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公开(公告)号：KR100614065B1
公开(公告)日：2006-08-22
申请号：KR1020047005933
申请日：2003-07-03
Applicant: 오미 다다히로 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244
Abstract: A plasma processing apparatus comprises a processing vessel defined by an outer wall and provided with a stage that holds a substrate to be processed thereon, an evacuation system coupled to the processing vessel, a microwave window provided on the processing vessel as a part of the outer wall so as to face the substrate to be processed on the stage, a plasma gas supplying part supplying a plasma gas to the processing vessel, and a microwave antenna provided on the processing vessel in correspondence to the microwave. The plasma gas supplying part includes a porous medium and the plasma gas supplying part supplies the plasma gas through the porous medium.
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公开(公告)号：KR100501778B1
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：KR1020027016000
申请日：2002-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/3244
Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 외벽에 의해 구획 형성되고 피처리 기판을 보유하는 보유대를 갖춘 처리 용기와, 상기 처리 용기에 결합된 배기계와, 상기 처리 용기 내에 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가스 공급부와, 상기 처리 용기 상에 상기 피처리 기판에 대응하여 설치된 마이크로파 안테나와, 상기 보유 대상의 피처리 기판과 상기 플라즈마 가스 공급부의 사이에 상기 피처리 기판에 대면하도록 설치된 처리 가스 공급부로 이루어지고, 상기 처리 가스 공급부는 상기 처리 용기 내에 형성된 플라즈마를 통과시키는 복수의 제 1의 개구부와, 처리 가스원에 접속 가능한 처리 가스 통로와, 상기 처리 가스 통로에 연통한 복수의 제 2의 개구부와, 상기 제 2의 개구부에 대향하여 설치되고 상기 제 2의 개구부로부터 방출되는 처리 가스를 확산시키는 확산� ��를 갖춘 구성을 한다.
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公开(公告)号：KR100493748B1
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020027016004
申请日：2002-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/511 , C30B25/105 , H01J37/32192
Abstract: 래디얼 슬롯 라인 안테나를 사용한 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 래디얼 라인 슬롯 안테나의 방사면을, 처리실 외벽의 일부를 구성하고, 샤워 플레이트에 밀접한 커버 플레이트에 밀접시키고, 또한 래디얼 라인 슬롯 안테나 상에 처리실 외벽 중을 두께 방향으로 흐르는 열 흐름을 흡수하도록 냉각기를 설치함으로써, 샤워 플레이트의 냉각 효율을 최적화하고 동시에 마이크로파의 여기 효율을 최적화한다.
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公开(公告)号：KR1020040045900A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：KR1020047005933
申请日：2003-07-03
Applicant: 오미 다다히로 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244
Abstract: 플라즈마 처리 장치는 외벽에 의해 구획되어, 피처리 기판을 유지하는 유지대를 갖춘 처리 용기와, 상기 처리 용기에 결합된 배기계와, 상기 처리 용기 상에, 상기 유지대 상의 피처리 기판에 대면하도록, 상기 외벽의 일부로서 설치된 마이크로파 투과창과, 상기 처리 용기 속에 플라즈마 가스를 공급하는 플라즈마 가스 공급부와, 상기 처리 용기 상에, 상기 마이크로파에 대응하여 설치된 마이크로파 안테나로 이루어지며, 상기 플라즈마 가스 공급부는 다공질 매체를 포함하고, 상기 다공질 매체를 통해 상기 플라즈마 가스를 상기 처리 용기에 공급한다.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：处理容器，其由外壁形成，并具备保持被处理基板的载物台;与该处理容器连接的排气系统;作为外部的一部分而设置在处理容器上的微波窗口 以便与台上待处理的衬底相对;等离子体气体供应部分，其向处理容器供应等离子体气体;以及微波天线，其对应于微波而设置在处理容器上。 等离子体气体供应部件包括多孔介质并且等离子体气体供应部件通过多孔介质供应等离子体气体。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020030093283A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020037012541
申请日：2002-03-28
Applicant: 오미 다다히로 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 피처리 기판에 대면하는 샤워 플레이트 혹은 플라즈마 투과창의 상기 피처리 기판에 대면하는 쪽을 오목면 형상으로 함으로써, 피처리 기판 주변부에서의 플라즈마 밀도의 저하를 보상한다. 그 결과, 에칭 등 저압에 있어서의 플라즈마 처리를 행한 경우에도 피처리 기판 표면 근방에 있어서 안정하고 균일한 플라즈마가 유지된다. 또한, 이러한 구성에 의해 플라즈마의 착화도 촉진된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020030082593A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：KR1020037010658
申请日：2002-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고토 나오히사 , 오미 다다히로
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32229 , H01J37/32192
Abstract: 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치는 처리 용기(12)와, 마이크로파 발생기(24)와, 마이크로파를 마이크로파 발생기(24)로부터 도파시키는 도파관(22)과, 지파판(18)에 의해 파장 단축된 마이크로파를 상기 처리 용기 내의 공간에 방사하는 마이크로파 방사 부재(19)를 구비하고, 상기 도파관(22)은 상기 마이크로파 방사 부재(19)의 중앙 부분에 해당하는 위치에, 단일의 마이크로파 출력 개구부(22a)를 갖는다.
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7.发明授权
公开(公告)号：KR100573210B1
公开(公告)日：2006-04-24
申请号：KR1020037012475
申请日：2002-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/517 , H01J37/32009 , H01J37/32339
Abstract: 본 발명에 따르면, 마이크로파 플라즈마 프로세스 장치(10)에 마이크로파에 의한 플라즈마 착화를 촉진하는 플라즈마 착화 촉진 수단을 설치한다. 플라즈마 착화 촉진 수단은 진공 자외광을 발생하는 중수소 램프(30)와, 진공 자외광을 투과하여 플라즈마 여기용 공간(26)으로 유도하는 투과창(32)을 갖는다. 투과창(32)은 볼록 렌즈로서 구성되며, 진공 자외광을 집속하여 플라즈마 여기 가스의 전리를 촉진한다. 이러한 구성에 의해 플라즈마 착화를 용이하게 또한 신속히 행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100497015B1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020027016003
申请日：2002-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32192
Abstract: 래디얼 라인 슬롯 안테나를 사용한 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 슬롯판(16)를, 지파판(18)과 열팽창율이 가까운 재료에 의해, 혹은 지파판(18)을 구성하는 유전체판 상에 금속을 부착 시키기로 보다 형성한다. 안테나 중의 지파판과 마이크로파 방사면을 구성하는 슬롯판의 사이의 밀착성을 향상시켜, 이상 방전을 방지한다.
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公开(公告)号：KR100573211B1
公开(公告)日：2006-04-24
申请号：KR1020037012487
申请日：2002-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 오미 다다히로
IPC: H05H1/18
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32954 , H01J37/3299
Abstract: 플라즈마 공정 장치의 도파관(26)을 통해 공정실로 마이크로파를 도입하여, 플라즈마를 발생시킨다. 공정실 내에서 발생한 플라즈마에 의해 반사된 반사파의 전력을 반사 모니터(40)와 전력 모니터(42)로써 모니터한다. 또한, 마그네트론(24)에 의해 발생된 마이크로파의 주파수를 입사 모니터(36)와 주파수 모니터(48)로 모니터한다. 모니터한 반사파의 전력과 주파수에 기초하여 마그네트론(24)에 공급하는 전력을 제어한다. 이러한 방법으로 플라즈마 밀도를 일정하게 제어한다.
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公开(公告)号：KR100566357B1
公开(公告)日：2006-03-31
申请号：KR1020037010658
申请日：2002-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고토 나오히사 , 오미 다다히로
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32229 , H01J37/32192
Abstract: 본 발명에 따른 마이크로파 플라즈마 처리 장치는 처리 용기(12)와, 마이크로파 발생기(24)와, 마이크로파를 마이크로파 발생기(24)로부터 도파시키는 도파관(22)과, 지파판(18)에 의해 파장 단축된 마이크로파를 상기 처리 용기 내의 공간에 방사하는 마이크로파 방사 부재(19)를 구비하고, 상기 도파관(22)은 상기 마이크로파 방사 부재(19)의 중앙 부분에 해당하는 위치에, 단일의 마이크로파 출력 개구부(22a)를 갖는다.
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