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    불소 첨가 카본막의 형성 방법
    1.
    发明授权
    불소 첨가 카본막의 형성 방법 失效
    形成氟化碳膜的方法

    公开(公告)号：KR100733440B1

    公开(公告)日：2007-06-29

    申请号：KR1020057022302

    申请日：2004-05-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

    IPC: H01L21/314 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/0245 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3127

    Abstract: 본 발명은, 불소 첨가 카본막과 하지막과의 밀착성을 개선하는 것을 과제로 하고 있다. 이 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 피처리 기판 상에 불소 첨가 카본막을 형성하는 불소 첨가 카본막의 형성 방법으로서, 기판 처리 장치에 의해서 희가스를 플라즈마 여기하여, 플라즈마 여기된 상기 희가스에 의해서 상기 피처리 기판의 표면 처리를 실시하는 제1 공정과, 상기 피처리 기판 상에 불소 첨가 카본막을 형성하는 제2 공정을 포함하며, 상기 기판 처리 장치는, 전기적으로 접속된 마이크로파 안테나를 구비하는 것을 특징으로 하는 불소 첨가 카본막의 형성 방법.

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    5.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 失效
    플라즈마처리장치및플라즈마처리방법

    公开(公告)号：KR100415795B1

    公开(公告)日：2004-01-31

    申请号：KR1020017009277

    申请日：2000-11-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  가이하라류

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32587 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32697

    Abstract: A substrate (101) subjected to a plasma process is placed on a first electrode (102). A magnetic field is applied to a surface of the substrate to which the plasma process is applied by magnetic field applying means (103). An auxiliary electrode (104) is provided on an outer periphery of the first electrode (102) to excite plasma on a back surface (105) thereof. Electrons in the plasma are caused to drift from a front surface (106) to a back surface (105) of the auxiliary electrode (104) and from the back surface (105) to the front surface (106) of the auxiliary electrode (104).

    Abstract translation: 经受等离子体处理的衬底（101）被放置在第一电极（102）上。 通过磁场施加装置（103）向施加了等离子体处理的基板的表面施加磁场。 辅助电极（104）设置在第一电极（102）的外周上以在其背面（105）上激发等离子体。 使等离子体中的电子从辅助电极（104）的前表面（106）漂移到辅助电极（104）的后表面（105），并从后表面（105）漂移到前表面（106） ）。 ＆lt;图像＆GT;

    플라즈마 처리 장치
    6.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 失效
    플라즈마처리장치

    公开(公告)号：KR1020030004427A

    公开(公告)日：2003-01-14

    申请号：KR1020027016000

    申请日：2002-03-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  스가와시게토시 ,  고토데츠야

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

    Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 외벽에 의해 구획 형성되고 피처리 기판을 보유하는 보유대를 갖춘 처리 용기와, 상기 처리 용기에 결합된 배기계와, 상기 처리 용기 내에 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가스 공급부와, 상기 처리 용기 상에 상기 피처리 기판에 대응하여 설치된 마이크로파 안테나와, 상기 보유 대상의 피처리 기판과 상기 플라즈마 가스 공급부의 사이에 상기 피처리 기판에 대면하도록 설치된 처리 가스 공급부로 이루어지고, 상기 처리 가스 공급부는 상기 처리 용기 내에 형성된 플라즈마를 통과시키는 복수의 제 1의 개구부와, 처리 가스원에 접속 가능한 처리 가스 통로와, 상기 처리 가스 통로에 연통한 복수의 제 2의 개구부와, 상기 제 2의 개구부에 대향하여 설치되고 상기 제 2의 개구부로부터 방출되는 처리 가스를 확산시키는 확산� ��를 갖춘 구성을 한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其包括：由外壁形成的处理容器，其具有用于保持被处理基板的载物台，与处理容器连结的排气系统，用于向处理容器内供给等离子体气体的等离子体气体供给部 ，与处理对象基板对应地设置在处理容器上的微波天线以及设置在载置台上的被处理基板和等离子体气体供给部之间并与处理对象基板相对的处理气体供给部 所述工艺气体供应部件包括用于穿过在所述处理容器的内部中形成的等离子体的多个第一开孔，能够连接到处理气体源的工艺气体通道，与所述工艺气体供应部件连通的多个第二开孔 工艺气体通道和与第二孔相对设置的扩散部分，用于扩散从第二孔释放的工艺气体。 ＆lt;图像＆GT;

    플라즈마 처리 장치
    7.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 失效
    플라즈마처리장치

    公开(公告)号：KR1020030004426A

    公开(公告)日：2003-01-14

    申请号：KR1020027015999

    申请日：2002-03-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키 ,  스가와시게토시 ,  고토데츠야 ,  혼고도시아키

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

    Abstract: 래디얼 라인 슬롯 안테나를 가지는 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 이상 방전을 억제하고, 마이크로파 플라즈마의 여기 효율을 향상시킨다. 래디얼 라인 슬롯 안테나와 동축 도파관의 접속부에 있어서, 동축 도파관 내의 급전선의 선단부를 방사면을 구성하는 슬롯판로부터 떨어지게 한다.

    Abstract translation: 在使用径向线缝隙天线的微波等离子体处理装置中，抑制了异常放电，同时提高了微波等离子体的激发效率。 在径向线缝隙天线和同轴波导之间的接头中，同轴波导的供电线路的点部分与构成辐射面的缝隙板分离。 ＆lt;图像＆GT;

    기판 처리 장치
    9.
    发明授权
    기판 처리 장치 失效

    公开(公告)号：KR101069567B1

    公开(公告)日：2011-10-05

    申请号：KR1020057021183

    申请日：2004-04-26

    Applicant: 오미 다다히로 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

    Abstract: 마이크로파 플라즈마를 사용한 기판 처리 장치 (10A) 에 있어서, 처리 용기 (11) 내에 내부 격벽 (15) 을 형성하고, 상기 처리 용기 (11) 안은 피처리 기판을 포함하는 공간 (11A) 과 상기 내부 격벽 (15) 과 상기 처리 용기 (11) 의 외벽에 의하여 획성되는 공간 (11B) 으로 분리되는 구조로 하였다. 이들의 구조로 함으로써, 시일 재료로부터 탈리된 가스로 인한 피처리 기판의 오염의 영향을 배제할 수 있고, 또한 이상 방전에 의한 피처리 기판의 오염 등의 문제를 억제하여, 상기 기판 처리 장치는 청정한 기판 처리를 가능하게 한다.

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