-
公开(公告)号：KR1020090014327A
公开(公告)日：2009-02-10
申请号：KR1020080135772
申请日：2008-12-29
Applicant: 삼성전기주식회사 , 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L27/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A light emitting device having protection element is provided to protect lighting-emitting area from ESD by parallely setting up the resistive protection element as internal current bypass of the small current in the lighting-emitting area. An emitting device includes a lower semiconductor material layer, an active layer, a top semiconductor material layer, a first electrode layer(114), a second electrode layer(115) and resistive protection layer(120). The top semiconductor material layer, an active layer, a lower semiconductor material layer and active layer are defined as resistance Rf when a positive voltage is applied to the first electrode layer relative to the second electrode layer. The top semiconductor material layer, an active layer, a lower semiconductor material layer and active layer are defined as resistance Rf when a negative voltage is applied to the first electrode layer relative to the second electrode layer. The resistive protection layer, Rs is lower than Rr and larger than Rf.
Abstract translation: 具有保护元件的发光器件被提供以通过平行地将电阻保护元件设置为发光区域中的小电流的内部电流旁路来保护发光区域免受ESD。 发光器件包括下半导体材料层，有源层，顶部半导体材料层，第一电极层（114），第二电极层（115）和电阻保护层（120）。 上半导体材料层，有源层，下半导体材料层和有源层被定义为当相对于第二电极层向第一电极层施加正电压时的电阻Rf。 顶部半导体材料层，有源层，下半导体材料层和有源层被定义为当相对于第二电极层向第一电极层施加负电压时的电阻Rf。 电阻保护层Rs低于Rr且大于Rf。
-
公开(公告)号：KR100826434B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020020031294
申请日：2002-06-04
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 광소자 장착용 섭마운트에 관해 개시되어 있다. 개시된 섭마운트는 하부 도전층, 상기 하부 도전층 상에 형성된 제1 물질층, 상기 하부 도전층 상에 형성되어 있되, 상기 제1 물질층과 다른 물질층이고 상기 제1 물질층으로부터 이격된 제2 물질층, 상기 제1 및 제2 물질층사이를 채우는 제1 절연층, 상기 제1 및 제2 물질층과 연결되고 상기 제1 절연층을 덮는 상부 도전층 및 상기 상부 도전층을 덮는 제2 절연층을 포함한다. 이러한 본 발명의 섭마운트를 이용하면, 광소자로부터 발생되는 열 에너지의 일부를 전기 에너지로 전환시킬 수 있기 때문에, 광소자에 공급된 에너지의 일부를 환수할 수 있다. 또한, 섭마운트에 장착된 광소자로부터 방출되는 열에 의한 주변의 열 오염을 줄일 수 있다. 부가적으로, 상기 전환된 전기 에너지와 펠티어 효과를 결합함으로써, 광소자와 함께 구비되는 고 발열소자를 냉각할 수 있다.
Abstract translation: 目的：提供一种用于安装光学装置的基座，以便能够释放从光电二极管产生的热量并部分地将热量转换成电能。 构成：用于安装光学装置的基座（40）设置有下导电层，第一材料层（40a）形成在下导电层的上部，第二材料层（40b）形成在上部 并且与第一材料层间隔开。 基座还包括完全填充在第一和第二材料层之间的第一绝缘层（40c），与用于封闭第一绝缘层的第一和第二材料层连接的上导电层和用于封闭第一绝缘层的第二绝缘层（40d） 上导电层。
-
公开(公告)号：KR100818487B1
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：KR1020060005843
申请日：2006-01-19
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 조제희
IPC: H04N5/74
CPC classification number: H04N9/3105 , B82Y20/00 , G02B5/003 , G02B26/02 , G02F1/017 , G02F2001/0155 , G03B21/005
Abstract: 반도체 다이오드를 광변조기로 채용한 프로젝션 시스템이 개시된다. 개시된 프로젝션 시스템은, 복수개의 단색광을 조명하는 광원 모듈;과 광원 모듈로부터 조명된 광을 각각의 색신호에 따라 변조하는 것으로서, P형반도체층, 진성반도체층 및 N형반도체층으로 구성되어 역바이어스 전압의 크기에 따라 상기 복수개의 단색광을 흡수 또는 투과시키는 반도체 다이오드가 픽셀단위로 배열된 적어도 하나의 광변조기;와 광변조기에 의해 변조된 단색광들을 합성하여 화상을 형성하는 색합성 프리즘; 및 색합성 프리즘을 통해 형성된 화상을 스크린 쪽으로 투사시키는 투사렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：KR1020080012631A
公开(公告)日：2008-02-12
申请号：KR1020060073769
申请日：2006-08-04
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: An LED(light emitting diode) module is provided to form an LED diode with high illumination efficiency by determining the thickness or density of a phosphor layer in consideration of a radiation pattern of light emitted from a light emitting chip. A package housing has an inner space where a light emitting chip is placed. A phosphor layer(180) has phosphor materials that convert the light emitted from the light emitting chip into light with a wavelength greater than that of the light emitted from the light emitting chip. The phosphor layer has a different density distribution in each position. The density distribution of the phosphor layer is determined in consideration of a radiation pattern of the light emitted from the light emitting chip.
Abstract translation: 考虑到从发光芯片发射的光的辐射图案，通过确定荧光体层的厚度或密度来提供LED（发光二极管）模块以形成具有高照明效率的LED二极管。 封装壳体具有放置发光芯片的内部空间。 荧光体层（180）具有将从发光芯片发射的光转换成波长大于从发光芯片发出的光的波长的光的荧光体材料。 磷光体层在每个位置具有不同的密度分布。 考虑到从发光芯片发射的光的辐射图来确定荧光体层的密度分布。
-
公开(公告)号：KR100764457B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020040018281
申请日：2004-03-18
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 조제희
Abstract: 모노리식 백색발광소자에 관해 개시한다. 발광소자는 활성층과는 별도로 파장변환에 의한 장파장의 광을 발생하는 패시브층을 구비한다. 활성층과 패스브층으로 부터의 광의 적절한 조절에 의해 백색광을 구현할 수 있다. 이러한 모노리식 백색발광소자는 제작이 용이하고 저렴하다. 또한 그 응용분야가 기존의 형광체 도움에 의한 백색광 발광소자에 비해 넓다.
모노리식, 백색광, 패시브Abstract translation: 公开了一种单片白光发射器件。 该发光器件具有通过波长转换产生与有源层分开的长波长光的无源层。 白光可以通过适当控制来自有源层和无源层的光来实现。 这种单片白色发光器件易于制造并且便宜。 另外，借助于传统的荧光粉，其应用领域比白光发光器件更宽。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100744941B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020030100619
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 반도체 발광 소자의 전극 구조, 이를 채용한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 반도체 발광소자는 부전도성 기판, 부전도성 기판 상에 형성된 제 1 하부 클래드층, 제 1 하부 클래드층 상에 소정 형상을 갖으며 형성된 도전층, 도전층의 소정 영역 상에 형성된 제 2 하부 클래드층, 제 2 하부 클래드층 상에 형성된 활성영역, 활성영역 상에 형성된 상부 클래드층, 상부 클래드층 상에 형성된 상부 전극 및 도전층과 전기적으로 연결되며 도전층의 나머지 영역 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 따라서, 종래 반도체 발광소자에 있어서 문제가 되었던 전류 모임 현상을 해결한 수직 구조의 반도체 발광 소자를 구현함으로써 동작전압을 감소시킬 수 있는효과가 있다.
-
公开(公告)号：KR100735470B1
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020060045112
申请日：2006-05-19
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/42
Abstract: A method for manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting device is provided to make the nitride-based semiconductor light emitting device have a plurality of photonic crystal arrays by using photophysical mass transport of an azobenzene-functionalized polymer. One layer is selected from a group consisting of an n-type semiconductor layer(20), a p-type semiconductor layer(40), an n-electrode(50), and a p-electrode(60), as a base layer and then an azobenzene-functionalized polymer film(120) is formed on the base layer. An interference laser beam is irradiated on the azobenzene-functionalized polymer film to form surface relief gratings of fine patterns according to photophysical mass transport. A photonic crystal layer(200) made of a metal oxide material is formed on a gap between the surface relief gratings of the azobenzene-functionalized polymer film.
Abstract translation: 提供了一种用于制造氮化物基半导体发光器件的方法，以通过使用偶氮苯官能化聚合物的光物理质量传输来使氮化物基半导体发光器件具有多个光子晶体阵列。 一层选自由n型半导体层（20），p型半导体层（40），n电极（50）和p电极（60）组成的组中，作为基底层 然后在基层上形成偶氮苯官能化聚合物膜（120）。 将干涉激光束照射到偶氮苯官能化聚合物膜上，以根据光物理质量传输形成精细图案的表面浮雕格栅。 在偶氮苯官能化聚合物膜的表面起伏光栅之间的间隙上形成由金属氧化物材料制成的光子晶体层（200）。
-
公开(公告)号：KR1020070002935A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020050058640
申请日：2005-06-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing a vertical semiconductor light emitting device is provided to improve the stability of the light emitting device and to enhance the yield by forming a metal support layer without a dicing process. A lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer are sequentially formed on a substrate. A plurality of first electrode layers(36) are formed on the upper clad layer. A metal support layer(37) is formed on each first electrode layer. A trench is formed at a portion between adjacent first electrode layers. The substrate is removed from the resultant structure. A second electrode layer(38) is formed under the lower clad layer. A sapphire substrate is used as the substrate.
Abstract translation: 提供一种用于制造垂直半导体发光器件的方法，以提高发光器件的稳定性，并且通过在没有切割工艺的情况下形成金属支撑层来提高产量。 在基板上依次形成下包层，有源层和上包层。 在上包层上形成有多个第一电极层（36）。 在每个第一电极层上形成金属支撑层（37）。 在相邻的第一电极层之间的部分处形成沟槽。 从所得结构中除去衬底。 第二电极层（38）形成在下包层下方。 蓝宝石衬底用作衬底。
-
公开(公告)号：KR1020060062715A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101652
申请日：2004-12-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: 정전방전 보호 다이오드를 구비한 ＧａＮ 계열 반도체 발광 소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 정전방전 보호 다이오드를 구비한 ＧａＮ 계열 반도체 발광 소자는, n-클래드층, 활성층 및 p-클래드층을 포함하는 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드의 홀에 형성된 정전방전 보호 다이오드를 구비한다. 상기 정전방전 다이오드는 MIS 구조 또는 쇼트키 장벽 구조로 이루어져 있다. 이에 따르면, 정전방전 보호 다이오드가 소자의 발광부에 형성된 홀에 형성됨으로써 별도의 부피를 차지하지 않으므로 소형의 ESD 보호장치를 구비한 발광 소자를 제조할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020050068807A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030100619
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 반도체 발광 소자의 전극 구조, 이를 채용한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 반도체 발광소자는 부전도성 기판, 부전도성 기판 상에 형성된 제 1 하부 클래드층, 제 1 하부 클래드층 상에 소정 형상을 갖으며 형성된 도전층, 도전층의 소정 영역 상에 형성된 제 2 하부 클래드층, 제 2 하부 클래드층 상에 형성된 활성영역, 활성영역 상에 형성된 상부 클래드층, 상부 클래드층 상에 형성된 상부 전극 및 도전층과 전기적으로 연결되며 도전층의 나머지 영역 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 따라서, 종래 반도체 발광소자에 있어서 문제가 되었던 전류 모임 현상을 해결한 수직 구조의 반도체 발광 소자를 구현함으로써 동작전압을 감소시킬 수 있는효과가 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
75
records
(took 0.021 seconds)
