Abstract:
PURPOSE: A wet etching apparatus is provided to improve etching uniformity by reducing a standby time difference of an etching solution between a center region of a substrate and an edge region of the substrate in a wet etching process. CONSTITUTION: A plurality of spray pipes(20) are installed at an upper part of a chemical bath(10) in order to spray an etching solution to a substrate. A transfer unit(40) moves a substrate to a transferring direction and rotates the substrate as much as a predetermined angle around a transferring direction axis. The spray pipes are moved to the transferring direction of the substrate and to a left side and a right side of the transferring direction.
Abstract:
PURPOSE: A coating device is provided to form a photosensitive coat in stable way and to improve the coatability with reduced amount of a photosensitive liquid, by using a separately formed solvent discharging part. CONSTITUTION: The coating device comprises: a supporting plate where a substrate is mounted; a nozzle which applies a photosensitive liquid(20) to the substrate; a photosensitive liquid feeder to supply the photosensitive liquid to the nozzle; a solvent feeder to supply a solvent(40) to the nozzle(200); and a device for moving the nozzle and the substrate relatively, wherein the nozzle has a photosensitive liquid discharging part(220) and a solvent discharging part(240), which are separately formed. The photosensitive liquid discharging part comprises a photosensitive liquid supply pipe(221), a tank(222) for storing the photosensitive liquid, a flow channel(224), and a silt part(225) for the liquid, and the solvent discharging part comprises a solvent supply pipe(241), a tank(242) for storing the solvent, a flow channel(244) for the solvent, a slit part(245) for the solvent.
Abstract:
기판 위에 게이트선, 게이트 전극, 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선과 유지 배선 및 유지 용량 전극을 형성한 후, 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 차례로 형성한다. 다음, 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성하고, 보호막을 형성한다. 다음, 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다. 이때, 기판을 여섯 개의 영역으로 분할하고 스텝 앤드 리피트 방식으로 사진 식각 공정을 실시한다. 게이트 배선을 형성하기 위한 감광막 패턴을 형성할 때 화소 영역에 정렬 패턴을 함께 형성하여 다음 노광 시에 보정하여 오차를 줄일 수 있다
Abstract:
PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to reduce the step height of a substrate while forming a black matrix on which the thin film transistor is formed. CONSTITUTION: The thin film transistor substrate includes a thin film transistor, a black matrix(90), an organic protection layer, and a pixel electrode(130). The thin film transistor is formed on a dielectric substrate(10) and includes a gate electrode920), a source electrode(70), a drain electrode(80) and a silicon electrode(40). The black matrix includes the first contact ball which exposes the drain electrode and covers at least the thin film transistor. The organic protection layer is formed on the substrate including the black matrix and flattened. The pixel electrode is formed on the organic protection layer and is coupled with the drain electrode. The organic insulator layer includes the second contact ball which exposes the first contact ball and the pixel electrode is coupled with the drain electrode by way of the second contact ball and the first contact ball.
Abstract:
본 발명은 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 기판 위에 전면적으로 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 일부 위에 형성되어 있으며 게이트 전극의 양 측 가장자리와 일부가 중첩되어 있는 소스-드레인 전극, 소스-드레인 전극 위에 형성되어 있는 n + 비정질 실리콘층, n + 비정질 실리콘 상부와 소스-드레인 전극 사이의 절연막 상부에 형성되어 있는 비정질 실리콘층을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법은 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 절연막과 금속층과 n + 비정질 실리콘층을 연속으로 증착하고 n + 비정질 실리콘층을 패터닝하여 콘택층을 형성하는 단계, 콘택층을 마스크로 금속층을 패터닝하여 소스-드레인 전극을 형성하는 단계, 비정질 실리콘층을 형성하고 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계를 포함한다. 이러한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에서는 소스-드레인 전극을 비정질 실리콘층보다 먼저 형성하기 때문에 비정질 실리콘층이 소스-드레인 전극 사이에 묻히며 소스-드레인 전극 사이에서만 채널부가 형성된다. 결국, 백라이트로부터의 빛이 소스-드레인 전극에서 차단된다.
Abstract:
5매 마스크를 사용하여 제조된 액정표시장치의 게이트 전극패턴의 언더컷을 제거하기 위해, 게이트전극 물질층 및 패턴화된 캡층 금속층상에 형성된 포토레지스트를 리플로시켜 게이트전극을 습식식각하는 방법, 게이트전극 물질층 및 캡핑 금속층 양자를 건식식각하는 방법 및 게이트전극 물질층의 1차 습식식각-캡핑 금속층의 습식식각-게이트전극 물질층의 2차 습식식각하는 게이트 전극 형성방법이 개시되어 있다.
Abstract:
본 발명은 평면 구동 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 다수의 공통 전극이 형성되어 있고, 공통 전극 상부에 게이트 절연막이 덮여 있으며, 게이트 절연막 위에는 공통 전극들 사이에 화소 전극이 형성되어 있다. 이러한 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터가 형성되어 기판 사이의 간격을 유지하는 다수의 기둥이 형성되어 있는데 이 기둥들은 화소 전극의 상부 또는 공통 전극의 상부에 유기막 또는 비전도성 무기막으로 형성되어 있다. 또한, 본 발명에 따른 평면 구동 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판에 공통 전극 및 화소 전극을 형성하는 단계, 전극 상부에 유기막을 전면적으로 도포하는 단계, 사진 식각을 통해 유기막 기둥을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 유기막 기둥을 박막 트랜지스터 기판 위가 아닌 컬러 필터 기판 위에 형성을 하는 것도 가능하다. 이러한 평면 구동 액정 표시 장치 및 제조 방법에서는 유기막 기둥이 화소전극 또는 공통 전극 상부에 위치하기 때문에 빛의 투과 특성의 저하 없이 셀 간격을 유지하는 역할을 하며, 사진 식각의 방법으로 유기막 기둥을 형성하기 때문에 동일한 규격의 기둥의 형성이 가능하여 셀 간격의 균일성이 확보된다.
Abstract:
본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로서, 가로 방향으로 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 교차하며 교차되는 부분을 소스 전극으로 하는 데이터선, 일정한 폭을 가지며 데이터선과 평행하게 게이트선의 폭을 가로질러 형성되어 있는 드레인 전극을 포함한다. 이때, 게이트선은 일정 구간에서 일정폭을 유지하며, 드레인 전극은 게이트선의 폭보다 길게 형성되어 있다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 게이트선으로부터 별도의 채널용 패턴을 끌어내지 않으며, 일정폭을 가진 게이트선 위에 직접 소스 전극 및 일정폭의 드레인 전극이 지나고 있기 때문에, 스티칭시 발생할 수 있는 미스얼라인과는 상관없이 게이트 전극과 드레인 전극이 중첩되는 면적은 일정하다. 따라서, 블록 결함에 따른 화질의 저하가 방지된다.
Abstract:
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 다수의 게이트선 및 데이터선과 가장자리가 중첩되도록 화소 영역에 적, 녹, 청의 컬러 필터가 형성되어 있고, 박막 트랜지스터의 반도체층에 대응하는 부분에 적색의 컬러 필터로 이루어진 흡수층이 형성되어 있다. 이때, 게이트선과 데이터선은 각각의 적, 녹, 청의 컬러 필터 경계 부분으로 입사하는 빛을 차단하는 블랙 매트릭스 역할을 대신한다. 또한, 반도체층에 대응하는 부분에 형성되어 있는 흡수층은 광 누설 전류를 유발시키는 단파장대의 빛을 흡수하는 블랙 매트릭스의 역할을 대신한다.
Abstract:
투명 기판 위에 게이트 패턴 및 반도체 패턴을 형성하고, 투명 도전막과 금속막을 차례로 적층한다. 금속막을 식각하여 투명 도전막으로 이루어진 드레인 전극 및 화소 전극을 형성하고, 새로운 마스크를 사용하여 금속막과 투명 도전막을 식각하여 투명 도전막과 금속막의 이중막으로 이루어진 소스 전극 및 데이터선을 형성한 후 보호막을 적층한다. 이렇게 하면, 5매의 마스크를 사용하면서도 맨위층에 보호막이 있는 구조를 얻을 수 있어 기판 사이에 도전성 입자가 있는 경우도 단락 에 의한 화소 불량이 발생하지 않는다. 투명 도전막과 금속막을 잇달아 적층하여 데이터선을 형성하므로 데이터선의 이중 구조가 형성되고, 드레인 전극과 화소 전극의 접촉을 위해 접촉 구멍을 깊이 형성할 필요가 없으므로 평탄화가 쉬워진다.