公开(公告)号：KR1020060082540A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：KR1020050002926

申请日：2005-01-12

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 손성범 ,  신동숙 ,  송순모 ,  김익섭

IPC: C03C8/08

CPC classification number: C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/08 ,  C03C8/18

Abstract: 칩수동소자의 보호막용 글라스프릿트와 이를 이용하는 칩수동소자가 제공된다. 본 발명의 글라스 프릿트는, 몰%로 P
2 O
5 :30~60%와, ZnO와 BaO의 그룹에서 선택된 1종이상:30~60%, Al
2 O
3 와 Fe
2 O
3 의 그룹에서 선택된 1종이상:3~20%로 조성된다. 본 발명의 글라스 프릿트는 내산성이 우수하여 칩수동소자의 표면에 코팅함에 따라 리플로우 솔더링 및 전해 도금에 따른 소자의 표면침식이나 도금 번짐 현상을 억제할 수 있다. 그 결과, 전해 도금에 따른 브리징 현상이나 칩수동소자의 특성 저하를 억제할 수 있다.
글라스 프릿트, 칩 수동소자, 보호피막, 도금 번짐, 내산성

公开(公告)号：KR1020050048855A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030082593

申请日：2003-11-20

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송순모 ,  허강헌 ,  김정욱 ,  권영근

IPC: C04B35/00

CPC classification number: H01G4/008 ,  H01B1/02 ,  H01B3/12 ,  H01F27/29 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30

Abstract: 본 발명은 내부전극과의 접촉성과 내산성을 동시에 만족하는 글라스 프릿트와 그 제조방법, 이 글라스 프릿트를 이용하는 도체 페이스트 조성물 및 적층세라믹 커패시터에 관한 것이다. 이 글라스 프릿트는 aSiO
2 -bB
2 O
3 -cZnO-dNa
2 O-eK
2 O-fCaO-gBaO-hAl
2 O
3 -iSnO
2 로 표현되고, a+b+c+d+e+f+g+h+i=1로서 ㏖%로 0.25≤a≤0.30, 0.13≤b≤0.17, 0.36≤c≤0.40, 0.04≤d≤0.07, 0.02≤e≤0.05, 0.02≤f≤0.04, 0.04≤g≤0.05, 0.01≤h≤0.025, 0≤i≤0.005를 만족하도록 조성된다. 본 발명에서는 이 글라스 프릿트의 제조방법, 이를 이용한 외부전극용 페이스트 조성물 및 적층세라믹 커패시터 또한 제공된다.

公开(公告)号：KR101158188B1

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：KR1020100009118

申请日：2010-02-01

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송순모 ,  김효섭 ,  김건우 ,  김상혁 ,  권상훈 ,  허강헌

IPC: B82B3/00

CPC classification number: B01J19/08 ,  C04B35/00

Abstract: 본 발명은 나노 입자 형성장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 나노 입자 형성장치는 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성기, 합성된 나노 입자를 회수하는 회수기, 그리고 플라즈마 생성기와 회수기 사이에 배치되며 플라즈마 생성기로부터 공급되는 원료를 냉각시켜 나노 입자를 합성시키는 냉각 유로를 구비하는 냉각기를 포함하되, 냉각 유로는 나노 입자의 이동 방향으로 갈수록 구간별로 낮은 냉각 온도를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020110089630A

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：KR1020100009118

申请日：2010-02-01

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송순모 ,  김효섭 ,  김건우 ,  김상혁 ,  권상훈 ,  허강헌

IPC: B82B3/00

CPC classification number: B01J19/08 ,  C04B35/00

Abstract: PURPOSE: An apparatus for synthesizing nanoparticles and a method for synthesizing the nanoparticles using the same are provided to efficiently form nanoparticles of a large size by preventing the rapid freezing of a raw material. CONSTITUTION: A plasma generator(110) generates plasma. A collector(140) collects synthesized nanoparticles. A cooler(120) is arranged between the plasma generator and the collector and synthesizing the nanoparticles by cooling a raw material from the plasma generator. The cooler includes a cooling path. The cooling temperature of the cooling path is differently set by sections. A method for synthesizing the nanoparticles includes the following: The raw material is moved to one direction. The raw material is cooled to synthesize the nanoparticles.

Abstract translation: 目的：提供一种合成纳米颗粒的装置和使用其的纳米颗粒的合成方法，以通过防止原料的快速冷冻来有效地形成大尺寸的纳米颗粒。 构成：等离子体发生器（110）产生等离子体。 收集器（140）收集合成的纳米颗粒。 在等离子体发生器和收集器之间布置有冷却器（120），并通过冷却来自等离子体发生器的原料来合成纳米颗粒。 冷却器包括冷却通道。 冷却路径的冷却温度由各部分设定不同。 合成纳米颗粒的方法包括以下步骤：使原料向一个方向移动。 将原料冷却以合成纳米颗粒。

公开(公告)号：KR100813601B1

公开(公告)日：2008-03-17

申请号：KR1020060094572

申请日：2006-09-28

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 안성용 ,  조항규 ,  송순모 ,  손성범

IPC: C03C3/076 ,  C03C3/078 ,  C03C3/085 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C03C1/006 ,  B82Y40/00 ,  C03C3/078 ,  C03C3/089 ,  C03C8/02 ,  C03C8/16 ,  C03C12/00 ,  H01B3/10

Abstract: A preparation method of nano glass powder is provided to obtain high quality nano glass powder having homogeneous particle distribution by employing sol-gel method. A preparation method of nano glass powder comprises steps of: dissolving a starting material of Ba and other starting material of B in distilled water; adding acetic acid in the prepared solution; adding alcohols in the prepared solution; making a gel by reacting the prepared solution with a starting material of silicon; drying the obtained gel; and heating the resultant. The starting material of Ba is selected from a group consisting of barium acetate, barium chloride, barium hydroxide octahydrate and barium nitrate. The starting material of B is selected from a group consisting of boric acid and trimethyl borate. The rate, distilled water:acetic acid:alcohols is 0.7-1.3:0.0-0.2:0.5-1.3. The starting material of silicon is tetraethyl orthosilicate. The composition of glass powder is aBaO-bB2O3-cSiO2, wherein, a sum of a, b and c is 1, a is ranged from 0.05 to 0.35, b is ranged from 0.05 to 0.25, and c is ranged from 0.35 to 0.65 by mol%.

Abstract translation: 提供纳米玻璃粉末的制备方法，通过溶胶 - 凝胶法获得具有均匀粒子分布的高品质纳米玻璃粉末。 纳米玻璃粉末的制备方法包括以下步骤：将Ba原料和其他起始原料溶解在蒸馏水中; 在制备的溶液中加入乙酸; 在制备的溶液中加入醇; 通过使制备的溶液与硅的起始材料反应来制备凝胶; 干燥所得凝胶; 并加热所得物。 Ba的原料选自乙酸钡，氯化钡，氢氧化钡八水合物和硝酸钡。 B的原料选自硼酸和硼酸三甲酯。 蒸馏水：乙酸：醇的比例为0.7-1.3：0.0-0.2：0.5-1.3。 硅原料是原硅酸四乙酯。 玻璃粉末的组成是aBaO-bB 2 O 3 -cSiO 2，其中a，b和c之和为1，a为0.05至0.35，b为0.05至0.25，c为0.35至0.65，由 摩尔％。

公开(公告)号：KR100664979B1

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：KR1020030082593

申请日：2003-11-20

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송순모 ,  허강헌 ,  김정욱 ,  권영근

IPC: C04B35/00

Abstract: 본 발명은 내부전극과의 접촉성과 내산성을 동시에 만족하는 글라스 프릿트와 그 제조방법, 이 글라스 프릿트를 이용하는 도체 페이스트 조성물 및 적층세라믹 커패시터에 관한 것이다. 이 글라스 프릿트는 aSiO
2 -bB
2 O
3 -cZnO-dNa
2 O-eK
2 O-fCaO-gBaO-hAl
2 O
3 -iSnO
2 로 표현되고, a+b+c+d+e+f+g+h+i=1로서 ㏖%로 0.25≤a≤0.30, 0.13≤b≤0.17, 0.36≤c≤0.40, 0.04≤d≤0.07, 0.02≤e≤0.05, 0.02≤f≤0.04, 0.04≤g≤0.05, 0.01≤h≤0.025, 0≤i≤0.005를 만족하도록 조성된다. 본 발명에서는 이 글라스 프릿트의 제조방법, 이를 이용한 외부전극용 페이스트 조성물 및 적층세라믹 커패시터 또한 제공된다.
글라스 프릿트, 외부전극 페이스트, 적층세라믹 커패시터, Ni-Cu 접촉성, 내산성

公开(公告)号：KR1020060093824A

公开(公告)日：2006-08-28

申请号：KR1020050014584

申请日：2005-02-22

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 김익섭 ,  신동숙 ,  송순모 ,  손성범

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H01L23/08 ,  H01L23/291

Abstract: 칩수동소자의 보호막용 글라스프릿트와 이 글라스 프릿트가 표면에 보호막으로 형성되는 칩수동소자가 제공된다. 본 발명의 글라스 프릿트는 aSiO
2 -bB
2 O
3 -cBi
2 O
3 -dLi
2 O-eK
2 O-fZnO-gAl
2 O
3 -hSnO
2 로 조성되고, 상기 a+b+c+d+e+f+g+h=100으로서 ㏖%로 9≤a≤18, 20≤b≤30, 20≤c≤30, 7≤d≤12, 3≤e≤8, 6≤f≤13, 0≤g≤8, 3≤h≤6를 만족하여 조성된다.
본 발명의 글라스 프릿트는 내산성과 내습성이 우수하여 칩수동소자 표면에 코팅함에 따라 리플로우 솔더링 및 전해 도금에 따른 칩수동소자의 표면 침식이나 도금 번짐 현상의 억제에 효과적이다. 그 결과, 전해 도금에 따른 브리징 현상이나 칩수동소자의 특성 저하를 방지할 수 있다.
글라스 프릿트, 칩 수동소자, 보호피막, 도금 번짐, 내산성