公开(公告)号：KR102235041B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020140016081A

申请日：2014-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김경미 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 소자의 제조하는 방법을 제공한다. 반사 방지막 상에 감광성 및 리플로우 특성을 갖는 중성막을 형성하고, 중성막을 노광 및 현상하여, 반사 방지막을 부분적으로 노출시키는 예비 중성 패턴을 형성하고, 예비 중성 패턴을 가열하여 중성 패턴을 형성하며, 중성 패턴 상에 블록 코폴리머막을 형성한 후 블록 코폴리머막을 가열하여, 노출된 반사 방지막 상에 제1 패턴과, 중성 패턴 상에 제1 패턴에 공유 결합된 제2 패턴을 포함하는 블록 코폴리머 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020160072619A

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：KR1020140180500

申请日：2014-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  권승철 ,  김은성 ,  남재우 ,  이시용 ,  김현우

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08L53/00 ,  G03F7/002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/165 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10855

Abstract: 미세패턴형성방법에서는피쳐층위에규칙적으로배열된복수의필라(pillar)형가이드를형성하고, 복수의필라형가이드각각의주위에제1 폴리머블록및 제2 폴리머블록을포함하는퓨어블록공중합체와, 제1 호모폴리머와, 제2 호모폴리머를포함하는블록공중합체층을형성한다. 블록공중합체층을상분리하여, 제1 폴리머블록및 제1 호모폴리머를포함하고복수의필라형가이드와함께규칙적인배열을이루는복수의제1 도메인과, 제2 폴리머블록및 제2 호모폴리머를포함하고복수의필라형가이드및 복수의제1 도메인을각각포위하는제2 도메인을형성한다. 복수의제1 도메인을제거한후, 복수의필라형가이드및 제2 도메인을식각마스크로이용하여피쳐층을식각하여복수의홀을형성한다.

Abstract translation: 本发明的技术目的在于提供一种集成电路器件的制造方法，该集成电路器件容易地实现集成电路器件，该集成电路器件在有限的区域中包含重复形成为细间距的多个孔图案。 在精细图案形成方法中，在特征层上形成规则排列的多个柱状引导件。 含有第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段的纯嵌段共聚物和含有第一均聚物和第二均聚物的嵌段共聚物层形成在每个柱型引导件的周围。 通过进行嵌段共聚物层的相分离，形成多个第一区域，其包含第一聚合物嵌段和第一均聚物并且与柱状引导体规则地排列，并且第二区域包含第二聚合物嵌段和 第二均聚物，并且分别围绕柱型引导件和第一域。 在移除第一区域之后，通过使用柱状引导件和第二区域作为蚀刻掩模来蚀刻特征层来形成多个孔。

公开(公告)号：KR1020150095040A

公开(公告)日：2015-08-20

申请号：KR1020140016081

申请日：2014-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김경미 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/091 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0273

Abstract: 반도체 소자의 제조하는 방법을 제공한다. 반사 방지막 상에 감광성 및 리플로우 특성을 갖는 중성막을 형성하고, 중성막을 노광 및 현상하여, 반사 방지막을 부분적으로 노출시키는 예비 중성 패턴을 형성하고, 예비 중성 패턴을 가열하여 중성 패턴을 형성하며, 중성 패턴 상에 블록 코폴리머막을 형성한 후 블록 코폴리머막을 가열하여, 노출된 반사 방지막 상에 제1 패턴과, 중성 패턴 상에 제1 패턴에 공유 결합된 제2 패턴을 포함하는 블록 코폴리머 패턴을 형성한다.

Abstract translation: 提供一种半导体器件的制造方法。 在抗反射涂层上形成具有感光和回流性能的中性层。 通过曝光和显影中性层来形成部分曝光抗反射涂层的初步中性图案。 通过加热初步中性图案形成中性图案。 通过在中性图案上形成嵌段共聚物层之后，通过加热嵌段共聚物层，形成包含暴露的抗反射涂层上的第一图案和共价键合到第一图案的第二图案的嵌段共聚物图案。

公开(公告)号：KR1020060134568A

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020050054350

申请日：2005-06-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus for cleaning a wafer is provided to prevent a wafer from being transferred by making a pulley for transferring rotation power of a rotation part run idle even if the elasticity of a conveyor belt decreases and the conveyor belt extends in a lengthwise direction. Upper and lower brushes(520,540) polish the upper and the lower surface of a wafer(800). The wafer polished by the upper and the lower brushe is rotated by a toggle roller(560). A plurality of conveyor belts(550) are disposed in the toggle roller, horizontally transferring or returning the wafer while supporting both edges of the wafer. The conveyor belt receives rotation power of a rotation part for supplying predetermined rotation force and rotates along an orbit centering around at least one rotating pulley, having a structure gearing with a shape formed on the outer circumferential surface of the pulley. The conveyor belt has an inner lateral surface in which saw-type bending or a groove gearing with the pulley having a saw-type outer circumferential surface.

Abstract translation: 提供了一种用于清洁晶片的装置，以便即使传送带的弹性降低并且传送带沿长度方向延伸，也可以通过制造用于传送旋转部件的旋转动力的滑轮来转移晶片。 上和下刷（520,540）抛光晶片（800）的上表面和下表面。 由上下刷头抛光的晶片通过肘节辊（560）旋转。 多个输送带（550）设置在肘节辊中，水平地传送或返回晶片，同时支撑晶片的两个边缘。 传送带接收用于提供预定旋转力的旋转部分的旋转动力，并且沿着围绕至少一个旋转滑轮的轨道旋转，该旋转滑轮具有以形成在滑轮的外圆周表面上的形状的结构。 传送带具有内侧表面，其中锯形弯曲或带轮的沟槽齿轮具有锯形外圆周表面。

公开(公告)号：KR1020060124026A

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：KR1020050045740

申请日：2005-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

Abstract: A method for forming a pattern of a semiconductor device is provided to improve productivity by minimizing a gap between the pattern and the pattern of the semiconductor device. An underlayer is formed on a semiconductor substrate(100). A plurality of photoresist layer patterns are formed on the underlayer. A trench is formed within the underlayer by etching partially the underlayer by using the photoresist layer patterns as an etch mask. The photoresist layer patterns are removed therefrom. A sacrificial spacer(115a) is formed to cover a sidewall of the trench. The sacrificial spacer is formed with a material layer having etching selectivity to the underlayer. An underlayer pattern is formed by etching the underlayer.

Abstract translation: 提供了一种用于形成半导体器件的图案的方法，以通过最小化半导体器件的图案和图案之间的间隙来提高生产率。 在半导体衬底（100）上形成底层。 在底层上形成多个光致抗蚀剂图案。 通过使用光致抗蚀剂层图案作为蚀刻掩模，部分地蚀刻底层，在底层内形成沟槽。 从中除去光致抗蚀剂层图案。 牺牲间隔物（115a）被形成以覆盖沟槽的侧壁。 牺牲隔离物由对底层具有蚀刻选择性的材料层形成。 通过蚀刻底层形成底层图案。

公开(公告)号：KR1020060011340A

公开(公告)日：2006-02-03

申请号：KR1020040060141

申请日：2004-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주

IPC: G11B27/02

Abstract: 영상파일의 부가정보에 기초한 영상파일 삭제방법 및 이를 적용한 영상기기가 제공된다. 복수의 영상파일 및 상기 복수의 영상파일의 부가정보가 기록된 기록매체를 구비한 영상기기의 영상파일 삭제방법은, 상기 부가정보에 기초하여 삭제대상 영상파일을 결정하는 단계 및 결정된 상기 삭제대상 영상파일을 상기 기록매체에서 삭제하는 단계를 포함한다. 이에 의해, 사용자가 '파일삭제 우선순위'만을 선택하면, 영상파일들의 부가정보를 이용하여 선택된 '파일삭제 우선순위'를 만족하는 영상파일을 삭제할수 있게 된다. 따라서, 사용자가 일일이 영상파일의 내용을 확인하는 과정을 거쳐 영상파일을 삭제하여야 하는 불편 및 그로 인한 시간소요를 방지할 수 있게 된다.
영상파일, 삭제, 부가정보, 파일삭제 우선순위

公开(公告)号：KR1020040031860A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：KR1020020060465

申请日：2002-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A contact structure of a lower electrode and a method for forming the same are provided to be capable of enhancing the contact area of the lower electrode and a lower layer. CONSTITUTION: A contact plug(180a) is electrically connected to an active region of a semiconductor substrate(100) through an insulating layer(120a). A protrudent supporting layer(260b) is formed on the contact plug, wherein the protrudent height of the supporting layer(260b) is higher than that of the insulating layer. A lower electrode(280a) of a capacitor is formed on the resultant structure.

Abstract translation: 目的：提供下电极的接触结构及其形成方法，以能够增强下电极和下电极的接触面积。 构成：接触插塞（180a）通过绝缘层（120a）与半导体衬底（100）的有源区电连接。 突起支撑层（260b）形成在接触插塞上，其中支撑层（260b）的突出高度高于绝缘层的突出高度。 在所得结构上形成电容器的下电极（280a）。

公开(公告)号：KR1020010109724A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：KR1020000030300

申请日：2000-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남성진 ,  박정주

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조방법을 개시한다. 이에 의하면, 반도체기판 상에 미세패턴들을 형성하고, 미세패턴들을 포함한 반도체기판 상에 스페이서를 위한 절연막을 적층하면서 절연막 내에 보이드를 형성시키고, 절연막을 이방성 식각하여 미세패턴들의 측벽에 스페이서들을 형성한다.
따라서, 본 발명은 절연막 내에 보이드를 형성함으로써 스페이서들을 이온주입에 필요한 충분한 공간을 두고 이격하여 형성할 수 있고 나아가 반도체소자의 집적도를 더욱 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020170089271A

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：KR1020160009481

申请日：2016-01-26

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 이경미 ,  박정주 ,  권승철 ,  김은성 ,  이시용 ,  김상욱 ,  최영주

IPC: H01L21/027 ,  G01Q60/24 ,  H01L21/66 ,  G01R1/073 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00

CPC classification number: G01Q60/28 ,  G01Q60/42 ,  H01L21/67288 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/00

Abstract: 본발명은원자힘현미경용캔틸레버세트, 이를포함하는기판표면검사장치, 이를이용한반도체기판의표면분석방법및 이를이용한미세패턴형성방법에관한것이다. 본발명의일 태양은반도체기판으로형성된핸들링부; 상기핸들링부의일면에제공된캔틸레버부; 및상기캔틸레버부의일단에제공된프로브팁을포함하고, 상기프로브팁은폴리머로개질된표면을적어도부분적으로갖는원자힘현미경용캔틸레버세트를제공한다. 상기캔틸레버세트를이용하면기판의표면을직접적으로더욱정밀하게분석및 검사할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及使用在同一基板表面检查装置，其包括相同的原子力显微镜悬臂套在半导体基板的表面分析的方法，以及使用该精细图案形成方法。 本发明的一个方面提供了一种半导体器件，包括：由半导体衬底形成的处理部分; 提供在处理部件的一个表面上的悬臂; 以及设置在悬臂部分一端的探针尖端，其中探针尖端至少部分具有聚合物改性表面。 通过使用悬臂装置，可以更精确地直接分析和检查衬底表面。

公开(公告)号：KR1020170075438A

公开(公告)日：2017-07-03

申请号：KR1020150185090

申请日：2015-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주영 ,  박정주 ,  박진 ,  나혜섭

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C11D1/00 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/42 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332

Abstract: 포토리소그래피용린스액은소수성기를포함하는주쇄와, 주쇄로부터분기되고적어도하나의친수성기 함유작용기를가지는복수의측쇄를포함하는분기형구조의화합물로이루어지는계면활성제를포함한다. 집적회로소자를제조하기위하여, 포토레지스트패턴을형성한후, 소수성기를포함하는주쇄와, 적어도하나의친수성기 함유작용기를가지는복수의측쇄를포함하는분기형구조의화합물로이루어지는계면활성제를포함하는린스액을포토레지스트패턴에인가한다.

Abstract translation: 用于光刻冲洗溶液包括包含支链结构的化合物，包括主链和含有疏水基团的表面活性剂，和从主链分支的多个具有至少一个亲水基的官能团的侧链的。 集成，以产生电路元件，形成一个光致抗蚀剂图案之后，漂洗包括含有支链结构的化合物，包括含有疏水基团，具有至少一个亲水性基团的官能团的多个侧链的主链的表面活性剂 该溶液被施加到光致抗蚀剂图案。