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公开(公告)号：KR1020050040161A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030075220
申请日：2003-10-27
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/16 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014
Abstract: 저접촉 저항 및 고반사도를 동시에 만족할 수 있는 고반사막 전극 및 그를 구비하는 반도체 발광 소자가 개시된다. 개시된 반도체 발광 소자는 투명 기판과, 전자 주입층의 제 1 영역 상에 형성된 활성층과, 활성층 상에 형성된 정공 주입층과, 정공 주입층 상에 형성되며 높은 반사율과 낮은 접촉 저항을 동시에 제공할 수 있는 제 1 전극 구조와, 전자 주입층의 제 2 영역 상에 형성된 제 2 전극 구조 및 제 1 및 제 2 전극 구조와 전기적으로 결합된 회로 기판을 구비한다. 따라서, 정공 주입층 상에 접촉하는 컨택 메탈의 면적을 조절함으로써 컨택 메탈층에 의한 빛의 흡수를 감소시키면서도 반도체 발광 소자의 광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040022703A
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：KR1020020054327
申请日：2002-09-09
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , Y10S257/918 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode with high efficiency is provided to increase the quantity of light emission by making a p-type electrode have a filling ratio of 20-80 percent in an LED which emits light of wavelength not greater than 430 nanometer. CONSTITUTION: A substrate(41) is prepared. The first compound semiconductor layer(42) is formed on the substrate. The first electrode(48) is formed in a partial region on the first compound semiconductor layer. An active layer(44) generates the light of wavelength not greater than 430 nanometer, formed on a region except the first electrode on the first compound semiconductor layer. The second compound semiconductor layer(46) is formed on the active layer. The second electrode(49) is formed on the second compound semiconductor layer in such a way that the filling ratio of the second electrode is 20-80 percent with respect to the upper surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供高效率的发光二极管，通过在发射波长不大于430纳米的光的LED中使p型电极具有20-80％的填充率来增加发光量。 构成：制备基材（41）。 第一化合物半导体层（42）形成在基板上。 第一电极（48）形成在第一化合物半导体层上的部分区域中。 活性层（44）产生波长不大于430纳米的光，其形成在除第一化合物半导体层上的第一电极之外的区域上。 第二化合物半导体层（46）形成在有源层上。 第二电极（49）形成在第二化合物半导体层上，使得第二电极的填充率相对于基板的上表面为20-80％。
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公开(公告)号：KR1020020063398A
公开(公告)日：2002-08-03
申请号：KR1020010004035
申请日：2001-01-29
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01S5/32
Abstract: PURPOSE: A GaN III-V nitride semiconductor laser diode is provided, which reduces a processing time and increases a yield, together with an effective heat dissipation. CONSTITUTION: According to the semiconductor laser diode, a light emission is occurred in an active layer(60b), and the first and the second epi layer(52,64) induce a laser emission in the active layer by intervening the active layer. The first electrode(54) is contacted with the lowest epi layer of the first epi layer, and the second electrode(68) is contacted with the uppermost epi layer of the second epi layer restrictively. And a heat dissipation unit is formed for an effective heat dissipation in the lowest epi layer. The heat dissipation unit is a thermal conductive layer contacted with the lowest epi layer directly.
Abstract translation: 目的：提供GaN III-V族氮化物半导体激光二极管，其减少处理时间并提高产量，同时有效散热。 构成：根据半导体激光二极管，在有源层（60b）中发生发光，并且第一和第二外延层（52,64）通过插入有源层而在有源层中引起激光发射。 第一电极（54）与第一外延层的最低外延层接触，并且第二电极（68）限制地与第二外延层的最上层epi层接触。 并且形成了用于在最低外延层中有效散热的散热单元。 散热单元是直接与最低外延层接触的导热层。
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公开(公告)号：KR100878433B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020050041771
申请日：2005-05-18
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 오믹 콘택층과 이를 이용하는 전면 발광형 질화물계 발광소자의 제조방법에 관해 기술된다. 오믹컨택층의 제조방법은: 반도체 물질층 위에 제 1 도전물질층을 형성하는 단계; 제 1 도전물질층 위에 나노 크기(nano sized)의 다수 아일랜드를 갖는 마스크층을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전물질층과 상기 아일랜드 위에 제 2 도전물질층을 형성하는 단계;와 식각액을 이용한 리프트 오프에 의해 상기 아일랜드와 아일랜드 위의 제 2 도전물질층을 제거하는 단계;를 포함한다. 본 발명의 제조방법에 의하면, 양호한 전기적 특성의 유지 및 향상된 외부 광추출 효율의 증대가 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020080070475A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：KR1020070012368
申请日：2007-02-06
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
Abstract: A high-transmitting optical thin film is provided to reduce optical loss and maximize light transmission efficiency by suppressing generation of optical reflection caused by a difference of refractive indexes between a semiconductor material and air or an encapsulation material. A second material layer(14) is formed on a first material layer(11) with a first refractive index, having a second refractive index smaller than the first refractive index. A graded-refractive index layer(12) is made of a multilayered structure whose distribution of the refractive index gradually reduces in a range from the first refractive index to the second refractive index as it goes from the first material layer to the second material layer, interposed between the first and second material layers. The first and second refractive indexes can be selected from a range of 1 to 4.
Abstract translation: 通过抑制由半导体材料与空气或封装材料之间的折射率的差异引起的光反射的产生，提供高透射性的光学薄膜，以减少光学损耗并使光的透射效率最大化。 在具有第一折射率的第一材料层（11）上形成第二材料层（14），其具有小于第一折射率的第二折射率。 渐变折射率层（12）由折射率分布在从第一材料层到第二材料层从第一折射率到第二折射率的范围内逐渐降低的多层结构制成， 介于第一和第二材料层之间。 第一和第二折射率可以从1到4的范围内选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100835117B1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：KR1020060009394
申请日：2006-01-31
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 조제희
IPC: G02F1/015
Abstract: 반도체 다이오드를 광변조기로 채용한 프로젝션 시스템이 개시된다. 개시된 프로젝션 시스템은, 백색광을 조명하는 광원;과 백색광을 시간 순차적으로 복수의 서로 다른 단색광으로 분리하는 컬러필터;와 분리된 단색광을 각각의 색신호에 따라 변조하는 것으로서, P형반도체층, 진성반도체층 및 N형반도체층으로 구성되어 역바이어스 전압의 크기에 따라 분리된 단색광을 흡수 또는 투과시키는 반도체 다이오드가 픽셀 단위로 배열된 광변조기;와 광변조기에 의해 변조되어 형성된 화상을 스크린 쪽으로 투사시키는 투사렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种采用半导体二极管作为光学调制器的投影系统。 所公开的投影系统包括用于照射白色光的光源;和用于白色光分离为多个按时间顺序不同的单色光的滤色器;所述分离的和单色光作为调制根据每种颜色信号，P型半导体层，本征半导体层 用于投射形成由朝向一个画面的光调制器调制的图象的投影透镜;以及所述N型半导体二极管，其包括半导体层的吸收或发射根据布置在像素中的光调制器的反向偏置电压的大小分离的单色光 ;而且
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公开(公告)号：KR100826424B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020030025084
申请日：2003-04-21
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/405
Abstract: 개시된 반도체 발광 다이오드는, 기판, 이 기판 상에 차례로 마련된 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층, p형 반도체층 상에 형성되는 제1전극층과 이 제1전극층 상에 형성되어 활성층에서 발생된 광을 반사시키는 광반사성의 제2금속층을 구비하는 p형 전극을 포함하며, 소자 측면 및 기판 하면 쪽으로 광이 추출된다. 이와 같은 구성에 의해 제1전극층과 제2금속층이 상호 보완적으로 작용함으로써 반도체 발광 다이오드의 동작전압을 낮추고 광추출효율을 증가시킬 수 있다.
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18.发明授权
公开(公告)号：KR100764403B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060042385
申请日：2006-05-11
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting device is provided to reproductively and repeatedly form micro patterns of up to 1 mum with a simple and easy method. At least one selected from the group consisting of an n-type semiconductor layer(20), an active layer(30), a p-type semiconductor layer(40), an n-electrode(50) and a p-electrode(60) is selected as a layer to be etched, and an azobenzene-functionalized polymer film(120) is formed on the layer. The azobenzene-functionalized polymer film is irradiated by laser beam to form a recessed surface of micro pattern. The layer is etched by using the azobenzene-functionalized polymer film as an etch mask to form an uneven plane of photonic crystal on the layer, and then the azobenzene-functionalized polymer film is removed.
Abstract translation: 提供了一种用于制造氮化物基半导体发光器件的方法，以简单且容易的方法再生和重复地形成高达1um的微图案。 选自由n型半导体层（20），有源层（30），p型半导体层（40），n电极（50）和p电极（60）组成的组中的至少一种 ）作为被蚀刻层，在该层上形成偶氮苯官能化聚合物膜（120）。 通过激光束照射偶氮苯官能化聚合物膜以形成微图形的凹陷表面。 通过使用偶氮苯官能化的聚合物膜作为蚀刻掩模来蚀刻该层，以在该层上形成光子晶体的不平坦平面，然后除去偶氮苯官能化的聚合物膜。
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公开(公告)号：KR1020070073461A
公开(公告)日：2007-07-10
申请号：KR1020060001400
申请日：2006-01-05
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: B32B27/08 , B32B3/18 , B32B27/281 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/36 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2255/26 , B32B2307/202 , B32B2307/50 , B32B2457/20 , B32B2457/206
Abstract: A flexible display using a semiconductor emitting element and a method of manufacturing the flexible display are provided to lengthen a lifetime of the flexible display by arranging the inorganic semiconductor elements on a plastic substrate with a predetermined distance between them. A flexible display includes a flexible plastic substrate(10), a display unit(20), and first and second circuit layers(15,25). The display unit includes semiconductor light emitting elements(20R,20G,20B) arranged on the plastic substrate and displays an image. The first and second circuit layers drive the semiconductor light emitting elements. The plastic substrate is made of one of polyimide, polyethersulfone, polyetherterephthalate, and resin materials. A flexible capping layer is made of an optical transmissive material on the display unit so that the light from an LED(Light Emitting Device) passes through the flexible capping layer.
Abstract translation: 提供使用半导体发光元件的柔性显示器和制造柔性显示器的方法，以通过将无机半导体元件布置在它们之间具有预定距离的塑料基板上来延长柔性显示器的寿命。 柔性显示器包括柔性塑料基板（10），显示单元（20）以及第一和第二电路层（15,25）。 显示单元包括布置在塑料基板上并显示图像的半导体发光元件（20R，20G，20B）。 第一和第二电路层驱动半导体发光元件。 塑料基板由聚酰亚胺，聚醚砜，聚醚对苯二甲酸酯和树脂材料之一制成。 柔性覆盖层由显示单元上的透光材料制成，使得来自LED（发光器件）的光通过柔性封盖层。
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公开(公告)号：KR1020070016898A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050089474
申请日：2005-09-26
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/02
Abstract: 모노리식 보호회로를 갖는 발광소자에 관해 개시된다. 본 발명의 발광소자는: 캐소드와 애노드를 가지는 발광부; 그리고 상기 캐소드와 애노드를 통해 상기 발광부에 병렬접속되는 저항성 보호소자;를 구비하고, 상기 저항성 보호소자의 저항(Rs)은 상기 발광부가 가지는 전류 흐름에 대해 순방향의 저항(Rf)과 역방향의 저항(Rr)의 사이의 값을 가진다.
이러한 본 발명의 발광소자는 구조가 간단하고 제작이 용이하다. 이러한 발광소자의 제조방법은 기존의 발광소자의 제조공정을 거의 그대로 이용함으로써 비용추가가 매우 적다.
발광소자, 보호회로, 모노리식
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