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公开(公告)号：KR1020130067138A
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：KR1020110134002
申请日：2011-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/0002 , B29C59/022 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , Y10S977/887
Abstract: PURPOSE: An imprinting stamp and a nano-imprint method using the same are provided to prevent from bubble trapping generated in a nano-imprint process by introducing a dummy pattern with a shape concerning the flowing direction of imprinting resin. CONSTITUTION: An imprinting stamp comprises a first substrate, a field area, and a dummy pattern area. The field area is formed on the first substrate and includes a nano pattern. The dummy pattern area is formed to be adjacent in the field area of the first substrate and includes a dummy pattern which is greater than the nano pattern by scale. The dummy pattern is formed in a polygonal array with a plurality of sharp vertexes to the first direction facing the dummy pattern area from the field area. [Reference numerals] (AA) Flow direction
Abstract translation: 目的：通过引入具有关于压印树脂的流动方向的形状的虚拟图案，提供使用其的印记印模和纳米压印方法以防止在纳米压印工艺中产生的气泡捕获。 构成：印记印模包括第一基板，场区域和虚拟图案区域。 场区域形成在第一基板上并且包括纳米图案。 虚设图形区域形成为在第一基板的场区域中相邻，并且包括大于纳米图案的虚拟图案。 虚设图案形成为具有多个尖锐顶点的多边形阵列，其中第一方向面向来自场区域的虚拟图案区域。 （附图标记）（AA）流动方向
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公开(公告)号：KR1020130020425A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110083055
申请日：2011-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B29C33/424 , B29C43/021 , B29C2043/025
Abstract: PURPOSE: A stamp and a manufacturing method thereof, and an imprint method using the stamp are provided to easily form a pattern layer having a well-limited three-dimensional pattern using the stamp and implement a stamp favorable to improving overall imprint process property by including the etch property after the imprint. CONSTITUTION: A stamp comprises a base unit(10) and a convex region(20). The convex region is equipped in the base unit. The convex region has at least one of protrusion unit, and the end of the protrusion unit has a structure in which the edge is more protruded than the central part. The end of the protrusion unit has a recess shape. The protrusion unit has a nano size. The stamp is a stamp for the nanoimprint. The imprint method comprises a step of coating a resin layer on the substrate, a step of separating the stamp from the resin layer, and a step of performing the etching process on the resin remaining on the lower part of the hole formed on the resin layer by the stamp.
Abstract translation: 目的：提供一种印模及其制造方法以及使用印模的印记方法，以容易地形成具有良好限制的三维图案的图案层，并使用该印模实施有利于提高整体印记处理性能的印记，包括 刻印后的蚀刻性能。 构成：印模包括基体单元（10）和凸区域（20）。 凸起区域装配在基座单元中。 凸区域具有突出单元中的至少一个，突出单元的端部具有边缘比中心部分更突出的结构。 突出单元的端部具有凹部形状。 突出单元具有纳米尺寸。 邮票是纳米印刷的邮票。 压印方法包括在基板上涂布树脂层的步骤，将印模与树脂层分离的步骤以及对形成在树脂层上形成的孔的下部残留的树脂进行蚀刻处理的步骤 通过邮票。
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公开(公告)号：KR1020070089387A
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020060019343
申请日：2006-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/0005 , H04L25/0278 , H04L25/0288
Abstract: A dynamic output buffer circuit is provided to perform an automatic impedance matching and a pre-emphasis by a circuit installed inside a chip when appropriately selecting a test circuit. A dynamic output buffer circuit includes a controlling circuit(410) and an output circuit(420). The controlling circuit(410) includes a pre-emphasis circuit, an impedance matching circuit, and a register circuit. The controlling circuit(410) matches the characteristic impedance of a metal line with the output impedance of a dynamic output circuit. The output circuit(420) includes a dynamic ODT(430) and an input stage(440). The output circuit(420) outputs at least one output signal(D/O) controlling the output impedance and performing pre-emphasis to at least one input signal(D/I).
Abstract translation: 提供动态输出缓冲电路，以在适当选择测试电路时执行安装在芯片内部的电路的自动阻抗匹配和预加重。 动态输出缓冲电路包括控制电路（410）和输出电路（420）。 控制电路（410）包括预加重电路，阻抗匹配电路和寄存器电路。 控制电路（410）将金属线的特性阻抗与动态输出电路的输出阻抗相匹配。 输出电路（420）包括动态ODT（430）和输入级（440）。 输出电路（420）输出控制输出阻抗的至少一个输出信号（D / O），并对至少一个输入信号（D / I）进行预加重。
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公开(公告)号：KR100211667B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019960046079
申请日：1996-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재관
IPC: H01L21/02
Abstract: 도어의 개폐동작을 용이하게 함과 동시에 기구적인 결함을 해소시킨 반도체 제조용 공정챔버의 도어 개폐장치에 관한 것이다.
본 발명은 공정챔버의 플랜지(20)에 회동가능하게 설치된 도어의 개폐장치에 있어서, 상기 플랜지(20)의 힌지결합부(21)(22)에 회전가능하게 설치된 제 1 및 제 2 회전축(23)(24)과, 상기 제 1 및 제 2 회전축에 일단이 각각 회동가능하게 설치되고 타단은 도어(27)의 일측에 고정된 한 쌍의 아암(25)(26)과, 상기 제 1 및 제 2 회전축을 동시에 동일방향으로 소정각도 회전시키는 하이로터실린더(31)로 구성된 것이다.
따라서 에어압으로 동작하는 하이로터실린더에 의해 도어의 개폐동작이 무리없이 원활하게 이루어져 재기능을 발휘할 수 있고, 견고한 구조의 회전축 및 아암이 변형되지 않아 불량감소로 설비의 가동율 및 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990021047A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019970044541
申请日：1997-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 메탈 재질의 진공 튀저에 관한 것으로, 웨이퍼와 접촉되는 진공 탭과 진공 탭과 연결되는 몸체를 열에 강한 금속재질로 형성함으로 진공 튀저가 고온의 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한 진공 탭의 일단부, 즉 보트에 제일 먼저 삽입되는 소정영역의 두께를 디스크 플레이트 홈의 깊이보다 얇게 형성함으로써 작업의 능률을 향상시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980027355A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960046079
申请日：1996-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재관
IPC: H01L21/02
Abstract: 도어의 개폐동작을 용이하게 함과 동시에 기구적인 결함을 해소시킨 반도체 제조용 공정챔버의 도어 개폐장치에 관한 것이다.
본 발명은 공정챔버의 플랜지(20)에 회동가능하게 설치된 도어의 개폐장치에 있어서, 상기 플랜지(20)의 힌지결합부(21)(22)에 회전가능하게 설치된 제 1 및 제 2 회전축(23)(24)과, 상기 제 1 및 제 2 회전축에 일단이 각각 회동가능하게 설치되고 타단은 도어(27)의 일측에 고정된 한 쌍의 아암(25)(26)과, 상기 제 1 및 제 2 회전축을 동시에 동일방향으로 소정각도 회전시키는 하이로터실린더(31)로 구성된 것이다.
따라서 에어압으로 동작하는 하이로터실린더에 의해 도어의 개폐동작이 무리없이 원활하게 이루어져 재기능을 발휘할 수 있고, 견고한 구조의 회전축 및 아암이 변형되지 않아 불량감소로 설비의 가동율 및 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR2019970046624U
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR2019950041288
申请日：1995-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재관
IPC: H01L21/20
Abstract: 반도체장치의진공라인누설체크시스템에대해기재되어있다. 이는, 챔버와펌프사이에설치된진공라인의누설을체크하는시스템에있어서, 진공라인의양단에설치되어진공라인을온/오프시키는제1 및제2 게이트벨브, 및제1 및제2 게이트벨브사이의진공라인에설치되어진공라인의진공정도를계측하는진공라인계량기를포함하는것을특징으로한다. 따라서, 챔버또는진공라인에서누설이발생할경우, 그발생위치를신속·정확하게알 수있다.
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公开(公告)号：KR101910974B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020110134002
申请日：2011-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/0002 , B29C59/022 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , Y10S977/887
Abstract: 임프린팅스탬프및 이를이용한나노임프린트방법이개시된다. 개시된임프린팅스탬프는제1기판; 상기제1기판상에형성된것으로, 전사하고자하는나노패턴이형성된하나이상의필드영역; 상기제1기판상에상기하나이상의필드영역중 어느하나에인접하여형성된것으로, 상기나노패턴보다큰 스케일의제1 더미패턴(dummy pattern)이형성된제1 더미패턴영역;을포함하며, 상기제1 더미패턴은상기하나이상의필드영역중 인접한필드영역에서상기제1 더미패턴영역을향하는제1방향으로뾰족한꼭지점을갖는다수의다각형배열을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020080064601A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020070001691
申请日：2007-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김재관
CPC classification number: H04L7/0008 , H04L7/04
Abstract: A method for compensating propagation delay of a tri-state bidirectional bus and a semiconductor device using the same are provided to synchronize a signal of a unidirectional bus with the signal of the bidirectional bus easily even if use of the tri-state bidirectional bus is not restricted, and the unidirectional and bidirectional buses are used. A mater block(21) controls slave blocks(22-25), and a tri-state bidirectional bus(L1) is connected between the master and slave blocks, and transfers data between the master and slave blocks. A unidirectional bus(L2,L3) is connected between the master and slave blocks, and transfers control signals generated from the master to the slave blocks. The master block detects propagation delay time between the master and slave blocks. One of the slave blocks is selected by an initialization signal among the control signals generated from the master block and transferred through the unidirectional bus. The selected slave block transfers an assigned symbol to the master block through the bidirectional bus.
Abstract translation: 提供用于补偿三态双向总线和使用其的半导体器件的传播延迟的方法，即使使用三态双向总线也不会使单向总线的信号与双向总线的信号同步 使用单向和双向总线。 主控块（21）控制从站（22-25），并且三态双向总线（L1）连接在主站和从站之间，并在主站和从站之间传送数据。 单向总线（L2，L3）连接在主站和从站之间，并将从主站产生的控制信号传送到从站。 主站检测主站和从站之间的传播延迟时间。 其中一个从块通过从主块产生并通过单向总线传输的控制信号之间的初始化信号来选择。 所选的从站块通过双向总线将分配的符号传送到主站。
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公开(公告)号：KR100817071B1
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：KR1020060105626
申请日：2006-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R23/02
CPC classification number: H03K9/08 , H03K5/1565
Abstract: A method and an apparatus for measuring a pulsewidth of a side-band signal are provided to decrease a communication error while using a side-band channel by monitoring an operation state of a side-band signal generating module. An apparatus for measuring a pulsewidth of a side-band signal includes a side-band signal generator(210), a phase detector(220), a charge pump(230), and a pulsewidth measuring unit(240). At a test mode, the side-band signal generator receives a predetermined data pattern, modulates a pulsewidth of the data pattern, and outputs a side-band signal. The phase detector receives the side-band signal and a reference clock, compares phases of the side-band signal and the reference clock with each other, and outputs a pulse signal corresponding to a phase difference. The charge pump receives the pulse signal and raises or lowers an output voltage based on the pulse signal. The pulsewidth measuring unit receives the output voltage from the charge pump and determines whether the side-band signal has a normal pulsewidth based on whether the output voltage corresponds to a predetermined reference voltage range.
Abstract translation: 提供一种用于测量边带信号的脉冲宽度的方法和装置，用于通过监视边带信号产生模块的操作状态来减少通过边带信道使用时的通信错误。 用于测量边带信号的脉冲宽度的装置包括侧带信号发生器（210），相位检测器（220），电荷泵（230）和脉冲宽度测量单元（240）。 在测试模式下，边带信号发生器接收预定的数据模式，调制数据模式的脉冲宽度，并输出边带信号。 相位检测器接收边带信号和参考时钟，将边带信号和参考时钟的相位彼此进行比较，并输出与相位差对应的脉冲信号。 电荷泵接收脉冲信号，并根据脉冲信号升高或降低输出电压。 脉冲宽度测量单元从电荷泵接收输出电压，并基于输出电压是否对应于预定的参考电压范围来确定边带信号是否具有正常脉冲宽度。
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