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公开(公告)号：KR101457456B1
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020080008630
申请日：2008-01-28
CPC classification number: G06K9/6255 , G06F17/214 , G06K9/00416 , G06T11/203
Abstract: 개인 폰트 생성 장치 및 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 개인 폰트 생성 장치는 본 발명의 일 실시예에 따른 개인 폰트 생성 장치는 사용자로부터 문자의 궤적을 입력 받는 문자 입력부와, 입력된 문자의 궤적으로부터 입력된 문자에 대응되는 대표 문자를 인식하는 문자 인식부와, 대표 문자의 궤적을 표현하는 대표 궤적을 생성하는 대표 궤적 생성부 및 입력된 문자의 궤적에 생성된 대표 궤적의 가중치를 결합하여 입력된 문자의 궤적을 변형하는 궤적 변형부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 개인 폰트 생성 방법은 본 발명의 일 실시예에 따른 개인 폰트 생성 방법은 사용자로부터 문자의 궤적을 입력 받는 단계와, 입력된 문자의 궤적으로부터 입력된 문자에 대응되는 대표 문자를 인식하는 단계와, 대표 문자의 궤적을 표현하는 대표 궤적을 생성하는 단계 및 입력된 문자의 궤적에 생성된 대표 궤적의 가중치를 결합하여 입력된 문자의 궤적을 변형하는 단계를 포함한다.
문자 인식, 필체, 궤적, 폰트 생성-
公开(公告)号：KR1020140125671A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：KR1020130043790
申请日：2013-04-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04M1/7253 , H04M1/72519 , H04W4/80 , G06F15/16 , G06F3/01 , G06F3/0481 , G06F3/0482 , G06F3/14 , G06F13/14
Abstract: 본 개시는 입력 제어에 관한 것으로, 특히 본 개시는 제1 전자 장치와 적어도 하나의 제2 전자 장치가 연결되는 연결 과정, 사전 정의된 이벤트 발생에 따라 상기 제1 전자 장치의 입력 제어권을 제2 전자 장치에 이양하는 이양 과정, 상기 제1 전자 장치의 메인 입력부에 발생하는 입력 신호를 상기 제2 전자 장치에 전달하는 전달 과정을 포함하고, 상기 이양 과정이 상기 제1 전자 장치의 표시부에 제1 설정 영역을 할당하는 할당 과정, 상기 제2 전자 장치의 표시 장치에 제2 설정 영역을 할당하는 할당 과정, 상기 제1 설정 영역에서 사전 정의된 이벤트 발생 시 상기 입력 제어권을 상기 제2 전자 장치에 전달하면서 상기 메인 입력부에서 발생하는 입력 신호 처리에 따른 이미지 및 텍스트 중 적어도 하나를 상기 제2 설정 영역에서부터 표시하는 표시 과정을 포함하는 입력 제어 방법과 이를 지원하는 전자 장치의 구성을 개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种输入控制方法，更具体地说，涉及一种输入控制方法和一种支持该方法的电子设备。 输入控制方法包括以下处理：第一电子设备连接到至少一个第二电子设备的连接处理; 移位处理，其中第一电子设备的输入控制功率转移到第二电子设备; 以及发送处理，其中在第一电子设备的主输入单元中生成的输入信号被发送到第二电子设备。 传送处理包括以下处理：向第一电子设备的显示单元分配第一设定区域的分配处理; 分配处理，其中第二设置区域被分配给第二电子设备的显示单元; 当在第一设备中生成预定事件时，在第二设置区域中显示根据在主输入单元中产生的输入信号将输入控制功率发送到第二电子设备的图像和文本之一的显示过程 设置区域。
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公开(公告)号：KR1020100135049A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：KR1020090053494
申请日：2009-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: By providing the exact model parameter which a method and apparatus for producing the electrical characteristic of the amorphous semiconductor T F T can be used for the simulation for the amorphous semiconductor TFT. CONSTITUTION: The light is examined in the amorphous semiconductor TFT and the light response characteristics of C-V is measured at(110). The electric capacity of the case of examining the light and the case which does not examine the light is calculated and it is modelled to the function of C-V(120).
Abstract translation: 目的：通过提供用于制造非晶半导体T F T的电特性的方法和装置可用于非晶半导体TFT的模拟的精确模型参数。 构成：在非晶半导体TFT中检查光，并且在（110）处测量C-V的光响应特性。 计算检查光的情况下的电容量和不检查光的情况，并根据C-V（120）的功能进行建模。
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公开(公告)号：KR100866214B1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：KR1020060100541
申请日：2006-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대환
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 통신 시스템에 관한 것으로, 특히 초기화 신호를 생성하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명은 휴대 단말기의 마스터 칩에서 적어도 하나의 어드레스 포트를 기능 칩의 초기화 신호를 전달하기 위한 포트로 사용한다. 상기 어드레스 포트로부터의 초기화 신호는 다기능 범용 입출력(GPIO) 포드로부터의 제어 신호에 의해 복수의 기능 칩들 중 선택된 기능 칩으로 전달된다.
GPIO(General Purpose Input Output Port), 어드레스 포트 제어 신호-
公开(公告)号：KR1020060118717A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041017
申请日：2005-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대환
IPC: G02B26/10
Abstract: A light scanning unit with uniform light power distribution is provided to prevent the density difference according to the position on a scanning line of an exposure target by uniformly distributing optical power on the scanning line. A light source(111) is for outputting laser beams. A beam deflector(130) is for deflecting the laser beams to a scanning direction of an exposure target. A scanning optic lens(140) is for correcting the laser beams deflected from the beam deflector by different levels of magnifying power along the scanning direction. A light quantity control plate(120) is disposed on an optical path between the light source and the beam deflector and changing optical transmittance in order to maintain optical power.
Abstract translation: 提供具有均匀光功率分布的光扫描单元，以通过在扫描线上均匀分配光功率来防止根据曝光目标的扫描线上的位置的浓度差异。 光源（111）用于输出激光束。 光束偏转器（130）用于将激光束偏转到曝光目标的扫描方向。 扫描光学透镜（140）用于沿着扫描方向校正从光束偏转器偏转的激光束不同级别的放大倍率。 光量控制板（120）设置在光源和光束偏转器之间的光路上，并且改变光透射率以保持光功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100642517B1
公开(公告)日：2006-11-03
申请号：KR1020050082602
申请日：2005-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A teaching apparatus of a transfer robot is provided to accurately and automatically set a reference position and simplify the configuration of the teaching apparatus. A teaching apparatus of a transfer robot(1), comprises a mapping sensor(3) mounted on an arm(2); a reflection plate(10) for detecting the reference position of a cassette(16) in correspondence to the mapping sensor; and a control unit for receiving signals from the mapping sensor, controlling the reference position of the arm with respect to the cassette, and moving the transfer robot so that the arm loads a product(19) to the cassette. The mapping sensor detects one of left and right edges of the reflection plate and one of upper and lower edges of the reflection plate, and detects the point where detected two edges meet.
Abstract translation: 传送机器人的示教装置被设置为精确地和自动地设定参考位置并简化示教装置的构造。 一种传送机器人（1）的教学装置，包括安装在臂（2）上的映射传感器（3）; 一个反射板（10），用于检测与映射传感器相对应的暗盒（16）的参考位置; 以及控制单元，用于接收来自映射传感器的信号，控制臂相对于盒的参考位置，并且移动传送机器人使得臂将产品（19）装载到盒。 映射传感器检测反射板的左边缘和右边缘以及反射板的上边缘和下边缘中的一个边缘，并且检测检测到的两个边缘相交的点。
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公开(公告)号：KR1020060087074A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：KR1020050007867
申请日：2005-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대환
CPC classification number: G11C7/12 , G11C7/1048 , G11C5/063 , H03K19/0185
Abstract: An integrated circuit device may include an equalization transistor having first and second current carrying terminals electrically coupled to first and second signal lines, respectively, and a gate terminal responsive to an enable signal. A first body voltage control circuit may also be provided. This control circuit includes a first transistor having a first current carrying terminal electrically connected to the first signal line, a second current carrying terminal electrically connected to a body terminal of the equalization transistor and a gate terminal electrically connected to the second signal line. This first body voltage control circuit may operate to boost a voltage of the body terminal during an equalization time interval and thereby inhibit threshold voltage increases in the equalization transistor, which may limit operating speed of the integrated circuit device. The first body voltage control circuit may also include a second transistor having a first current carrying terminal electrically connected to the second signal line, a second current carrying terminal electrically connected to the body terminal of the equalization transistor and a gate terminal electrically connected to the first signal line.
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公开(公告)号：KR100582942B1
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：KR1020050030153
申请日：2005-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03G15/04
Abstract: 본 발명에 의한 화상형성장치의 레이저 스캔 유닛은, 광원에서 출사되어 주사대상물에 결상되는 레이저 빔경을 온도변화에 따라 가변시키기 위한 크기 조절 가능한 레이저 빔 통과공을 갖는 온도 가변형 슬릿을 구비한다. 온도 가변형 슬릿은 온도가 상승할 때 빔 통과공을 축소시키고 온도가 하강할 때 빔 통과공을 확대시키며, 레이저 빔 통과공을 갖춘 슬릿부재; 및 상기 슬릿부재의 빔 통과공에 인접하게 배치되며, 온도 변화에 따라 변형하면서 상기 빔 통과공을 부분적으로 차단하여 빔 통과공의 크기를 가변시키는 온도변형부재;를 포함한다.
바이메탈, 레이저, 스캔, 빔, 광, 주사, 광학, 온도, 가변, 슬릿Abstract translation: 图像根据所述单元设置有具有大小可调节的球状的温度可变狭缝的本发明形成装置的激光扫描通过用于沿其形成被扫描物体上的图像从所述光源温度变化射出的激光bimgyeong改变的激光束。 当温度升高时，温度可变狭缝减小光束通过孔，当温度降低时，可变狭缝增大光束通过孔，并且具有激光束通过孔的狭缝构件; 并且温度变形部件设置在狭缝部件的光束通过孔附近，并且在改变温度的同时部分变形光束通过孔以改变光束通过孔的尺寸。
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公开(公告)号：KR1020060023289A
公开(公告)日：2006-03-14
申请号：KR1020040072083
申请日：2004-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대환
IPC: G02B26/10
Abstract: 주변 환경에 따라 변화되는 실린더렌즈의 광학적 특성을 안정화시킬 수 있도록 된 구조의 광주사장치용 실린더렌즈 설치 구조가 개시되어 있다.
적어도 일면이 실린더 형상을 가지는 실린더렌즈를 광주사장치의 프레임에 설치하는 광주사장치용 실린더렌즈 설치 구조는 실린더렌즈의 일측에 결합되며 실린더렌즈를 투과한 빔이 통과하는 윈도우를 가지는 것으로, 열팽창계수가 서로 다른 제1 및 제2금속판으로 이루어진 바이메탈 홀더와; 홀더를 프레임에 고정하는 홀더 고정부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020050114414A
公开(公告)日：2005-12-06
申请号：KR1020040039629
申请日：2004-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김대환
Abstract: 에프-세타 렌즈의 유효 경면부를 동일한 압력으로 성형하여 성형 정밀도가 향상될 수 있도록 함과 아울러 연속 성형 공정으로 성형 속도를 향상시킬 수 있도록 된 에프-세타 렌즈 성형장치 및 방법에 관한 것이다.
개시된 에프-세타 렌즈 성형장치는, 고온의 액상 수지를 연속적으로 압출시키는 압출기와; 압출기에서 출사된 액상 수지가 냉각되면서 통과되는 소정 형상의 성형홈을 구비한 성형다이와; 성형다이에 대해 승강 및 회전 가능하게 설치되어, 성형다이를 통과하는 수지의 통과 위치에 따라 높낮이를 달리하면서 가압하여 소망하는 에프-세타 렌즈 형상으로 수지를 성형하는 제1성형 가압롤러와; 성형된 수지를 소정 크기로 절단하는 절단기;를 포함하여, 복수의 에프-세타 렌즈를 연속적으로 성형할 수 있도록 된 것을 특징으로 한다.
또한, 개시된 에프-세타 렌즈 성형방법은, 고온의 액상 수지를 연속적으로 압출하는 단계와; 압출된 수지의 통과위치에 따라 높낮이를 바꾸어 가면서 수지를 성형하는 단계와; 성형된 수지를 소정 크기로 절단하는 단계;를 포함하여, 복수의 에프-세타 렌즈를 연속적으로 성형할 수 있도록 된 것을 특징으로 한다.
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