公开(公告)号：KR1020070044877A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：KR1020050101105

申请日：2005-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동욱 ,  전재환 ,  김용일 ,  한상선 ,  최재민 ,  이상혁 ,  김영남

IPC: G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133604 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133606 ,  G02F1/133608 ,  G02F1/133611 ,  G02F2001/133607

Abstract: 표시 품질을 향상시킬 수 있는 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 액정표시장치가 개시되어 있다. 백라이트 어셈블리는 서로 평행하게 배치되어 광을 발생하는 다수의 램프들, 램프들의 하부에 배치된 반사시트, 및 램프들의 상부에 배치된 확산판을 포함한다. 확산판은 투명판 및 투명판의 하부면에 형성된 반사층을 포함하며, 반사층에는 램프들로부터 입사되는 광을 회절 확산시키는 슬릿 패턴이 형성된다. 따라서, 광의 회절을 이용한 확산판을 사용함으로써, 광의 손실이 적어지기 때문에 표시 품질이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020060060281A

公开(公告)日：2006-06-05

申请号：KR1020040099220

申请日：2004-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이춘득 ,  김미양 ,  김영남 ,  김현준

IPC: H01L21/66

Abstract: 이미지 소자의 제조 공정시 불량을 초래하는 불순물을 분석할 경우 적용되는 불순물 추출용 조성물 및 이를 이용한 불순물 분석방법에 있어서, 상기 조성물은 아세트산, 질산, 불화수소산 및 물을 포함한다. 상기한 조성을 갖는 불순물 추출용 조성물은 기판의 표면 및 그 내부로 확산된 불순물을 용해시킬 수 있어 기판에 형성되는 막질에 대한 오염의 변별력을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR100505058B1

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：KR1019980033323

申请日：1998-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황경환 ,  김영남 ,  양희석 ,  박해진

IPC: H01L21/312

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조용 비피에스지 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조용 비피에스지 패턴의 형성방법은, 일련의 반도체소자 제조공정이 수행된 반도체 기판 상에 BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)막을 형성하는 단계, 상기 BPSG막을 소정온도에서 리플로우(Reflow)하는 단계, 상기 리플로우된 반도체 기판을 산소분위기에서 쿨링(Cooling)하는 단계, 상기 세정된 반도체 기판 상에 HMDS를 형성하는 단계 및 상기 반도체 기판을 사진식각하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 식각액이 BPSG막과 HMDS 사이의 들뜬공간으로 침투하여 포토레지스트 패턴이 들떠 이동하는 스웰링현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100481181B1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020020069262

申请日：2002-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진성 ,  김영남 ,  정현담 ,  이선영

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/96

Abstract: 반도체소자의 다공성 물질막 형성방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 물분자들과 반응하는 불순물들을 함유하는 물질막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 물질막을 갖는 기판을 대기압보다 높은 고압력, 수증기 분위기 및 실온보다 높은 고온을 갖는 조건 하에서 큐어링하여 상기 물질막 내에 기공들(pores)을 생성시킨다.

公开(公告)号：KR100453658B1

公开(公告)日：2004-12-17

申请号：KR1019980000239

申请日：1998-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영남

IPC: G01N23/083

Abstract: PURPOSE: A method for analyzing the thickness of a BPSG(Boron Phosphorous Silicate Glass) membrane using an XPS(X-ray Photoelectron Spectroscope) and a recording medium for storing a program for BPSG membrane thickness analysis are provided to accurately analyze the surface of a BPSG membrane by making quantitative analysis of each element easy. CONSTITUTION: A method for analyzing the thickness of a BPSG membrane using an XPS comprises the steps of obtaining the mean integral value of the electron orbit 2S of phosphorous by dividing an unknown quantity X by a corresponding sensitivity, setting up the proportion relation of weight% of silicon to phosphorous and the mean integral value of silicon to the mean integral value of phosphorous, and obtaining the mean integral value of boron using corrected electron generation integral value of boron after obtaining the corrected electron generation integral value of boron.

公开(公告)号：KR1020030050736A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010081251

申请日：2001-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이영철 ,  김진성 ,  김영남

IPC: H01L21/02

Abstract: PURPOSE: A semiconductor manufacturing apparatus using plasma is provided to be capable of preventing the contamination of the edge portion of a semiconductor substrate due to large plasma particles by supplying anti-plasma gas to the lateral portion of a substrate pedestal using an anti-plasma gas supply part. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) is processed by using plasma in a reaction chamber. A substrate pedestal(11) is installed in the reaction chamber for loading the semiconductor substrate(100). A gas jetting part is used for jetting and supplying reaction gas onto the semiconductor substrate(100) in the reaction chamber. An anti-plasma gas supply part(60) is installed on the substrate pedestal(11) for supplying anti-plasma gas to the lateral portion of the substrate pedestal. A gas supply part(20) is installed outside the reaction chamber for supplying reaction gas and anti-plasma gas to the reaction chamber and the anti-plasma gas supply part(60), respectively.

Abstract translation: 目的：提供一种使用等离子体的半导体制造装置，其能够通过使用抗等离子体气体将抗等离子体气体供给到基板基座的侧部，从而防止由于大的等离子体颗粒而导致的半导体基板的边缘部分的污染 供应部分。 构成：通过在反应室中使用等离子体来处理半导体衬底（100）。 衬底基座（11）安装在用于加载半导体衬底（100）的反应室中。 气体喷射部分用于将反应气体喷射并供应到反应室中的半导体衬底（100）上。 反等离子体气体供给部（60）安装在基板基座（11）上，用于将抗等离子体气体供给到基板底座的侧面部分。 气体供给部（20）安装在反应室的外部，分别向反应室和反等离子体气体供给部（60）供给反应气体和抗等离子体气体。

公开(公告)号：KR1020000018376A

公开(公告)日：2000-04-06

申请号：KR1019980035936

申请日：1998-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영남 ,  황경환 ,  양희석 ,  박해진 ,  백두현

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor device is provided to improve a reliability by minimizing a defect caused by an oxidation layer formed when a metal material layer-silicide is formed. CONSTITUTION: A manufacturing method of a semiconductor device comprises the steps of: performing a thermal treatment to form a metal material layer by using the metal material layer-silicide on a semiconductor substrate including a pattern like a contact hole; etching a metal material layer having an imperfect combination state caused by the heat treatment.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造方法，以通过最小化由形成金属材料层 - 硅化物时形成的氧化层引起的缺陷来提高可靠性。 构成：半导体器件的制造方法包括以下步骤：通过在包括接触孔的图案的半导体衬底上使用金属材料层 - 硅化物进行热处理以形成金属材料层; 蚀刻由热处理引起的不完全组合状态的金属材料层。

公开(公告)号：KR100203779B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960033978

申请日：1996-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영남 ,  이명락 ,  정정관

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 이온주입공정에서의 마스킹 포토레지스트의 두께결정방법에 관한 것이다.
본 발명은 서로다른 도포두께를 가진 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 복수 개 준비하고, 상기 복수 개의 웨이퍼에 일정한 전압, 일정한 이온전류량으로 이온주입공정을 행하는 단계, 상기 공정을 마친 웨이퍼에 SIMS분석을 행하여 표면에서의 깊이에 따른 불순물농도의 변화를 관찰하여 분석장비의 일정검출수준에 해당하는, 시료의 표면으로부터의 투과깊이를 결정하는 단계, 각 포토레지스트 두께와, 분석장비 일정검출수준에 해당하는 상기 투과깊이의 함수관계를 결정하는 단계, 상기 함수관계를 이용하여 투과깊이 0에 해당하는 포토레지스트의 두께를 결정하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 종래의 방법보다 비교적 적은 숫자의 시료를 가지고도 이온주입조건에 따라 정확한 포토레지스트 도포두께를 결정할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019980014834A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033978

申请日：1996-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영남 ,  이명락 ,  정정관

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 이온주입공정에서의 마스킹 포토레지스트의 두께결정방법에 관한 것이다.
본 발명은 서로다른 도포두께를 가진 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 복수 개 준비하고, 상기 복수 개의 웨이퍼에 일정한 전압, 일정한 이온전류량으로 이온주입공정을 행하는 단계, 상기 공정을 마친 웨이퍼에 SIMS분석을 행하여 표면에서의 깊이에 따른 불순물농도의 변화를 관찰하여 분석장비의 일정검출수준에 해당하는, 시료의 표면으로부터의 투과깊이를 결정하는 단계, 각 포토레지스트 두께와, 분석장비 일정검출수준에 해당하는 상기 투과깊이의 함수관계를 결정하는 단계, 상기 함수관계를 이용하여 투과깊이 0에 해당하는 포토레지스트의 두께를 결정하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 종래의 방법보다 비교적 적은 숫자의 시료를 가지고도 이온주입조건에 따라 정확한 포토레지스트 도포두께를 결정할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1020150096900A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020140017763

申请日：2014-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 조제형 ,  하정익 ,  보드로프알렉세이 ,  김영남

IPC: H02P5/46 ,  H02P5/74 ,  H02P27/06

CPC classification number: H02P6/04 ,  H02K11/33 ,  H02K15/00 ,  H02P5/74 ,  H02P21/22 ,  H02P2006/045 ,  Y10T29/49009

Abstract: 단일 인버터를 이용한 이중 영구 자석 동기식 모터의 구동 장치 및 방법을 개시한다. 본 발명은, 단일의 인버터로 복수의 영구 자석 동기식 모터를 구동하되, 복수의 영구 자석 동기식 모터 각각의 속도 차이와 회전자 위치 차이를 고려한 운전이 이루어질 수 있도록 하기 위한 인버터-모터 연결 방법과 그 제어 방법을 제시하는 것을 목적으로 한다. 또한, 단일의 인버터로 복수의 영구 자석 동기식 모터를 구동하되, 기존의 방식보다 전류 센서의 수를 줄일 수 있도록 하기 위한 인버터-모터 연결 방법과 그 제어 방법을 제시하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해 본 발명에 따른 모터 구동 장치는, 복수의 모터에 전력을 공급하도록 마련되는 단일의 전력 변환 수단과; 복수의 모터 각각의 요구에 따라 단일의 전력 변환 수단에서 복수의 모터 각각으로 공급되는 상전류의 비율이 조정되도록 전력 변환 수단을 제어하는 제어 수단을 포함한다.

Abstract translation: 公开了使用单个逆变器驱动双重永磁同步电动机的装置和方法。 本发明的目的是提出一种连接逆变器电动机的方法及其控制方法，用于使用单个逆变器来驱动多个永磁同步电动机，以考虑到转子的转速差和转子的差异来执行操作 多个永磁同步电机的位置。 此外，本发明的目的是提出一种连接逆变器 - 电动机的方法以及使用单个逆变器来驱动多个永磁同步电动机的方法，同时从传统方法减少电流传感器的数量。 为了实现上述目的，根据本发明，用于驱动电动机的装置包括：单个电力转换装置，其被配置为向多个电动机提供电力; 以及控制装置，其控制电力转换装置，以根据多个电动机的每个请求来调节提供给单个电力转换装置中的每个多个电动机的相电流的比例。