公开(公告)号：KR1020130033925A

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：KR1020117031717

申请日：2010-08-26

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 최브라이언 ,  베누고팔비자야쿠마르씨

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32862

Abstract: 플라즈마 프로세싱 챔버를 용이하게 시즈닝하기 위한 시스템이 개시된다. 이 시스템은 챔버 시즈닝 프로그램 (또는 CS 프로그램) 을 저장하는 컴퓨터-판독가능 매체를 포함한다. CS 프로그램은 플라즈마 프로세싱 챔버의 동작과 관련된 파라미터 세트의 제 1 복수의 값들 및 제 2 복수의 값들을 수신하기 위한 코드를 포함한다. CS 프로그램은 제 1 복수의 파라미터 값들 및 제 2 복수의 파라미터 값들을 이용하여, 복수의 파라미터들의 현재 값들이 안정되었는지의 여부를 확인하기 위한 코드를 포함한다. CS 프로그램은 또한 제 1 복수의 파라미터 값들이 아닌 제 2 복수의 파라미터 값들을 이용하여, 파라미터들의 현재 값들이 미리 결정된 범위 내에서 안정되었는지의 여부를 판정하기 위한 코드를 포함한다. 이 시스템은 또한 CS 프로그램과 관련된 하나 이상의 태스크들을 수행하기 위한 회로 하드웨어를 포함할 수도 있다.

公开(公告)号：KR1020130023025A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020117031593

申请日：2010-07-22

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 황충호 ,  베누고팔비자야쿠마르씨 ,  램코니 ,  포드레스닉드라간

IPC: H01L21/67 ,  G05B19/418 ,  G06F9/50 ,  G06F11/20

CPC classification number: G06F9/5027 ,  G05B19/4184 ,  G05B2219/31202 ,  G05B2219/31293 ,  G05B2219/31318 ,  G05B2219/31481 ,  G05B2219/32209 ,  G05B2219/45031 ,  G06F11/2035 ,  G06F11/2043 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/18 ,  H01L21/67253

Abstract: 플라즈마 프로세싱 시스템 내의 기판 프로세싱을 용이하게 하도록 구성된 PLTA (process-level troubleshooting architecture) 가 제공된다. 이 아키텍쳐는 프로세스 모듈 제어기를 포함한다. 이 아키텍쳐는 또한, 복수의 센서를 포함하며, 복수의 센서들의 각각의 센서는 하나 이상의 프로세스 파라미터에 대한 센싱된 데이터를 수집하도록 프로세스 모듈 제어기와 통신한다. 이 아키텍쳐는 프로세스 모듈 레벨 분석 서버를 더 포함하며, 이 프로세스 모듈 레벨 분석 서버는 복수의 센서 및 프로세스 모듈 제어기와 직접 통신한다. 프로세스 모듈 레벨 분석 서버는 데이터를 수신하도록 구성되며, 이 데이터는 복수의 센서로부터의 센싱된 데이터 및 프로세스 모듈 제어기로부터의 프로세스 모듈 및 챔버 데이터 중 적어도 하나를 포함한다. 프로세스 모듈 레벨 분석 서버는 또한, 기판 프로세싱 동안에 문제를 식별한 경우, 데이터를 분석하고 금지 데이터 (interdiction data) 를 프로세스 모듈 제어기에 직접 전송하도록 구성된다.

公开(公告)号：KR1020120037421A

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：KR1020117031592

申请日：2010-06-29

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 알바르드뤽 ,  베누고팔비자야쿠마르씨

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32935

Abstract: 기판 프로세싱 동안에 프로세싱 챔버 내에서 인시츄 고속 과도 이벤트를 검출하는 방법이 제공된다. 본 방법은 제 1 데이터 세트가 잠재적 인시츄 고속 과도 이벤트를 포함하는지를 결정하기 위해 기준 세트 (인시츄 고속 과도 이벤트) 와 데이트 세트를 비교하는 센서들의 세트를 포함한다. 제 1 데이터 세트가 잠재적 인시츄 고속 과도 이벤트를 포함하면, 본 방법은 또한 잠재적 인시츄 고속 과도 이벤트가 발생하는 기간 동안에 발생하는 전기 시그너처 (electrical signature) 를 저장 (saving) 하는 것을 포함한다. 본 방법은 저장된 아크 시그너처들의 세트에 대하여 전기 시그너처를 비교하는 것을 더 포함한다. 본 방법은 또한, 매치 (match) 가 결정되면, 전기 시그너처를 제 1 인시츄 고속 과도 이벤트로서 분류하고, 임계 범위들의 미리 정의된 세트에 기초하여 제 1 인시츄 고속 과도 이벤트에 대한 심각도 레벨을 결정하는 것을 더 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120037420A

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：KR1020117031574

申请日：2010-06-29

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 베누고팔비자야쿠마르씨 ,  벤자민닐마틴폴

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32935

Abstract: 레시피의 실행 동안 자동 인-시츄 프로세스 제어 방식을 구현하는 장치가 제공된다. 장치는 레시피 실행 동안 세트 포인트들의 모니터링을 용이하게 하기 위해 제1 세트의 센서 데이터를 적어도 수집하도록 구성된 제어-루프 센서들을 포함하며, 제어-루프 센서들은 프로세스 제어 루프의 일부이다. 장치는 또한 프로세스 제어 루프의 일부가 아닌 제2 세트의 센서 데이터을 적어도 수집하도록 구성된 독립 센서들을 포함한다. 장치는 또한 제1 세트의 센서 데이터 및 제 2 세트의 센서 데이터 중 적어도 하나를 적어도 수신하도록 구성된 허브를 포함한다. 장치는 또한 허브에 통신가능하게 커플링되어 제 1 세트의 센서 데이터 및 제 2 세트의 센서 데이터 중 적어도 하나의 분석을 수행하도록 구성된 분석 컴퓨터를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020050047126A

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：KR1020057005131

申请日：2003-09-18

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 캠프톰에이 ,  밀러앨런제이 ,  베누고팔비자야쿠마르씨

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069

Abstract: An apparatus and method for etching a feature in a wafer with improved depth control and reproducibility is described. The feature is etched at a first etching rate and then at a second etching rate, which is slower than the first etching rate. An optical end point device is used to determine the etching depth and etching is stopped so that the feature has the desired depth. Two different etching rates provides high throughput with good depth control and reproducibility. The apparatus includes an etching tool in which a chuck holds the wafer to be etched. An optical end point device is positioned to measure the feature etch depth. An electronic controller communicates with the optical end point device and the etching tool to control the tool to reduce the etch rate part way through etching the feature and to stop the etching tool, so that that the feature is etched to the desired depth.

Abstract translation: 描述了一种用于蚀刻具有改进的深度控制和再现性的晶片中的特征的装置和方法。 以第一蚀刻速率蚀刻该特征，然后以比第一蚀刻速率慢的第二蚀刻速率蚀刻该特征。 使用光学终点装置来确定蚀刻深度并停止蚀刻，使得特征具有期望的深度。 两种不同的蚀刻速率提供了高吞吐量，具有良好的深度控制和重现性。 该装置包括蚀刻工具，其中卡盘夹持待蚀刻的晶片。 定位光学终点装置以测量特征蚀刻深度。 电子控制器与光学终点装置和蚀刻工具通信以控制工具，以通过蚀刻特征来减少蚀刻速率，并停止蚀刻工具，使得该特征被蚀刻到期望的深度。

公开(公告)号：KR101799603B1

公开(公告)日：2017-11-20

申请号：KR1020117031712

申请日：2010-06-29

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 윤건수 ,  베누고팔비자야쿠마르씨

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  G06F17/00

CPC classification number: H01J37/3299 ,  G06F17/00 ,  H01J37/32935

Abstract: 기판프로세싱동안자동으로결함조건들을검출하고그 결함조건들을분류하기위한방법이제공된다. 이방법은기판프로세싱동안에센서들의세트에의해프로세싱데이터를수집하는단계를포함한다. 이방법은또한결함검출/분류콤포넌트로프로세싱데이터를전송하는단계를포함한다. 이방법은또한결함검출/분류콤포넌트에의해프로세싱데이터의데이터조작을수행하는단계를더 포함한다. 이방법은프로세싱데이터와결함라이브러리내에저장된복수의결함모델들사이에서비교를실행하는단계도또한포함한다. 복수의결함모델들중 각결함모델은특정결함조건의특성을나타낸데이터의세트를나타낸다. 각각의결함모델은적어도결함시그니처, 결함경계및 주요콤포넌트분석 (PCA) 파라미터들의세트를포함한다.

Abstract translation: 提供了一种用于在衬底处理期间自动检测缺陷条件并分类缺陷条件的方法。 该方法包括在基板处理期间通过一组传感器收集处理数据。 该方法还包括将处理数据传输到缺陷检测/分类组件。 该方法还包括通过缺陷检测/分类组件执行处理数据的数据操纵。 该方法还包括执行处理数据和存储在缺陷库中的多个缺陷模型之间的比较。 多个缺陷模型中的每个缺陷模型表示表示特定缺陷条件的特征的一组数据。 每个缺陷模型至少包括缺陷签名，缺陷边界和一组关键组分分析（PCA）参数。

公开(公告)号：KR101741273B1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020117031584

申请日：2010-06-09

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 최브라이언 ,  윤건수 ,  베누고팔비자야쿠마르씨 ,  윌리엄스노먼

IPC: H01L21/66 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32935

Abstract: 플라즈마프로세싱시스템 (플라즈마프로세싱챔버를포함함) 이웨이퍼들을처리할준비가되어있는지여부의판정을용이하게하기위한테스트시스템. 테스트시스템은적어도테스트프로그램을저장하는컴퓨터판독가능매체를포함할수도있다. 테스트프로그램은, 플라즈마프로세싱챔버내에플라즈마가존재하지않는경우적어도하나의센서에의해검출된신호들로부터도출된전기적파라미터값들을수신하기위한코드를포함할수도있다. 테스트프로그램은또한, 전기적파라미터값들및 수학적모델을이용하여전기적모델파라미터값들을생성하기위한코드를포함할수도있다. 테스트프로그램은또한, 전기적모델파라미터값들을베이스라인모델파라미터값 정보와비교하기위한코드를포함할수도있다. 테스트프로그램은또한, 이비교에기초하여플라즈마프로세싱시스템의레디니스를판정하기위한코드를포함할수도있다. 테스트시스템은또한, 테스트프로그램과연관된하나이상의태스크들을수행하기위한회로하드웨어를포함할수도있다.

Abstract translation: 用于确定等离子体处理系统（包括等离子体处理室）是否准备好处理晶片的测试系统。 测试系统可以至少包括存储测试程序的计算机可读介质。 如果在等离子体处理室中不存在等离子体，则测试程序可以包括用于接收从由至少一个传感器检测到的信号导出的电参数值的代码。 测试程序还可以包括用于使用电参数值和数学模型来生成电模型参数值的代码。 测试程序还可以包括用于将电模型参数值与基线模型参数值信息进行比较的代码。 测试程序还可以包括用于基于比较来确定等离子体处理系统的辐射率的代码。 测试系统还可以包括用于执行与测试程序相关联的一个或多个任务的电路硬件。

公开(公告)号：KR101741274B1

公开(公告)日：2017-05-29

申请号：KR1020117031592

申请日：2010-06-29

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 알바르드뤽 ,  베누고팔비자야쿠마르씨

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32935

Abstract: 기판프로세싱동안에프로세싱챔버내에서인시츄고속과도이벤트를검출하는방법이제공된다. 본방법은제 1 데이터세트가잠재적인시츄고속과도이벤트를포함하는지를결정하기위해기준세트 (인시츄고속과도이벤트) 와데이트세트를비교하는센서들의세트를포함한다. 제 1 데이터세트가잠재적인시츄고속과도이벤트를포함하면, 본방법은또한잠재적인시츄고속과도이벤트가발생하는기간동안에발생하는전기시그너처 (electrical signature) 를저장 (saving) 하는것을포함한다. 본방법은저장된아크시그너처들의세트에대하여전기시그너처를비교하는것을더 포함한다. 본방법은또한, 매치 (match) 가결정되면, 전기시그너처를제 1 인시츄고속과도이벤트로서분류하고, 임계범위들의미리정의된세트에기초하여제 1 인시츄고속과도이벤트에대한심각도레벨을결정하는것을더 포함한다.

公开(公告)号：KR101741272B1

公开(公告)日：2017-05-29

申请号：KR1020117031574

申请日：2010-06-29

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 베누고팔비자야쿠마르씨 ,  벤자민닐마틴폴

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32935

Abstract: 레시피의실행동안자동인-시츄프로세스제어방식을구현하는장치가제공된다. 장치는레시피실행동안세트포인트들의모니터링을용이하게하기위해제1 세트의센서데이터를적어도수집하도록구성된제어-루프센서들을포함하며, 제어-루프센서들은프로세스제어루프의일부이다. 장치는또한프로세스제어루프의일부가아닌제2 세트의센서데이터을적어도수집하도록구성된독립센서들을포함한다. 장치는또한제1 세트의센서데이터및 제 2 세트의센서데이터중 적어도하나를적어도수신하도록구성된허브를포함한다. 장치는또한허브에통신가능하게커플링되어제 1 세트의센서데이터및 제 2 세트의센서데이터중 적어도하나의분석을수행하도록구성된분석컴퓨터를포함한다.

公开(公告)号：KR1020120107846A

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：KR1020117031712

申请日：2010-06-29

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 윤건수 ,  베누고팔비자야쿠마르씨

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  G06F17/00

CPC classification number: H01J37/3299 ,  G06F17/00 ,  H01J37/32935 ,  H01L22/24 ,  H01L21/67253

Abstract: 기판 프로세싱 동안 자동으로 결함 조건들을 검출하고 그 결함 조건들을 분류하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은 기판 프로세싱 동안에 센서들의 세트에 의해 프로세싱 데이터를 수집하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 결함 검출/분류 콤포넌트로 프로세싱 데이터를 전송하는 단계를 포함한다. 이 방법은 또한 결함 검출/분류 콤포넌트에 의해 프로세싱 데이터의 데이터 조작을 수행하는 단계를 더 포함한다. 이 방법은 프로세싱 데이터와 결함 라이브러리 내에 저장된 복수의 결함 모델들 사이에서 비교를 실행하는 단계도 또한 포함한다. 복수의 결함 모델들 중 각 결함 모델은 특정 결함 조건의 특성을 나타낸 데이터의 세트를 나타낸다. 각각의 결함 모델은 적어도 결함 시그니처, 결함 경계 및 주요 콤포넌트 분석 (PCA) 파라미터들의 세트를 포함한다.