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Patent Agency Ranking1.发明授权
公开(公告)号：KR100764403B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060042385
申请日：2006-05-11
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting device is provided to reproductively and repeatedly form micro patterns of up to 1 mum with a simple and easy method. At least one selected from the group consisting of an n-type semiconductor layer(20), an active layer(30), a p-type semiconductor layer(40), an n-electrode(50) and a p-electrode(60) is selected as a layer to be etched, and an azobenzene-functionalized polymer film(120) is formed on the layer. The azobenzene-functionalized polymer film is irradiated by laser beam to form a recessed surface of micro pattern. The layer is etched by using the azobenzene-functionalized polymer film as an etch mask to form an uneven plane of photonic crystal on the layer, and then the azobenzene-functionalized polymer film is removed.
Abstract translation: 提供了一种用于制造氮化物基半导体发光器件的方法，以简单且容易的方法再生和重复地形成高达1um的微图案。 选自由n型半导体层（20），有源层（30），p型半导体层（40），n电极（50）和p电极（60）组成的组中的至少一种 ）作为被蚀刻层，在该层上形成偶氮苯官能化聚合物膜（120）。 通过激光束照射偶氮苯官能化聚合物膜以形成微图形的凹陷表面。 通过使用偶氮苯官能化的聚合物膜作为蚀刻掩模来蚀刻该层，以在该层上形成光子晶体的不平坦平面，然后除去偶氮苯官能化的聚合物膜。
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公开(公告)号：KR100891833B1
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020060101576
申请日：2006-10-18
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: 다층 전극 및 이를 구비한 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따른 다층 전극은, p형 반도체층 위에 적층되는 반사전극층, 상기 반사전극층의 집괴 현상을 방지하기 위하여 상기 반사전극층 위에 적층되는 집괴방지 전극층 및 상기 집괴방지 전극층의 확산을 방지하기 위하여 상기 반사전극층과 상기 집괴방지 전극층 사이에 삽입된 확산방지 전극층을 포함한다.
화합물 반도체, 발광소자, 전극, GaN-
公开(公告)号：KR100735470B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020060045112
申请日：2006-05-19
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/42
Abstract: A method for manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting device is provided to make the nitride-based semiconductor light emitting device have a plurality of photonic crystal arrays by using photophysical mass transport of an azobenzene-functionalized polymer. One layer is selected from a group consisting of an n-type semiconductor layer(20), a p-type semiconductor layer(40), an n-electrode(50), and a p-electrode(60), as a base layer and then an azobenzene-functionalized polymer film(120) is formed on the base layer. An interference laser beam is irradiated on the azobenzene-functionalized polymer film to form surface relief gratings of fine patterns according to photophysical mass transport. A photonic crystal layer(200) made of a metal oxide material is formed on a gap between the surface relief gratings of the azobenzene-functionalized polymer film.
Abstract translation: 提供了一种用于制造氮化物基半导体发光器件的方法，以通过使用偶氮苯官能化聚合物的光物理质量传输来使氮化物基半导体发光器件具有多个光子晶体阵列。 一层选自由n型半导体层（20），p型半导体层（40），n电极（50）和p电极（60）组成的组中，作为基底层 然后在基层上形成偶氮苯官能化聚合物膜（120）。 将干涉激光束照射到偶氮苯官能化聚合物膜上，以根据光物理质量传输形成精细图案的表面浮雕格栅。 在偶氮苯官能化聚合物膜的表面起伏光栅之间的间隙上形成由金属氧化物材料制成的光子晶体层（200）。
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公开(公告)号：KR1020140120527A
公开(公告)日：2014-10-14
申请号：KR1020130036400
申请日：2013-04-03
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H04N13/167
Abstract: 본 발명은 스테레오 영상 매칭 장치 및 스테레오 영상 매칭 방법에 관한 것이다. 본 발명의 하나의 실시예에 따라, 스테레오 카메라로부터 획득된 좌우 이미지를 매칭하여 시차를 연산하고 시차가 가려지는 영역(어클루전 영역)을 검출하는 시차 연산블럭; 이전 프레임들에서 컬러, 밝기, 깊이를 포함하는 정보에 관한 각 코드워드들이 기록된 코드북을 저장하는 코드북 저장블럭; 및 현 프레임에서 컬러, 밝기, 깊이를 포함하는 정보에 관한 각 코드워드들을 생성하되, 시차 연산블럭에서 검출된 어클루전 영역에서 코드북을 이용하여 현 프레임에서의 코드워드들을 갱신하는 코드워드 갱신블럭;을 포함하는 스테레오 영상 매칭 장치가 제안된다. 또한, 스테레오 영상 매칭 방법이 제안된다.
Abstract translation: 本发明涉及立体图像匹配装置和立体图像匹配方法。 根据本发明的实施例，提供的立体图像匹配装置包括：视差计算块，其通过将左图像与从立体相机获得的右图像相匹配来计算视差，并且检测视差的区域（遮挡区域） 被隐藏 一个码本存储块，存储一个码本，其中记录有关前一帧中包括颜色，亮度和深度的信息的每个码字; 以及代码字更新块，其生成关于当前帧中的颜色，亮度和深度的信息的每个码字，并且通过使用在视差计算块中检测到的遮挡区域中的码本来更新当前帧中的码字。 还提出了立体图像匹配方法。
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公开(公告)号：KR1020080035215A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020060101576
申请日：2006-10-18
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32
Abstract: A multilayered reflective electrode layer is provided to avoid an agglomeration phenomenon occurring on the surface of a reflective electrode during a heat treatment process by using a diffusion barrier electrode layer and an agglomeration preventing electrode layer. A reflective electrode layer(122) is stacked on a p-type semiconductor layer. An agglomeration preventing electrode layer(126) is stacked on the reflective electrode layer to avoid agglomeration of the reflective electrode layer. A diffusion barrier electrode layer(124) is interposed between the reflective electrode layer and the agglomeration preventing electrode layer to avoid diffusion of the agglomeration preventing electrode layer. An oxidation preventing electrode layer(128) can be formed on the agglomeration preventing electrode layer to avoid oxidation of the agglomeration preventing electrode layer.
Abstract translation: 提供多层反射电极层，以通过使用扩散阻挡电极层和防结块电极层来避免在热处理过程中在反射电极的表面上发生的聚集现象。 反射电极层（122）层叠在p型半导体层上。 在反射电极层上堆叠防结块电极层（126），以避免反射电极层的聚集。 扩散阻挡电极层（124）插入在反射电极层和防结块电极层之间，以避免聚集阻止电极层的扩散。 可以在防结块电极层上形成氧化防止电极层（128），以防止防结块电极层的氧化。
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