公开(公告)号：KR20210027210A

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020200110630A

申请日：2020-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박건수 ,  김찬수 ,  김광희 ,  장은주

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/502 ,  H01L33/18 ,  H01L33/26 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5092 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303

Abstract: 복수개의 양자점을 포함하는 발광층, 그리고 상기 발광층 상에 배치되고 상기 발광층에 전자를 수송 및 주입하는 전자 보조층을 포함하고, 상기 전자 보조층은, 복수개의 금속 산화물 나노입자들을 포함하고, 상기 금속 산화물 나노입자는 아연 및 도펀트 금속을 포함하고, 상기 도펀트 금속은 Mg, Mn, Ni, Sn, Al, Y, Ga, Zr, Ni, Co, 또는 이들의 조합을 포함하는 발광 소자를 제공한다. 상기 금속 산화물 나노입자 중 적어도 하나에서, 상기 도펀트 금속은, 농도 구배를 가지도록 상기 금속 산화물 나노입자에 포함되어 있다.

公开(公告)号：KR20210034953A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020190116948A

申请日：2019-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김찬수 ,  박건수 ,  김태호 ,  장은주 ,  정대영

IPC: H01L33/06 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L51/502 ,  H01L33/06 ,  H01L27/156 ,  H01L33/005 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/56

Abstract: 제1 전극과 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 양자점 층, 그리고 상기 양자점 층과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 제1 보조층을 포함하고, 상기 제1 보조층은 평균입경 10nm 이하의 니켈 산화물 나노입자와 유기 리간드를 포함하는 발광소자, 상기 발광 소자의 제조방법 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020090031193A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：KR1020080040821

申请日：2008-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 최상무 ,  황농문 ,  설광수 ,  김찬수 ,  윤웅규 ,  이동권

IPC: H01L21/318 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/0217 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02271 ,  H01L29/518

Abstract: A method of forming silicon nitride at low temperature, charge trap memory device comprising crystalline nano dots formed using the same and method of manufacturing charge trap memory device are provided to prevent the increment of the leakage current even though the thickness of the nitride film is thin. The substrate is loaded in the chamber of the silicon nitride deposition apparatus(100). The silicon nitride deposition apparatus includes a filament. The temperature of filament is increased to the dissociation temperature of the reaction gas(110). The reaction gas for the silicon nitride formation is supplied to the chamber(120). Therefore, the crystalline silicon nitride is formed in the top of the substrate. At this time, the temperature of filament is maintained by 1400°C-2000°C. The pressure of the chamber maintains in the number torr~ several tens torr.

Abstract translation: 在低温下形成氮化硅的方法，提供包括使用其形成的晶体纳米点的电荷陷阱存储器件以及制造电荷陷阱存储器件的方法，以防止漏电流的增加，即使氮化物膜的厚度较薄 。 将衬底装载在氮化硅沉积装置（100）的腔室中。 氮化硅沉积设备包括长丝。 灯丝的温度升高到反应气体（110）的解离温度。 用于氮化硅形成的反应气体被供应到室（120）。 因此，晶体氮化硅形成在基板的顶部。 此时，灯丝的温度保持在1400℃-2000℃。 室内的压力维持在几十托。

公开(公告)号：KR100875712B1

公开(公告)日：2008-12-23

申请号：KR1020070045402

申请日：2007-05-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  김찬수 ,  정용빈 ,  윤웅규

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

Abstract: A crystallized layer can be quickly obtained and also the crystallized silicon can be easily obtained by depositing and drawing selectively the crystallized charged nano particle that is deposited on substrate. The film deposition apparatus(110) comprises a chamber(115) which is maintained under the upper pressure and have the substrate(140), a gas supply system introducing the reaction gas within the chamber(120), a heating element which emits the heat in order to dissociate the ionized reaction gas(130), and the electric field application part for applying the electric field in substrate(190). A step is for introducing the reaction gas and loading the substrate in the chamber. A step is for ionizing the reaction gas by using the heating element. A step is for generating nucleation in the ionized reaction gas. A step is for forming the nano particle while the nano particle is formed. A step is for depositing film by drawing the charged nano particle to the substrate using electric field.

Abstract translation: 可以快速获得结晶层，并且结晶硅可以通过选择性沉积和选择沉积在基底上的结晶的带电纳米颗粒而容易地获得。 该成膜装置（110）包括：保持在上部压力下并具有基板（140）的腔室（115）;在腔室（120）内导入反应气体的气体供给系统;发热 以分离离子化的反应气体（130）和用于在衬底（190）中施加电场的电场施加部分。 一个步骤是引入反应气体并将衬底装入腔室中。 一个步骤是通过使用加热元件使反应气体离子化。 一个步骤是在离子化反应气体中产生成核。 一个步骤是在形成纳米颗粒的同时形成纳米颗粒。 一个步骤是通过使用电场将带电的纳米颗粒吸引到基底来沉积薄膜。

公开(公告)号：KR1020080099616A

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：KR1020070045402

申请日：2007-05-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황농문 ,  김찬수 ,  정용빈 ,  윤웅규

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/45559 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: A crystallized layer can be quickly obtained and also the crystallized silicon can be easily obtained by depositing and drawing selectively the crystallized charged nano particle that is deposited on substrate. The film deposition apparatus(110) comprises a chamber(115) which is maintained under the upper pressure and have the substrate(140), a gas supply system introducing the reaction gas within the chamber(120), a heating element which emits the heat in order to dissociate the ionized reaction gas(130), and the electric field application part for applying the electric field in substrate(190). A step is for introducing the reaction gas and loading the substrate in the chamber. A step is for ionizing the reaction gas by using the heating element. A step is for generating nucleation in the ionized reaction gas. A step is for forming the nano particle while the nano particle is formed. A step is for depositing film by drawing the charged nano particle to the substrate using electric field.

Abstract translation: 可以快速获得结晶层，并且通过沉积和沉积在基底上的结晶的带电荷的纳米粒子可以容易地获得结晶的硅。 成膜装置（110）包括保持在上压下并具有基底（140）的腔室（115），将反应气体引入腔室（120）内的气体供给系统，发出热量的加热元件 为了离解离子化反应气体（130）和用于在基板（190）中施加电场的电场施加部分。 步骤是引入反应气体并将衬底装载在腔室中。 通过使用加热元件使反应气体电离的步骤。 一个步骤是在电离反应气体中产生成核。 形成纳米颗粒的步骤是形成纳米颗粒。 步骤是通过使用电场将带电荷的纳米颗粒拉伸到基底上来沉积膜。

公开(公告)号：KR100244781B1

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019970032147

申请日：1997-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이인호 ,  김형선 ,  이문영 ,  김찬수 ,  유승화

IPC: G06F11/00

CPC classification number: G06F11/324 ,  G06F11/008

Abstract: 본 발명은 I2C 프로세서가 SCSI 디바이스의 상태를 판독하여 필요한 경우에만 주 프로세서에 보고하여 주 프로세서와 SCSI 버스의 부담을 감소시킴으로써 전체 시스템 성능을 향상시키는 고장예측과 자기진단 가능한 SCSI 디바이스 및 이 장치에 의한 고장예측과 자기진단 방법에 관한 것으로, 본 발명의 고장예측과 자기진단 가능한 SCSI 디바이스는 SCSI 디바이스의 온도 및 모터 구동 상태를 감지하는 온도 및 모터구동 센서와; SCSI 디바이스의 파워를 감지하고 마스터 I2C 프로세서로부터 명령을 받아 I2C 프로세서를 통해 SCSI 디바이스의 파워를 온/오프하는 파워 스위치 및 파워를 감지하는 파워 센서; SCSI 디바이스의 상태를 감지하는 SMART 센서; 종전의 모든 상태 보고, 에러 보고 및 SMART 기능을 SCSI 컨트롤러를 통하여 마스터 I2C 프로세서로 보고하는 디바이스 제어 로직; 칩은 상기 온도 및 모터구동 센서와 파워 센서 및 파워 온/오프 스위치, SMART 센서에 의해 감지된 모든 정보를 분석하여 필요시 SCSI 채널 혹은 I2C 채널을 통하여, 주 프로세서로 보고하는 I2C 프로세서를 포함하여 이루어지고, 본 발명의 상기 SCSI 디바이스에 의한 고장예측과 자기진단 방법은, SCSI 디바이스의 온도 및 모터 구동 상태를 감지하는 과정(S1)과, SCSI 디바이스의 파워를 감지하는 과정(S2)과, SCSI 디바이스의 파워를 온/오프 하는 과정(S3)과, SCSI 디바이스의 상태를 감지하는 과정(S4)과, 종전의 모든 상태를 보고하는 과정(S5)과, 종전의 모든 에러를 보고하는 과정(S6)과, SMART 기능을 보고하는 과정(S7)과, SCSI 디바이스에 대한 모든 정보를 분석하는 과정(S8)과, 상기 분석 과정의 결과 I2C 프로세서가 자체 처리할 수 있는 한계 이상의 결함이 있는 지의 여 부를 조사하는 과정(S9)과, 상기 과정(S9)에서 결함이 검출되면 상기 정보 분석 결과를 마스터 I2C 프로세서로 보고하는 과정(S10)을 포함하여 이루어 진다.

公开(公告)号：KR1019950007425A

公开(公告)日：1995-03-21

申请号：KR1019930016616

申请日：1993-08-25

Applicant: 주식회사 엘지이아이 ,  한국방송공사 ,  삼성전자주식회사 ,  대우전자주식회사

Inventor： 김찬수

IPC: H04N5/21

Abstract: 본 발명은 디고스터 입력신호의 지터를 보정하는 기술에 관한 것으로, 종래의 고스트 제거 수단에 있어서는 입력되는 필드신호를 선입선출기에 저장한후 그대로 필터계수연산 프로세서로 출력하여 등화처리를 하게 되므로 순차적으로 입력되는 필드가 시간상으로 어긋나는 경우 등화처리가 잘못되는 결함이 있었는 바, 본 발명은 이를 해결하기 위하여 선입선출기에서 직접 데이타를 필터계수연산 프로세서로 출력하여 저장하는 경우에 발생되는 필드의 어긋남을 보정함으로써 등화를 수행하기 위한 입력신호의 시작점을 일치시킬 수 있게 되고, 이로인하여 각 필드의 어긋만으로 인해 등화가 잘못되는 것을 방지할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR102255307B1

公开(公告)日：2021-05-24

申请号：KR1020140152862

申请日：2014-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김찬수 ,  이경해 ,  최준 ,  이무호 ,  조광명

IPC: C08L67/04 ,  C08K9/04 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  C08J5/00

Abstract: 폴리락트산; 및유무기(organic-inorganic) 복합입자를포함하며, 상기복합입자가무기나노입자코어및 상기코어상에형성된코팅층을포함하며, 상기코팅층이공중합체를포함하는열가소성수지조성물및 이로이루어진성형품이제시된다.

公开(公告)号：KR1020160053598A

公开(公告)日：2016-05-13

申请号：KR1020140152862

申请日：2014-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김찬수 ,  이경해 ,  최준 ,  이무호 ,  조광명

IPC: C08L67/04 ,  C08K9/04 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  C08J5/00

CPC classification number: C08L67/04 ,  C08K3/346 ,  C08K3/36 ,  C08K9/08 ,  C08K2201/003 ,  C08K2201/011 ,  C08L91/00

Abstract: 폴리락트산; 및유무기(organic-inorganic) 복합입자를포함하며, 상기복합입자가무기나노입자코어및 상기코어상에형성된코팅층을포함하며, 상기코팅층이공중합체를포함하는열가소성수지조성물및 이로이루어진성형품이제시된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种热塑性树脂组合物及其制备的模塑制品，更具体地说，涉及通过含有聚乳酸具有改进的抗冲击性和耐热性的热塑性树脂组合物。 热塑性树脂组合物包括聚乳酸和有机 - 无机复合颗粒。 复合颗粒包括无机纳米颗粒芯和芯上的涂层。 涂层包括共聚物。

公开(公告)号：KR1019990009677A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970032147

申请日：1997-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이인호 ,  김형선 ,  이문영 ,  김찬수 ,  유승화

IPC: G06F11/00

Abstract: 본 발명은 I2C 프로세서가 SCSI 디바이스의 상태를 판독하여 필요한 경우에만 주 프로세서에 보고하여 주 프로세서와 SCSI 버스의 부담을 감소시킴으로써 전체 시스템 성능을 향상시키는 고장예측과 자기진단 가능한 SCSI 디바이스 및 이 장치에 의한 고장예측과 자기진단 방법에 관한 것으로, 본 발명의 고장예측과 자기진단 가능한 SCSI 디바이스는 SCSI 디바이스의 온도 및 모터 구동 상태를 감지하는 온도 및 모터구동 센서와; SCSI 디바이스의 파워를 감지하고 마스터 I2C 프로세서로부터 명령을 받아 I2C 프로세서를 통해 SCSI 디바이스의 파워를 온/오프하는 파워 스위치 및 파워를 감지하는 파워 센서; SCSI 디바이스의 상태를 감지하는 SMART 센서; 종전의 모든 상태 보고, 에러 보고 및 SMART 기능을 SCSI 컨트롤러를 통하여 마스터 I2C 프로세서로 보고하는 디바이스 제어 로직; 칩은 상기 온도 및 모터구동 센서와 파워 센서 및 파워 온/오프 스위치, SMART 센서에 의해 감지된 모든 정보를 분석하여 필요시 SCSI 채널 혹은 I2C 채널을 통하여, 주 프로세서로 보고하는 I2C 프로세서를 포함하여 이루어지고, 본 발명의 상기 SCSI 디바이스에 의한 고장예측과 자기진단 방법은, SCSI 디바이스의 온도 및 모터 구동 상태를 감지하는 과정(S1)과, SCSI 디바이스의 파워를 감지하는 과정(S2)과, SCSI 디바이스의 파워를 온/오프 하는 과정(S3)과, SCSI 디바이스의 상태를 감지하는 과정(S4)과, 종전의 모든 상태를 보고하는 과정(S5)과, 종전의 모든 에러를 보고하는 과정(S6)과, SMART 기능을 보고하는 과정(S7)과, SCSI 디바이스에 대한 모든 정보를 분석하는 과정(S8)과, 상기 분석 과정의 결과 I2C 프로세서가 자체 처리할 수 있는 한계 이상의 결함이 있는 지의 여 부를 조사하는 과정(S9)과, 상기 과정(S9)에서 결함이 검출되면 상기 정보 분석 결과를 마스터 I2C 프로세서로 보고하는 과정(S10)을 포함하여 이루어 진다.