公开(公告)号：KR1020090031193A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：KR1020080040821

申请日：2008-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 최상무 ,  황농문 ,  설광수 ,  김찬수 ,  윤웅규 ,  이동권

IPC: H01L21/318 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0217 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02271 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming silicon nitride at low temperature, charge trap memory device comprising crystalline nano dots formed using the same and method of manufacturing charge trap memory device are provided to prevent the increment of the leakage current even though the thickness of the nitride film is thin. The substrate is loaded in the chamber of the silicon nitride deposition apparatus(100). The silicon nitride deposition apparatus includes a filament. The temperature of filament is increased to the dissociation temperature of the reaction gas(110). The reaction gas for the silicon nitride formation is supplied to the chamber(120). Therefore, the crystalline silicon nitride is formed in the top of the substrate. At this time, the temperature of filament is maintained by 1400°C-2000°C. The pressure of the chamber maintains in the number torr~ several tens torr.

Abstract translation: 在低温下形成氮化硅的方法，提供包括使用其形成的晶体纳米点的电荷陷阱存储器件以及制造电荷陷阱存储器件的方法，以防止漏电流的增加，即使氮化物膜的厚度较薄 。 将衬底装载在氮化硅沉积装置（100）的腔室中。 氮化硅沉积设备包括长丝。 灯丝的温度升高到反应气体（110）的解离温度。 用于氮化硅形成的反应气体被供应到室（120）。 因此，晶体氮化硅形成在基板的顶部。 此时，灯丝的温度保持在1400℃-2000℃。 室内的压力维持在几十托。

公开(公告)号：KR101028416B1

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：KR1020080076777

申请日：2008-08-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  정용빈 ,  이동권

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601

Abstract: 상기 박막 제조 방법에 있어서, 챔버 내에 기판을 제공한다. 챔버 내에 제1 반응 가스 및 제2 반응 가스를 공급한다. 그리고, 제1 반응 가스를 해리하여 결정성 나노 입자를 형성한다. 제2 반응 가스를 이용하여 기판 상에 비결정성 물질의 형성을 억제한다. 그리고, 기판 상에 제공된 결정성 나노 입자로부터 결정성 박막을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020090019691A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：KR1020080076777

申请日：2008-08-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  정용빈 ,  이동권

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601

Abstract: A method for production of thin layer and an apparatus for manufacturing the same are provided to perform the manufacturing process at the lower temperature by dissociating the reaction gas. A substrate is provided inside the chamber(S510). The first reaction gas and the second reaction gas are supplied inside the chamber(S520). The first reaction gas is dissociated and the crystalline nano particle is formed(S530). The formation of the non-crystalline substance is suppressed on the top of the substrate by using the second reaction gas(S540). The crystalline thin layer is formed from the crystalline nano particle provided to the top of the substrate(S550).

Abstract translation: 提供薄层的制造方法及其制造装置，以通过解离反应气体来进行较低温度的制造工序。 在室内设置基板（S510）。 第一反应气体和第二反应气体在室内供给（S520）。 解离第一反应气体并形成结晶纳米颗粒（S530）。 通过使用第二反应气体在基板的顶部抑制非结晶物质的形成（S540）。 晶体薄层由设置在基板顶部的结晶纳米颗粒形成（S550）。

公开(公告)号：KR100875712B1

公开(公告)日：2008-12-23

申请号：KR1020070045402

申请日：2007-05-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  김찬수 ,  정용빈 ,  윤웅규

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

Abstract: A crystallized layer can be quickly obtained and also the crystallized silicon can be easily obtained by depositing and drawing selectively the crystallized charged nano particle that is deposited on substrate. The film deposition apparatus(110) comprises a chamber(115) which is maintained under the upper pressure and have the substrate(140), a gas supply system introducing the reaction gas within the chamber(120), a heating element which emits the heat in order to dissociate the ionized reaction gas(130), and the electric field application part for applying the electric field in substrate(190). A step is for introducing the reaction gas and loading the substrate in the chamber. A step is for ionizing the reaction gas by using the heating element. A step is for generating nucleation in the ionized reaction gas. A step is for forming the nano particle while the nano particle is formed. A step is for depositing film by drawing the charged nano particle to the substrate using electric field.

Abstract translation: 可以快速获得结晶层，并且结晶硅可以通过选择性沉积和选择沉积在基底上的结晶的带电纳米颗粒而容易地获得。 该成膜装置（110）包括：保持在上部压力下并具有基板（140）的腔室（115）;在腔室（120）内导入反应气体的气体供给系统;发热 以分离离子化的反应气体（130）和用于在衬底（190）中施加电场的电场施加部分。 一个步骤是引入反应气体并将衬底装入腔室中。 一个步骤是通过使用加热元件使反应气体离子化。 一个步骤是在离子化反应气体中产生成核。 一个步骤是在形成纳米颗粒的同时形成纳米颗粒。 一个步骤是通过使用电场将带电的纳米颗粒吸引到基底来沉积薄膜。

公开(公告)号：KR100544796B1

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：KR1020030010375

申请日：2003-02-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김홍일 ,  윤석현 ,  이종흔 ,  이제훈 ,  한주환 ,  김도연 ,  황농문

IPC: C04B40/02

Abstract: 고온에서 공간 전하에 의한 입계 포텐셜이 존재하는 세라믹스를 소결하는 동안 전기장을 가함으로써 미세 구조를 단계적 혹은 연속적으로 변화시켜 경사 구조형 세라믹스 소결체를 제조하는 방법을 제시한다. 본 발명에 따라서 세라믹스 소결시 전기장 효과를 이용하면 한 소결체 내에서도 위치에 따른 미세 구조의 차이를 유도할 수 있으며, 이러한 구조에 의한 새로운 기능의 발현을 기대할 수 있다. 또한, 입성장이 잘 되지 않는 세라믹스라도 부분적으로 입성장을 촉진시킬 수 있으므로, 각종 세라믹 물질의 단결정 성장제조에 응용할 수 있다.

公开(公告)号：KR100846718B1

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：KR1020060085819

申请日：2006-09-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  이재익

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

Abstract: 증착 속도와 막의 특성 조절이 가능한 막 증착 장치 및 막 증착 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 막 증착 장치는 내부에 기판이 장입되는 챔버, 반응 가스를 챔버 내에 도입하는 가스 공급계, 도입되는 반응 가스를 해리시키기 위하여 열을 방출하는 필라멘트, 일정한 교류 및 직류 전압을 인가할 수 있는 전원, 및 해리된 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 전원으로부터 인가된 전압을 이용해 기판의 상부, 측부 및 하부 중 적어도 어느 한 부분에 바이어스를 인가하며 기판과는 분리된 바이어스 도입부를 포함한다. 본 발명에 따른 막 증착 방법은 이러한 막 증착 장치 또는 다른 막 증착 장치를 이용할 수 있으며, 반응 가스를 해리시키는 단계, 및 해리된 반응 가스로부터 기판 상에 막을 증착하는 동안 기판에 바이어스를 인가하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 반응 가스로부터 전하를 띤 나노 입자의 생성 거동을 반응 가스의 반응 조건에 의하여 변화시킬 수 있음과 동시에 이러한 생성 거동과 별도로, 일단 기상에서 생성된 전하를 띤 입자들의 전하 특성을 이용하여 바이어스를 인가하여 줌으로써 증착 거동 또한 개별적으로 조절하여, 이에 따른 증착 속도와 막의 특성 조절이 가능해진다.

公开(公告)号：KR1020040074485A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：KR1020030010375

申请日：2003-02-19

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김홍일 ,  윤석현 ,  이종흔 ,  이제훈 ,  한주환 ,  김도연 ,  황농문

IPC: C04B40/02

CPC classification number: C04B35/64 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/666

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gradient-structural ceramics is provided to control the microstructure of ceramics by changing it step-wisely or sequentially according to position using an electric field, and furthermore to induce the ceramics particle growth and the single crystal growth. CONSTITUTION: The method for manufacturing a gradient-structural ceramics comprises the steps of: forming a molded product of ceramics powder; and sintering the molded product while applying an electric field to induce the microstructural change of ceramics according to position. The sintered product has an intergranular potential occurring by the space charge at a high sintering temperature. The electric field may be applied to the sintered product in heat treatment after sintering.

Abstract translation: 目的：提供一种梯度结构陶瓷的制造方法，通过使用电场根据位置逐步或依次变化来进行陶瓷的微结构化控制，进一步诱导陶瓷粒子生长和单晶生长。 构成：梯度结构陶瓷的制造方法包括以下步骤：形成陶瓷粉末的成型体; 并在施加电场的同时烧结成型产品，以根据位置诱导陶瓷的微结构变化。 烧结产物在高烧结温度下具有通过空间电荷发生的晶间电位。 在烧结后的热处理中可以将电场施加到烧结体。

公开(公告)号：KR1020080099616A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：KR1020070045402

申请日：2007-05-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  김찬수 ,  정용빈 ,  윤웅규

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/45559 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: A crystallized layer can be quickly obtained and also the crystallized silicon can be easily obtained by depositing and drawing selectively the crystallized charged nano particle that is deposited on substrate. The film deposition apparatus(110) comprises a chamber(115) which is maintained under the upper pressure and have the substrate(140), a gas supply system introducing the reaction gas within the chamber(120), a heating element which emits the heat in order to dissociate the ionized reaction gas(130), and the electric field application part for applying the electric field in substrate(190). A step is for introducing the reaction gas and loading the substrate in the chamber. A step is for ionizing the reaction gas by using the heating element. A step is for generating nucleation in the ionized reaction gas. A step is for forming the nano particle while the nano particle is formed. A step is for depositing film by drawing the charged nano particle to the substrate using electric field.

Abstract translation: 可以快速获得结晶层，并且通过沉积和沉积在基底上的结晶的带电荷的纳米粒子可以容易地获得结晶的硅。 成膜装置（110）包括保持在上压下并具有基底（140）的腔室（115），将反应气体引入腔室（120）内的气体供给系统，发出热量的加热元件 为了离解离子化反应气体（130）和用于在基板（190）中施加电场的电场施加部分。 步骤是引入反应气体并将衬底装载在腔室中。 通过使用加热元件使反应气体电离的步骤。 一个步骤是在电离反应气体中产生成核。 形成纳米颗粒的步骤是形成纳米颗粒。 步骤是通过使用电场将带电荷的纳米颗粒拉伸到基底上来沉积膜。

公开(公告)号：KR1020080022416A

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：KR1020060085819

申请日：2006-09-06

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  이재익

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0262

Abstract: A method for depositing films using bias is provided to separately control deposition behavior by applying a bias to a substrate in consideration of charged behavior of charged nano-particles. A substrate is loaded in a chamber(15), and a gas supply system(20) is adapted to introduce a reaction gas into the chamber. A filament(30) is adapted to emit heat for dissociating the introduced reaction gas, and a power supply(70) is adapted to supply a constant alternate current or direct current voltage. A bias supply unit(80) is adapted to apply a bias to at least one of a top, a side and a bottom of the substrate using the voltage applied from the power supply while a film is deposited on the substrate from the dissociated reaction gas. The bias supply unit is separated from the substrate.

Abstract translation: 提供了使用偏置沉积膜的方法，以考虑到带电纳米颗粒的带电行为，通过向衬底施加偏压来分别控制沉积行为。 衬底被装载在腔室（15）中，并且气体供应系统（20）适于将反应气体引入腔室。 灯丝（30）适于发射热量以使引入的反应气体解离，并且电源（70）适于提供恒定的交流电流或直流电压。 偏置电源单元（80）适于使用从电源施加的电压向衬底的顶部，侧面和底部中的至少一个施加偏压，同时从解离的反应气体将膜沉积在衬底上 。 偏压供应单元与基板分离。

公开(公告)号：KR101564331B1

公开(公告)日：2015-10-30

申请号：KR1020090068415

申请日：2009-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 박영준 ,  황농문 ,  정용빈 ,  양승민 ,  박순영

IPC: H01L21/205

Abstract: 전계제어장치를구비한열선화학기상증착장치및 그를이용한박막제조방법이개시된다. 개시된열선화학기상증착장치는기판에제1바이어스전압을인가하는제1바이어스전압인가부와, 반응가스를해리시키는열을방출하는열선과, 상기열선에제2바이어스전압을인가하는제2바이어스전압인가부를구비한다.