公开(公告)号：KR1020150094096A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020140014964

申请日：2014-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 이영훈 ,  김찬수 ,  권하일 ,  강창덕 ,  이종찬 ,  조광명 ,  차상호 ,  홍현기

IPC: C08G63/08 ,  C08G63/82 ,  C08G63/80

CPC classification number: C08G63/823

Abstract: 유기금속화합물(organometallic compound)을 포함하는 주촉매; 및 나노입자(nanoparticle)를 포함하는 조촉매;의 존재 하에, 락타이드를 개환 중합하는 단계를 포함하는 폴리락트산 제조방법, 상기 방법으로 제조된 폴리락트산수지, 상기 수지를 포함하는 수지조성물 및 폴리락트산 제조용 촉매 시스템이 제시된다.

Abstract translation: 公开了聚乳酸的制造方法，由其制造的聚乳酸树脂，包含该树脂的树脂组合物和制造聚乳酸的催化剂体系。 聚乳酸的制造方法包括在包括有机金属化合物的主催化剂和包含纳米颗粒的助催化剂存在下开环聚合丙交酯的步骤。

公开(公告)号：KR1020090031193A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：KR1020080040821

申请日：2008-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 최상무 ,  황농문 ,  설광수 ,  김찬수 ,  윤웅규 ,  이동권

IPC: H01L21/318 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0217 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02271 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming silicon nitride at low temperature, charge trap memory device comprising crystalline nano dots formed using the same and method of manufacturing charge trap memory device are provided to prevent the increment of the leakage current even though the thickness of the nitride film is thin. The substrate is loaded in the chamber of the silicon nitride deposition apparatus(100). The silicon nitride deposition apparatus includes a filament. The temperature of filament is increased to the dissociation temperature of the reaction gas(110). The reaction gas for the silicon nitride formation is supplied to the chamber(120). Therefore, the crystalline silicon nitride is formed in the top of the substrate. At this time, the temperature of filament is maintained by 1400°C-2000°C. The pressure of the chamber maintains in the number torr~ several tens torr.

Abstract translation: 在低温下形成氮化硅的方法，提供包括使用其形成的晶体纳米点的电荷陷阱存储器件以及制造电荷陷阱存储器件的方法，以防止漏电流的增加，即使氮化物膜的厚度较薄 。 将衬底装载在氮化硅沉积装置（100）的腔室中。 氮化硅沉积设备包括长丝。 灯丝的温度升高到反应气体（110）的解离温度。 用于氮化硅形成的反应气体被供应到室（120）。 因此，晶体氮化硅形成在基板的顶部。 此时，灯丝的温度保持在1400℃-2000℃。 室内的压力维持在几十托。

公开(公告)号：KR100284423B1

公开(公告)日：2001-03-02

申请号：KR1019930016616

申请日：1993-08-25

Applicant: 주식회사 엘지이아이 ,  한국방송공사 ,  삼성전자주식회사 ,  대우전자주식회사

Inventor： 김찬수

IPC: H04N5/21

Abstract: 본 발명은 디고스터 입력신호의 지터를 보정하는 기술에 관한 것으로, 종래의 고스트 제거 수단에 있어서는 입력되는 필드신호를 선입선출기에 저장한후 그대로 필터계수연산 프로세서로 출력하여 등화처리를 하게 되므로 순차적으로 입력되는 필드가 시간상으로 어긋나는 경우 등화처리가 잘못되는 결함이 있었는바, 본 발명은 이를 해결하기 위하여 선입선출기에서 직접 데이타를 필터계수연산 프로세서로 출력하여 저장하는 경우에 발생되는 필드의 어긋남을 보정함으로써 등화를 수행하기 위한 입력신호의 시작점을 일치시킬 수 있게 되고, 이로인하여 각 필드의 어긋남으로 인해 등화가 잘못되는 것을 방지할 수 있게 된다.