으로 흐르는 가스를 가열하기 위한 히터와, 챔버내의 가스를 라인들중 한 라인에 흐르게 하도록 주 배기 라인과 바이패스 라인을 선택적으로 개폐하기 위한 밸브를 포함한다.

公开(公告)号：KR100744860B1

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：KR1020057019032

申请日：2004-04-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와사키히루 ,  이와타데루오 ,  아미쿠라마나부

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 처리 용기(4)의 바닥부로부터 지주를 거쳐 기립되어서 내부에 가열 수단(38)이 매설된 탑재대(32)의 상면에 피처리체(W)를 탑재하고, 상기 처리체에 대하여 소정의 열처리를 실시하도록 한 열처리 장치에 있어서, 상기 탑재대의 상면, 측면 및 하면에 각각 내열성의 커버 부재(72, 74, 76)를 설치한다. 이에 의해, 탑재대로부터 오염원이 되는 금속 원자 등이 열확산되는 것을 방지할 수 있고, 그에 따라 금속 오염 및 유기 오염 등의 각종 오염이 발생하는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020020010680A

公开(公告)日：2002-02-04

申请号：KR1020017015359

申请日：2000-06-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타데루오

IPC: H01L21/00

Abstract: 밸브(10)는 개구(11A)를 갖고 있고, 가스 유로의 일부를 이루는 공간을 형성하는 밸브 본체(11)와; 개구(11A)를 개폐하기 위한 제 1 밸브체(12)와; 개구(11A)를 밀폐하는 밀폐 위치와 개구(11A)를 개방하는 개방 위치 사이에서 제 1 밸브체(12)를 이동시키는 구동 기구(40)를 구비하되, 구동 기구(40)는 전후로 구동되는 로드(14)를 갖고 있고, 로드(14)의 단부는 관통 구멍(11B)을 통해 밸브 본체(11) 내로 연장되어 제 1 밸브체(12)에 접속되며, 로드(14)가 전후로 구동됨으로써 제 1 밸브체(12)가 밀폐 위치와 개방 위치 사이에서 이동되고, 또한 관통 구멍(11B)을 거쳐 밸브 본체(11)내로 통하며, 구동 기구(4)측을 밸브 본체에 대하여 기밀하게 차단하는 밀봉 기구(15)와; 로드(14)에 장착되어, 로드(14)의 전후 구동에 수반하여 이동하는 동시에, 제 1 밸브체(12)가 개방 위치 또는 밀폐 위치에 위치될 때 관통 구멍(11B)을 밀폐하여 밀봉 기구(15)를 밸브 본체(11)에 대하여 차단하는 제 2 밸브체(17)를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020000071576A

公开(公告)日：2000-11-25

申请号：KR1020000017916

申请日：2000-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이와타데루오 ,  고미야다로 ,  요네나가도미히로

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  H01J37/3244 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32633 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

Abstract: 가스처리장치(1)는기밀하게구성된처리실(2)과, 처리실(2)에접속된가스도입관(3)과, 가스도입관(3)을통해처리실(2) 내에가스를공급하는가스공급원(4)과, 처리실(2) 내에배치되고웨이퍼(6)를적재하는적재대(7)와, 가스도입관(3)의가스출구(3a)에설치되어분출측을적재대(7)측을향해배치된샤워헤드(8)와, 샤워헤드(8)의적재대측격벽을구성하는다수의토출홀(10)이천공된토출판(9)과, 토출판(9)과가스도입관(3)의가스출구(3a)와의사이에배치되고다수의관통홀(12)이천공된배플판(11)을구비한다. 관통홀(12)은가스도입관(3)측에형성된상측홀부(13)와, 토출판(9)측에상측홀부(13)로부터확대개방된하측홀부(14)로이루어지는상이한직경홀로구성된다. 그결과, 피처리체상의전면에가스를균일하게공급할수 있는가스처리장치, 가스처리방법및 그와같은장치나방법에이용하는배플판이제공된다.

公开(公告)号：KR1019950034578A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950004417

申请日：1995-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루.엔지니아링구가부시끼가이샤

Inventor： 고시료이치로 ,  이와타데루오 ,  이시이노부오 ,  히구치기미히로 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/3065

Abstract: 처리용기내에 설치된 피처리체에 대하여 플라즈마 막형성처리등의 플라즈마처리를 행하는 플라즈마 처리방법이 개시된다. 이 방법은, 처리 용기내로 불활성가스를 도입하는 제1의 공정과, 처리용기내로 불활성 가스의 플라즈마를 발생시키는 제2의 공정과, 계속하여 처리용기내로 피처리체를 처리하는 처리가스를 도입하는 제3의 공정과, 처리용기내로 처리가스의 플라즈마를 발생시켜서 피처리체를 처리하는 제4의공정을 구비한다.