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    글라스 분말 및 이의 제조방법
    1.
    发明公开
    글라스 분말 및 이의 제조방법 有权
    玻璃粉及其制备方法

    公开(公告)号：KR1020120083707A

    公开(公告)日：2012-07-26

    申请号：KR1020110004999

    申请日：2011-01-18

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 안성용 ,  김정욱 ,  손성범 ,  한진우 ,  송순모

    IPC: C03C3/089 ,  C03C3/078 ,  C03C12/00 ,  C03B37/00

    CPC classification number: C03C8/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C1/006 ,  C03C3/064 ,  C03C3/089 ,  C03C12/00 ,  C03C14/00 ,  C04B35/00 ,  C04B2235/365 ,  Y10T428/2982

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of glass powder and glass powder are provided to have average particle size of nanometer unit and manufacture glass powder having uniform distribution of the particle size. CONSTITUTION: Glass powder is marked as chemical formula 1. The chemical formula 1 is same as the follow: aLi2O-bK2O-cBaO-dB2O3-eSiO2. In the chemical formula, a+b+c+d+e=1. Based on mol%, 0.01ΔaΔ0.1, 0.01ΔbΔ0.1, 0.01ΔcΔ0.1, 0.05ΔdΔ0.3, 0.3ΔeΔ0.7. The particle size of the glass powder is 10-100 nano meters. A manufacturing method of the glass powder comprises the following steps: dissolving starting materials including lithium, potassium, boron, and barium in a solvent; additionally reacting silicon starting raw material; manufacturing a solution having adjusted pH in a separate container; and adding the reaction solution to the solution having controlled pH; and manufacturing the nanoglass.

    Abstract translation: 目的：提供玻璃粉末和玻璃粉末的制造方法，其平均粒径为纳米单位，并制造具有均匀粒径分布的玻璃粉末。 规定：玻璃粉末标记为化学式1.化学式1与以下相同：aLi2O-bK2O-cBaO-dB2O3-eSiO2。 在化学式中，a + b + c + d + e = 1。 基于mol％，0.01ΔaΔ0.1,0.01ΔbΔ0.1,0.01ΔcΔ0.1,0.05ΔdΔ0.3,0.3ΔeΔ0.7。 玻璃粉末的粒径为10-100纳米。 玻璃粉末的制造方法包括以下步骤：将包含锂，钾，硼和钡的原料溶解在溶剂中; 另外反应硅起始原料; 制造在单独的容器中调节pH的溶液; 并将反应溶液加入到具有受控pH的溶液中; 并制造纳米级。

    저온 소결용 글라스 프릿트와 저온소성 자기조성물, 칩부품
    3.
    发明授权
    저온 소결용 글라스 프릿트와 저온소성 자기조성물, 칩부품 失效
    玻璃料用于低温烧结和低温共烧陶瓷组合物，芯片组件

    公开(公告)号：KR100691149B1

    公开(公告)日：2007-03-09

    申请号：KR1020050002138

    申请日：2005-01-10

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 김익섭 ,  신동숙 ,  송순모

    IPC: C03C3/064

    Abstract: 저온 소결용 글라스 프릿트와 이를 이용하는 저온소성 자기조성물, 칩부품이 제공된다. 본 발명의 글라스 프릿트는, aSiO
    2 -bB
    2 O
    3 -cZnO-dTiO
    2 -eK
    2 O- fBaO-gCuO-hAl
    2 O
    3 -iBi
    2 O
    3 -jLi
    2 O-kSnO
    2 로 조성되고, 상기 a+b+c+d+e+f+g+h+i+j+k=1로서 ㏖%로 0.09≤a≤0.13, 0.15≤b≤0.25, 0.09≤c≤0.15, 0.10≤d≤0.18, 0.02≤e≤0.05, 0.06≤f≤0.10, 0.001≤g≤0.01, 0.005≤h≤0.02, 0.01≤i≤0.15, 0.15≤j≤0.22, 0.002≤k≤0.05를 만족한다.
    본 발명에 의하면 연화점이 낮고 내산성, 내습성이 우수한 글라스 프릿트가 얻어지며, 저온소성 자기조성물과 칩부품은 상기 글라스프릿트에 의해 유전율과 품질계수가 개선된다.
    글라스 프릿트, 유전체, LTCC, 내산성

    저온 소결용 글라스 프릿트
    4.
    发明授权
    저온 소결용 글라스 프릿트 有权
    用于低温烧结的玻璃纤维

    公开(公告)号：KR100674860B1

    公开(公告)日：2007-01-29

    申请号：KR1020050073378

    申请日：2005-08-10

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 김익섭 ,  송순모 ,  정현진

    IPC: C03C8/02 ,  C03C3/064 ,  C04B35/01

    CPC classification number: C03C3/091 ,  C03C3/064 ,  C03C8/00 ,  C03C8/02 ,  C03C3/083 ,  C03C3/089 ,  C03C4/16 ,  C04B35/01 ,  H01B3/10

    Abstract: A glass frit with constant composition of aSiO2-bB2O3-cAl2O3-dLi2O-eMnO2 for low temperature sintering is provided to prevent gelation and to improve acid resistance, moisture resistance and electric properties of sintered bodies after calcination by comprising SiO2, B2O3, Al2O3, Li2O and MnO2 with specific relative compositions thereof. The glass frit comprises constitutional compounds satisfying an equation of: aSiO2-bB2O3-cAl2O3-dLi2O-eMnO2 wherein a+b+c+d+e=100 and a ranges from 44 to 57mol%, b ranges from 10 to 19mol%, c ranges from 0.5 to 2.0mol%, d ranges from 30 to 37mol%, e ranges from 0 to 1.0mol%. Ratio of SiO2 to B2O3 satisfies that a/b ranges from 2.3 to 5.7. LTCC(low temperature co-fired ceramic) comprises 70 to 90wt.% of ceramic powder and 10 to 30wt.% of the glass frit. The ceramic powder is selected from MgTiO3, SrTiO3, CaTiO3, MgSiO4, BaTi4O9, Al2O3, TiO2, SiO2, (Mg,Ti)2(BO4)O, ZrO2 and combination thereof.

    Abstract translation: 提供了一种用于低温烧结的SiO 2 -bB 2 O 3 -cAl 2 O 3 -Di 2 O-eMnO 2组成恒定的玻璃料，以防止凝胶化，并且通过包括SiO 2，B 2 O 3，Al 2 O 3，Li 2 O在煅烧后提高烧结体的耐酸性，耐湿性和电性能 和具有其相对组成的MnO 2。 玻璃料包括满足以下等式的结构化合物：aSiO 2 -BB 2 O 3 -cAl 2 O 3 -Di 2 O-eMnO 2其中a + b + c + d + e = 100，范围44至57摩尔％，b为10至19摩尔％，c 范围为0.5〜2.0mol％，d为30〜37mol％，e为0〜1.0mol％。 SiO 2与B 2 O 3的比例满足a / b为2.3〜5.7。 LTCC（低温共烧陶瓷）由70〜90重量％的陶瓷粉末和10〜30重量％的玻璃料组成。 陶瓷粉末选自MgTiO3，SrTiO3，CaTiO3，MgSiO4，BaTi4O9，Al2O3，TiO2，SiO2，（Mg，Ti）2（BO4）O，ZrO2及其组合。

    저온 소결용 글라스 프릿트와 저온소성 자기조성물, 칩부품
    5.
    发明公开
    저온 소결용 글라스 프릿트와 저온소성 자기조성물, 칩부품 失效
    低温烧结玻璃纤维和低温共烧陶瓷组合物，芯片组件

    公开(公告)号：KR1020060081747A

    公开(公告)日：2006-07-13

    申请号：KR1020050002138

    申请日：2005-01-10

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 김익섭 ,  신동숙 ,  송순모

    IPC: C03C3/064

    CPC classification number: C03C8/14 ,  C03C3/066 ,  C03C4/16 ,  H01B3/10 ,  H01B3/12

    Abstract: 저온 소결용 글라스 프릿트와 이를 이용하는 저온소성 자기조성물, 칩부품이 제공된다. 본 발명의 글라스 프릿트는, aSiO
    2 -bB
    2 O
    3 -cZnO-dTiO
    2 -eK
    2 O- fBaO-gCuO-hAl
    2 O
    3 -iBi
    2 O
    3 -jLi
    2 O-kSnO
    2 로 조성되고, 상기 a+b+c+d+e+f+g+h+i+j+k=1로서 ㏖%로 0.09≤a≤0.13, 0.15≤b≤0.25, 0.09≤c≤0.15, 0.10≤d≤0.18, 0.02≤e≤0.05, 0.06≤f≤0.10, 0.001≤g≤0.01, 0.005≤h≤0.02, 0.01≤i≤0.15, 0.15≤j≤0.22, 0.002≤k≤0.05를 만족한다.
    본 발명에 의하면 연화점이 낮고 내산성, 내습성이 우수한 글라스 프릿트가 얻어지며, 저온소성 자기조성물과 칩부품은 상기 글라스프릿트에 의해 유전율과 품질계수가 개선된다.
    글라스 프릿트, 유전체, LTCC, 내산성

    저온 소결용 유리 조성물과 이를 이용한 유리 프릿, 유전체조성물, 적층 세라믹 커패시터
    8.
    发明授权
    저온 소결용 유리 조성물과 이를 이용한 유리 프릿, 유전체조성물, 적층 세라믹 커패시터 失效
    用于低温烧结的玻璃组合物，玻璃纤维，电介质组合物和使用其的多层陶瓷电容器

    公开(公告)号：KR100790682B1

    公开(公告)日：2008-01-02

    申请号：KR1020060088926

    申请日：2006-09-14

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 손성범 ,  허강헌 ,  나은상 ,  송태호 ,  송순모 ,  정한승 ,  최연규 ,  조준엽

    IPC: C03C3/076 ,  C03C3/089 ,  C03C3/087

    CPC classification number: C03C8/14 ,  C03C3/076 ,  C03C8/02 ,  C03C8/24 ,  H01B3/10 ,  H01B3/12

    Abstract: A glass composition for low temperature sintering, a glass frit, a dielectric composition comprising the glass composition and a multilayer ceramic capacitor comprising the dielectric composition are provided to sinter BaTiO3 dielectric layer at low temperature for minimizing short-cut generating rate and for maximizing stability sufficient for satisfying X5R dielectric property by decreasing the difference of sinter shrinking between inner electrode layer and dielectric layer. The glass composition for low temperature sintering consists of aR2O-bMO-cMF2-dB2O3-eSiO2, wherein a, b, c, d and e satisfy the relations of 2

    Abstract translation: 提供一种用于低温烧结的玻璃组合物，玻璃料，包含玻璃组合物的电介质组合物和包含电介质组合物的多层陶瓷电容器，以在低温下烧结BaTiO 3电介质层，以使短切产生速率最小化并使最大化稳定性足够 通过减少内部电极层和电介质层之间的烧结收缩的差异来满足X5R介电性能。 用于低温烧结的玻璃组合物由R 2 O-bMO-cMF 2 -dB 2 O 3 -eSiO 2组成，其中a，b，c，d和e满足2 <= a <= 10,0 <= b <= 30,1 <= c <= 5,10 <= d <= 30,50 <= e <= 80和a + b + c + d + e = 100mol％，R2O为选自Li2O和K2O中的至少一种，MO为 至少一种选自CaO和BaO，MF2为选自CaF 2和BaF 2中的至少一种。 包含玻璃组合物的低温烧结玻璃料是球形的，玻璃料的平均粒度为100-200nm。 电介质组合物包含1.0-3.0摩尔的玻璃组合物以及辅助成分，其含有0.5-2.0摩尔的MgO，0.1-2.0摩尔的稀土元素的氧化物（选自Y 2 O 3，Ho 2 O 3和 Dy2O3），0.05-0.5摩尔MnO和0.05-0.5摩尔V2O5相对于100摩尔BaTiO 3。 多层陶瓷电容器包括多个电介质层，介电层之间的内部电极和与电极连接到内部电极的外部电极，其中介电层由电介质组合物组成。

    칩수동소자의 표면보호막용 글라스 프릿트와 이로부터 얻어지는 칩수동소자
    9.
    发明授权
    칩수동소자의 표면보호막용 글라스 프릿트와 이로부터 얻어지는 칩수동소자 失效
    用于芯片被动元件和芯片被动元件的涂层材料的玻璃

    公开(公告)号：KR100649634B1

    公开(公告)日：2006-11-27

    申请号：KR1020050014584

    申请日：2005-02-22

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 김익섭 ,  신동숙 ,  송순모 ,  손성범

    IPC: H01L23/28

    Abstract: 칩수동소자의 보호막용 글라스프릿트와 이 글라스 프릿트가 표면에 보호막으로 형성되는 칩수동소자가 제공된다. 본 발명의 글라스 프릿트는 aSiO
    2 -bB
    2 O
    3 -cBi
    2 O
    3 -dLi
    2 O-eK
    2 O-fZnO-gAl
    2 O
    3 -hSnO
    2 로 조성되고, 상기 a+b+c+d+e+f+g+h=100으로서 ㏖%로 9≤a≤18, 20≤b≤30, 20≤c≤30, 7≤d≤12, 3≤e≤8, 6≤f≤13, 0≤g≤8, 3≤h≤6를 만족하여 조성된다.
    본 발명의 글라스 프릿트는 내산성과 내습성이 우수하여 칩수동소자 표면에 코팅함에 따라 리플로우 솔더링 및 전해 도금에 따른 칩수동소자의 표면 침식이나 도금 번짐 현상의 억제에 효과적이다. 그 결과, 전해 도금에 따른 브리징 현상이나 칩수동소자의 특성 저하를 방지할 수 있다.
    글라스 프릿트, 칩 수동소자, 보호피막, 도금 번짐, 내산성

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