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公开(公告)号：CN109643673A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053849.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/32917 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L22/26
Abstract: 本文描述的是用于确定从等离子体处理系统获取的光发射光谱(OES)数据的终点的架构、平台和方法。所述OES数据例如包括吸附步骤过程、解吸步骤过程或其组合。在该示例中，所述OES数据在终点确定之前经受信号同步和瞬态信号滤波，这可以通过应用移动平均滤波器来实现。
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公开(公告)号：CN107431011A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680020214.2
申请日：2016-03-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32963
Abstract: 一种对衬底上的层进行蚀刻的方法包括：将衬底设置在被配置成便于蚀刻过程的等离子体处理系统中(112)；执行原子层蚀刻过程循环以对衬底的露出表面的单层进行蚀刻(114至117)；以及重复原子层蚀刻过程循环，直到达到目标深度(120)。每个过程循环从露出表面对单层进行蚀刻。原子层蚀刻过程循环依次包括：通过引入蚀刻剂在衬底的露出表面上形成包括蚀刻剂的吸附单层(114)，同时以目标是实现衬底处的蚀刻剂自由基通量大于衬底处的总离子通量的功率水平将电磁功率耦合至等离子体处理系统，该功率水平小于或等于50W(118)；对等离子体处理系统进行净化以去除任何多余的蚀刻剂(115)；通过将吸附单层暴露于气体离子以激活蚀刻剂的反应来解吸吸附单层(116)；以及再次对等离子体处理系统进行净化(117)。
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公开(公告)号：CN107424898A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710358043.0
申请日：2017-05-19
Applicant: SPTS科技有限公司
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , C23C16/452 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01J37/32963 , H01J2237/335
Abstract: 根据本发明提供了一种使用自由基对等离子体处理装置的室进行清洁的方法，包括以下步骤：在与所述室分离的远程等离子体源内产生等离子体，所述等离子体包括自由基和离子；通过使得自由基能够从所述远程等离子体源进入所述室来清洁所述室，同时防止在所述远程等离子体源产生的离子的大部分进入所述室；对清洁过程中在所述室的组件上形成的DC偏置进行检测；以及使用所检测的DC偏置来确定所述清洁的终点，并且在确定所述终点时终止所述清洁。
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公开(公告)号：CN106816373A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610830422.0
申请日：2016-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L22/26 , B81C1/00587 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤。(a)将衬底图案化。(b)在所述图案化的衬底上形成聚合物层。(c)将所述聚合物层图案化。交替重复步骤(a)、(b)与(c)。检测等离子与步骤(a)、(b)与(c)产生的产物反应所发生的发射光的强度。所述强度的采样速度范围大体上为1pt/20ms到1pt/100ms。使用平滑函数处理所述等离子与所述产物的所述反应所发生的所述发射光的所述强度。
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公开(公告)号：CN105308132A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480031264.1
申请日：2014-05-29
Applicant: 株式会社樱花彩色笔
IPC: C09D11/033 , C09D11/16 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32963 , B43K1/082 , B43K7/00 , B43K7/01 , B43K8/00 , B65D5/4216 , B65D75/522 , B65D81/2084 , C08K5/053 , C08K5/23 , C08K5/3417 , C09D11/02 , C09D11/03 , C09D11/033 , C09D11/037 , C09D11/102 , C09D11/16 , G06K19/06028 , G06K19/0614 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H05H1/0018 , H05H1/0068
Abstract: 本发明的课题在于提供不需要大型的装置、可以对被处理物各自个别检测等离子体处理的完成的墨液组合物及使用其的指示器。一种墨液组合物，其特征在于，其是含有色素及非离子系表面活性剂的等离子体处理检测用墨液组合物，其中，(1)上述色素为选自由蒽醌系色素、次甲基系色素、偶氮系色素及酞菁系色素组成的组中的至少1种，(2)上述非离子系表面活性剂为通式(I)～(V)所示的非离子系表面活性剂中的至少1种。〔其中，上述通式中，R1、R2、R3及R4分别独立地表示氢、碳原子数为1～30的直链或支链的脂肪族烃基。X表示氧或酯键。AO表示来自环氧烷烃的重复单元。n表示1～200的整数。a+b+c表示3～200的整数。p+q表示0～20的整数〕。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102683237B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110307168.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/321
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/12 , G05B2219/49085 , H01J37/32963 , H01L21/3212 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法。该方法包括：为化学机械抛光(CMP)系统中的抛光焊盘限定焊盘寿命的多个时间区域；根据焊盘寿命的多个时间区域将阶梯系数分配给抛光焊盘；根据焊盘寿命影响分别限定多个时间区域的多个端点窗口；将CMP工艺施加给位于抛光焊盘上的晶圆；基于阶梯系数确定晶圆的抛光信号的时间区域；根据时间区域使端点窗口之一与抛光信号相关联；以及在由端点窗口所确定的端点处结束CMP工艺。
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公开(公告)号：CN102339714B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110279931.6
申请日：2006-03-24
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
CPC classification number: H01J37/32963 , H01J37/32935
Abstract: 本发明公开一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置。所述层通过先前处理沉积在表面上。所述装置包括用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度。所述装置还包括用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度，以及用于确定所述厚度作为时间的函数的装置。所述装置进一步包括用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。
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公开(公告)号：CN103107082A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210450966.6
申请日：2012-11-12
Applicant: 英赛特半导体有限公司
Inventor： 罗伯特·K·福斯特 , 克里斯托弗·帕沃夫伊兹 , 贾森·阿布特 , 伊恩·琼斯 , 海因茨·约瑟夫·内特威切
IPC: H01L21/311
CPC classification number: C23F4/00 , G01N1/32 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01L21/2633 , H01L22/26 , H01L23/00 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了对离子束打磨机中的样品的层进行去层的方法、系统和计算机程序产品，所述层包括一种或多种材料，所述去层过程是通过调整离子束打磨机的一个或多个操作参数并且选择性地将上述一种或多种材料中的各材料按照它们各自的预定速率移除而实现的。本发明也提供了用于获得材料的移除速率的方法和系统，该材料来自离子束打磨机中的样品。
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公开(公告)号：CN102339714A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110279931.6
申请日：2006-03-24
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 埃里克·赫德森 , 道格拉斯·凯尔 , 阿列克谢·马拉赫塔诺夫
CPC classification number: H01J37/32963 , H01J37/32935
Abstract: 本发明公开一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置。所述层通过先前处理沉积在表面上。所述装置包括用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度。所述装置还包括用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度，以及用于确定所述厚度作为时间的函数的装置。所述装置进一步包括用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。
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公开(公告)号：CN101359586B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810134716.5
申请日：2008-07-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4405 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01J37/32963
Abstract: 由于远程等离子体清洁与成膜时不同，並非适合于等离子体激发的條件，因此局部地激发等离子体本身就比较困难，而且，在使用光的方法中，存在着检测窗模糊这一CVD工艺中不可避免的问题，因而并不适合于量产步骤。用来解决这些问题的本案发明的概要是一种反复进行下述步骤的半导体集成电路装置的制造方法，即：在反应室内使用等离子体来激发反应气体以堆积所需的膜的步骤；以及向该反应室内导入在远程等离子体激发室内经过激发的清洁气体而在非等离子体激发环境下对该反应室进行远程等离子体清洁的步骤，其中，通过电容耦合型的等离子体激发系统，于反应室或用来进行反应室的排气的真空系统内生成局部等离子体，并对该等离子体的电气特性进行监控，以此检测出远程等离子体清洁的终点。
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