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    불소 첨가 카본막의 형성 방법
    11.
    发明公开
    불소 첨가 카본막의 형성 방법 失效
    形成氟化碳膜的方法

    公开(公告)号：KR1020060004698A

    公开(公告)日：2006-01-12

    申请号：KR1020057022302

    申请日：2004-05-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

    IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/0245 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02527

    Abstract: With a view toward enhancing the adhesion between a fluorinated carbon film and a substratum film, there is provided a method of forming a fluorinated carbon film on a substrate to be treated, characterized in that the method comprises the first step of, by means of a substrate treating unit, effecting plasma excitation of a rare gas and carrying out surface treatment of the substrate with the plasma-excited rare gas and the second step of forming a fluorinated carbon film on the resultant substrate, the substrate treating unit including a microwave antenna electrically connected to a microwave power source.

    Abstract translation: 为了提高氟化碳膜和底膜之间的粘附性，提供了一种在待处理基材上形成氟化碳膜的方法，其特征在于，该方法包括第一步，通过 基板处理单元，利用等离子体激发的稀有气体进行等离子体激发稀释气体并进行基板的表面处理，以及在所得到的基板上形成氟化碳膜的第二工序，所述基板处理单元包括微波天线 连接到微波电源。

    플라즈마 처리 장치
    12.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 失效

    公开(公告)号：KR100501778B1

    公开(公告)日：2005-07-20

    申请号：KR1020027016000

    申请日：2002-03-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  스가와시게토시 ,  고토데츠야

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

    Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 외벽에 의해 구획 형성되고 피처리 기판을 보유하는 보유대를 갖춘 처리 용기와, 상기 처리 용기에 결합된 배기계와, 상기 처리 용기 내에 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가스 공급부와, 상기 처리 용기 상에 상기 피처리 기판에 대응하여 설치된 마이크로파 안테나와, 상기 보유 대상의 피처리 기판과 상기 플라즈마 가스 공급부의 사이에 상기 피처리 기판에 대면하도록 설치된 처리 가스 공급부로 이루어지고, 상기 처리 가스 공급부는 상기 처리 용기 내에 형성된 플라즈마를 통과시키는 복수의 제 1의 개구부와, 처리 가스원에 접속 가능한 처리 가스 통로와, 상기 처리 가스 통로에 연통한 복수의 제 2의 개구부와, 상기 제 2의 개구부에 대향하여 설치되고 상기 제 2의 개구부로부터 방출되는 처리 가스를 확산시키는 확산� ��를 갖춘 구성을 한다.

    플라즈마 처리 장치
    14.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 失效
    플라즈마처리장치

    公开(公告)号：KR1020040045900A

    公开(公告)日：2004-06-02

    申请号：KR1020047005933

    申请日：2003-07-03

    Applicant: 오미 다다히로 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  고토데츠야

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

    Abstract: 플라즈마 처리 장치는 외벽에 의해 구획되어, 피처리 기판을 유지하는 유지대를 갖춘 처리 용기와, 상기 처리 용기에 결합된 배기계와, 상기 처리 용기 상에, 상기 유지대 상의 피처리 기판에 대면하도록, 상기 외벽의 일부로서 설치된 마이크로파 투과창과, 상기 처리 용기 속에 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가스 공급부와, 상기 처리 용기 상에, 상기 마이크로파에 대응하여 설치된 마이크로파 안테나로 이루어지며, 상기 플라즈마 가스 공급부는 다공질 매체를 포함하고, 상기 다공질 매체를 통해 상기 플라즈마 가스를 상기 처리 용기에 공급한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：处理容器，其由外壁形成，并具备保持被处理基板的载物台;与该处理容器连接的排气系统;作为外部的一部分而设置在处理容器上的微波窗口 以便与台上待处理的衬底相对;等离子体气体供应部分，其向处理容器供应等离子体气体;以及微波天线，其对应于微波而设置在处理容器上。 等离子体气体供应部件包括多孔介质并且等离子体气体供应部件通过多孔介质供应等离子体气体。 ＆lt;图像＆GT;

    기판 처리 장치
    19.
    发明公开
    기판 처리 장치 失效
    基板加工设备

    公开(公告)号：KR1020060003077A

    公开(公告)日：2006-01-09

    申请号：KR1020057021183

    申请日：2004-04-26

    Applicant: 오미 다다히로 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/022

    Abstract: A substrate processing apparatus (10A) using a microwave plasma is disclosed wherein an inner partition wall (15) is provided within a process chamber (11) so that the inside of the process chamber (11) is divided into a space (11A) where a substrate to be processed is housed and a space (11B) which is defined by the inner partition wall (15) and the outer wall of the process chamber (11). By having such a structure, contamination of the substrate by a gas separated from the sealing material and contamination of the substrate caused by abnormal discharge can be prevented, thereby enabling clean processing of the substrate.

    Abstract translation: 公开了一种使用微波等离子体的基板处理装置（10A），其中在处理室（11）内设置内分隔壁（15），使得处理室（11）的内部被分成空间（11A） 容纳待处理的基板和由内隔壁（15）和处理室（11）的外壁限定的空间（11B）。 通过这样的结构，可以防止由密封材料分离的气体和由异常放电引起的基板污染导致的基板的污染，从而能够清洁基板的处理。

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