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公开(公告)号：KR100773538B1
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：KR1020040079963
申请日：2004-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0425 , H01S5/1078 , H01S5/18 , H01S5/2027 , H01S5/34333
Abstract: 반사 전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따르면, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체 층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체 층과 오믹 콘택을 형성하는 것으로 Ag와 Ag-계 합금 중의 어느 하나로 형성된 제 1 전극 층, 상기 제 1 전극 층 상에 형성되는 것으로 Ni, Ni-계 합금, Zn, Zn-계 합금, Cu, Cu-계 합금, Ru, Ir 및 Rh 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성된 제 3 전극 층, 상기 제 3 전극 층 상에 광반사 물질로 형성되는 제 4 전극 층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 반사 전극이 제공된다. 또한, 상기 반사 전극을 구비하는 화합물 반도체 발광소자, 예를 들어 LED 또는 LD가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020050042715A
公开(公告)日：2005-05-10
申请号：KR1020030077791
申请日：2003-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/40 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/021 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/00 , Y10S257/918 , Y10S257/93
Abstract: 저접촉 저항 및 높은 반사율을 동시에 만족할 수 있는 p-형 전극 구조를 구비하는 반도체 발광 소자가 개시된다. 개시된 반도체 발광 소자는 투명 기판과, 투명 기판 상에 형성되며 제 1 및 제 2 영역을 구비하는 전자 주입층과, 제 1 영역 상에 형성된 활성층과, 활성층 상에 형성된 정공 주입층과, 제 2 영역 상에 형성된 제 1 전극 구조체 및 정공 주입층 상에 형성되며 N 성분을 포함하는 층을 구비한다. 따라서, p-GaN으로 이루어진 정공 주입층과 p-형 전극용 금속층 사이의 계면에 Pd-Ga-N의 조성을 갖는 물질을 포함하는 삼원계의 화합물층을 형성함으로써, 낮은 컨택 저항과 더불어 높은 투과도를 얻을 수 있는 반도체 발광 소자를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060069102A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040108195
申请日：2004-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13452 , G02F1/13458 , G02F1/136286
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 기판에 관한 것으로서, 직선구간을 포함하는 접촉구를 통하여 배선과 전기적으로 연결되는 투명전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 배선과 투명전극층과의 접촉저항을 감소시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060031079A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：KR1020040079963
申请日：2004-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0425 , H01S5/1078 , H01S5/18 , H01S5/2027 , H01S5/34333
Abstract: 반사전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 발명에 따르면, 화합물 반도체 발광소자의 p형 화합물 반도체층 상에 형성되는 전극에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체층과 오믹콘택을 형성하는 것으로 Ag와 Ag-계 합금 중의 어느 하나로 형성된 제 1 전극층, 상기 제 1 전극층 상에 형성되는 것으로 Ni, Ni-계 합금, Zn, Zn-계 합금, Cu, Cu-계 합금, Ru, Ir 및 Rh 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 어느 하나로 형성된 제 3 전극층, 상기 제 3 전극층 상에 광반사 물질로 형성되는 제 4 전극층을 구비하는 화합물 반도체 발광소자의 반사전극이 제공된다. 또한, 상기 반사전극을 구비하는 화합물 반도체 발광소자, 예를 들어 LED 또는 LD가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020060084668A
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1020050005445
申请日：2005-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L29/127 , H01L33/06 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/56 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/95
Abstract: Disclosed herein is a quantum dot phosphor for light emitting diodes, which includes quantum dots and a solid substrate on which the quantum dots are supported. Also, a method of preparing the quantum dot phosphor is provided. Since the quantum dot phosphor of the current invention is composed of the quantum dots supported on the solid substrate, the quantum dots do not aggregate when dispensing a paste obtained by mixing the quantum dots with a paste resin for use in packaging of a light emitting diode. Thereby, a light emitting diode able to maintain excellent light emitting efficiency can be manufactured.
Abstract translation: 本文公开了一种用于发光二极管的量子点荧光体，其包括量子点和支撑量子点的固体基板。 另外，提供了制备量子点荧光体的方法。 由于本发明的量子点荧光体由支撑在固体基板上的量子点组成，所以当分配通过将量子点与用于封装发光二极管的糊状树脂所获得的糊剂分配时，量子点不会聚集 。 由此，可以制造能够保持发光效率优异的发光二极管。
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公开(公告)号：KR100678285B1
公开(公告)日：2007-02-02
申请号：KR1020050005445
申请日：2005-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L29/127 , H01L33/06 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/56 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/95
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드용 양자점 형광체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양자점 및 상기 양자점을 고정시키는 고체상태의 담지체(substrate)를 포함하는 발광 다이오드용 양자점 형광체(quantum dot phosphor) 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 양자점 형광체는 고체상태의 담지체에 양자점이 고정되어 있기 때문에 발광 다이오드의 패키징을 위해 사용되는 페이스트용 레진과 양자점을 혼합하여 페이스트로 만들어 도포하는 경우, 양자점이 응집(aggregation)되지 않아 우수한 발광효율을 유지할 수 있는 발광 다이오드를 제조할 수 있다.
양자점 형광체, 발광 다이오드, 담지체, 발광 효율Abstract translation: 本文公开了一种用于发光二极管的量子点荧光体，其包括量子点和支撑量子点的固体基板。 另外，提供了制备量子点荧光体的方法。 由于本发明的量子点荧光体由支撑在固体基板上的量子点组成，所以当分配通过将量子点与用于封装发光二极管的糊状树脂所获得的糊剂分配时，量子点不会聚集 。 由此，可以制造能够保持发光效率优异的发光二极管。
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公开(公告)号：KR1020060073997A
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040112937
申请日：2004-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/78618
Abstract: 본발명은 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법에 관한 것이다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 게이트선을 포함하는 게이트 배선과, 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극을 포함하며 상기 게이트 배선과 절연 배치되어 있는 데이터 배선과, 상기 데이터 배선상에 형성되어 있으며 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 가지는 보호막과, 상기 접촉구를 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 화소전극을 포함하며, 상기 화소전극과 접하는 상기 드레인 전극의 표면은 비정질상인 것을 특징으로 한다. 이에 의해 배선과 투명전극과의 접촉저항을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060060281A
公开(公告)日：2006-06-05
申请号：KR1020040099220
申请日：2004-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 이미지 소자의 제조 공정시 불량을 초래하는 불순물을 분석할 경우 적용되는 불순물 추출용 조성물 및 이를 이용한 불순물 분석방법에 있어서, 상기 조성물은 아세트산, 질산, 불화수소산 및 물을 포함한다. 상기한 조성을 갖는 불순물 추출용 조성물은 기판의 표면 및 그 내부로 확산된 불순물을 용해시킬 수 있어 기판에 형성되는 막질에 대한 오염의 변별력을 확보할 수 있다.
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