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公开(公告)号：KR200119070Y1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR2019930020234
申请日：1993-10-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김철우
IPC: F04C18/356
Abstract: 본 고안은 냉매를 고압으로 압축시켜 응축기로 공급하는 로터리 압축기에 관한 것으로써, 특히 동력원에 의해 회전되는 크랭크축(10)과, 상기 크랭크축(10)의 편심부(12)를 수용하는 실린더(30)와, 상기 실린더(30)에 배설된 분리부재(40)로 이루어져 냉매를 압축시키는 로터리 압축기에 있어서, 상기 크랭크축(10)의 편심부(12)에 삽입되어서 상기 크랭크축(10)과 연동하여 회전하는 타원형상의 롤러부재(20)와, 상기 롤러부재(20)에 의해 상기 실린더(30)의 내부에 확장된 용적을 갖는흡입실(37)로 이루어진 것을 특징으로 하는 로터리 압축기에 관한 것으로써, 크랭크축과 롤러부재를 용이하게 조립할 수 있으므로 다운시킴은 물론 흡입실의 용적증가로 압축효율을 보다 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR2019950011916U
公开(公告)日：1995-05-16
申请号：KR2019930020234
申请日：1993-10-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김철우
IPC: F04C18/356
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公开(公告)号：KR2019940019481U
公开(公告)日：1994-08-19
申请号：KR2019930000916
申请日：1993-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김철우
IPC: F04C29/02
Abstract: 본고안은횡형로타리압축기에관한것으로, 압축기내의베인하측에베인스프링을형성하고, 주베어링에는하단일측으로유체다이오드및 오일공급로를형성하였으며, 회전축에홈을길게형성한것으로, 베인펌핑력을이용한윤활구조를해결하고자한 것으로서, 먼저베인이회전축과로울러의상대운동으로상, 하왕복운동을하면이에따라베인하단부즉, 베인스프링부에펌핑작용을일으키게되면서케이스저면의냉동오일이유체다이오드를통해급유통로인오일공급로를지나펌프부의각 구동부간에냉동오일이공급되어윤활성을향상시켜압축기의전체적인윤활효율을개선한것을특징으로하는횡형로타리압축기에대한것이다.
Abstract translation: 纸提案涉及的水平旋转式压缩机中，形成在叶片在压缩机下部的叶片弹簧，主轴承已被形成为在旋转轴的流体二极管和供给至底侧的油，hangeoteuro伸长槽，与叶片泵送力润滑 作为解决该结构中，首先，一个阶段，当向下往复yiettara叶片下端即，叶片的情况下的供给通路底部冷冻5天而在所述旋转轴和所述辊子的相对运动引起的泵送作用于弹簧部通过流体二极管叶片 并且润滑油通过供油路径供应到泵部件的驱动部件之间，从而提高了润滑效率并提高了压缩机的整体润滑效率。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101767108B1
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：KR1020100128414
申请日：2010-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48 , H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/76879 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H05K3/4614 , H05K3/4626 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 본발명은하이브리드기판, 이를구비하는반도체패키지및 그제조방법에관한것으로, 반도체칩이실장되는상면과그 반대면인하면을가지며서로다른피치들을갖는도전패턴을포함하는절연막, 상기절연막의하면에결합되며상기도전패턴과접속되는회로패턴을포함하는유기막을갖는하이브리드기판을포함한다. 상기도전패턴은상기절연막의상면에배치된제1 피치를갖는제1 금속패턴과; 그리고상기제1 금속패턴으로부터연장되어상기절연막을관통하여상기회로패턴과접속하는상기제1 피치보다큰 제2 피치를갖는제2 도전패턴을포함한다.
Abstract translation: 本发明是一种混合型衬底，所述的半导体封装和具有该制造方法，其耦合到包含具有顶表面和导电图形的绝缘膜时的半导体芯片yisiljang的相对侧具有不同的节距，按照与绝缘膜 并且具有包括连接到导电图案的电路图案的有机膜的混合基板。 导电图案包括设置在绝缘膜的上表面上的具有第一间距的第一金属图案; 以及第二导电图案，从第一金属图案延伸并且具有大于第一间距的第二间距，第二导电图案延伸穿过绝缘膜并连接到电路图案。
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公开(公告)号：KR1020130089475A
公开(公告)日：2013-08-12
申请号：KR1020120010867
申请日：2012-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05K3/46 , H01L23/488
CPC classification number: H05K1/0298 , H01L23/28 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1088 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18161 , H05K1/02 , H05K3/4602 , H05K3/4644 , H05K2201/0191 , H05K2201/09136 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A circuit board, a fabrication method of the same, and a semiconductor package using the same are provide to reduce the thickness of a conductive pattern included in a circuit board and provide a circuit board having a low coefficient of thermal expansion by defining a ratio of a circuit board thickness to the conductive pattern thickness. CONSTITUTION: A circuit board (100) comprises a core insulation film (110) of a thickness A including a first surface and a second surface facing each other; an upper stack structure (112) of a thickness B having an upper conductive pattern and an upper insulation film in sequence repeatedly stacked on the first surface of the core insulation film; and a lower stack structure (114) of a thickness C having a lower conductive pattern and a lower insulation film in sequence repeatedly stacked on the second surface of the core insulation film. A ratio of a sum of the thickness of the upper conductive pattern and the lower conductive pattern to a sum (A+B+C) is in a range from 0.1 to 0.25, and a ratio of the thickness A to the sum (A+B+C) is in a range from 0.5 to 0.75.
Abstract translation: 目的：提供一种电路板及其制造方法以及使用该电路板的半导体封装，以减小包括在电路板中的导电图案的厚度，并通过限定一种电路板来提供具有低热膨胀系数的电路板 电路板厚度与导电图案厚度之比。 构成：电路板（100）包括厚度为A的芯绝缘膜（110），其包括第一表面和彼此面对的第二表面; 具有上导电图案和上绝缘膜的厚度B的上堆叠结构（112），其顺序地重叠堆叠在芯绝缘膜的第一表面上; 以及具有下导电图案和下绝缘膜的厚度C的下堆叠结构（114），其顺序地重叠堆叠在芯绝缘膜的第二表面上。 上导电图案和下导电图案的厚度之和与（A + B + C）之和的比值在0.1至0.25的范围内，并且厚度A与总和（A + B + C）的范围为0.5〜0.75。
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公开(公告)号：KR1020100002967A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080063035
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/12
Abstract: PURPOSE: A semiconductor packaging device and a forming method thereof are provided to control flow of a protection layer by forming the closed boarders limiting package regions on a base plate. CONSTITUTION: A base plate(5,45) is segmented into package regions through a selected surface. Semiconductor chip regions are arranged in the package regions and electric circuits are formed in the semiconductor chip regions respectively. The closed boarders are positioned on the base plate and surround the package regions. The base plate is made of at least one material.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体封装装置及其形成方法，以通过在基板上形成限制封装区域的封闭边界来控制保护层的流动。 构成：基板（5,45）通过选定的表面分段成封装区域。 半导体芯片区域布置在封装区域中，并且电路分别形成在半导体芯片区域中。 封闭的寄存器位于基板上并围绕封装区域。 基板由至少一种材料制成。
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