公开(公告)号：KR1020110103158A

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：KR1020100022353

申请日：2010-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신동석 ,  남성진 ,  허정식 ,  김명선

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7834 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/66348

Abstract: 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자에 따르면, 에피택시얼 패턴이 게이트 패턴 일측의 반도체 기판에 형성된 함몰 영역을 채운다. 함몰 영역 일측의 바디부 상에 게이트 패턴이 배치된다. 바디부에 인접한 함몰 영역의 측벽은 바디부를 향하는 뾰족한 리세스들의 내면들을 포함하거나, 뾰족한 리세스의 내면 및 수직한 하부 측벽을 가질 수 있다.

Abstract translation: 提供了一种包括场效应晶体管的半导体器件及其形成方法。 根据该元件，外延图案填充在栅极图案的一侧上的半导体衬底中形成的凹陷区域。 栅极图案设置在凹陷区域的一侧上的主体部分上。 邻近于所述主体部分的凹陷区域的侧壁包括凹部的尖头部分的面向身体的内表面，或者可以具有一个内表面和尖凹部的垂直下侧壁。

公开(公告)号：KR1020010109724A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1020000030300

申请日：2000-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남성진 ,  박정주

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조방법을 개시한다. 이에 의하면, 반도체기판 상에 미세패턴들을 형성하고, 미세패턴들을 포함한 반도체기판 상에 스페이서를 위한 절연막을 적층하면서 절연막 내에 보이드를 형성시키고, 절연막을 이방성 식각하여 미세패턴들의 측벽에 스페이서들을 형성한다.
따라서, 본 발명은 절연막 내에 보이드를 형성함으로써 스페이서들을 이온주입에 필요한 충분한 공간을 두고 이격하여 형성할 수 있고 나아가 반도체소자의 집적도를 더욱 높일 수 있다.